1.一种igbt晶圆的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
s1、在做好深沟槽闸极的igbt晶圆正面沉积ild层；
s2、将做好ild层的晶圆正面永久键合硅基载板；
s3、翻转硅基载板完成晶圆背面减薄，然后在晶圆背面植入离子，并通过高温回火使植入的离子活化；
s4、在回火处理后的晶圆背面制作反面金属镀膜；
s5、将晶圆背面暂时键合玻璃载板、翻转玻璃载板，通过研磨、蚀刻的方式除去硅基载板；
s6、蚀刻ild层形成缓坡状接触孔，并通过溅镀厚膜al，在接触孔中完整的填充，形成igbt的emittor结构；
s7、在晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻，形成正面金属图形及pad键合区；
s8、解键合，移除玻璃载板，清洗除去黏着层，完成igbt晶圆加工。
2.根据权利要求1所述的igbt晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤s1中ild层沉积方法为lpcvd、apcvd和pecvd的一种，所述lid层底层为无掺杂的电介质，ild层上层为掺杂p的电介质。
3.根据权利要求1所述的igbt晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤s2中晶圆正面永久键合硅基载板的方法包括以下步骤：
s201、将硅基载板和igbt晶圆ild层表面清洗干净并去除自然氧化层，通过电浆对硅基载板表面处理，激发硅基载板原子活性键；
s202、将igbt晶圆键合在硅基载板表面，然后一起放入高温炉管中进行高温回火，使igbt晶圆lid层与硅基载板形成永久键合结构。
4.根据权利要求3所述的igbt晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤s202中高温回火的温度为800-1400℃，高温炉管的升温速率＜15℃/min。
5.根据权利要求1所述的igbt晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤s3中晶圆背面减薄后厚度为＜150um，所述高温回火通过炉管或者快速lamp加热装置rtp进行加热。
6.根据权利要求1所述的igbt晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤s6中缓坡状接触孔的侧壁倾斜角度为75-85°，所述溅镀厚膜al时温度＞400℃。