1.一种铁电薄膜的沉积方法，其特征在于，包括：
在半导体载体上沉积hfo2基薄膜；
在所述hfo2基薄膜上沉积顶电极；
向所述顶电极注入离子；
退火。
2.一种铁电薄膜的沉积方法，其特征在于，包括：
向半导体载体注入离子；
沉积hfo2基薄膜；
在所述hfo2基薄膜上沉积顶电极；
退火。
3.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述注入离子的条件为：能量范围3～30kev，剂量1e13～1e15。
4.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述注入的离子为负电性离子。
5.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述退火的温度为400～1000℃。
6.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述hfo2基薄膜采用原子层沉积法形成。
7.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述hfo2基薄膜为复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，所述hfo2基薄膜包括层叠的hfo2薄膜和其他介电薄膜；所述其他介电薄膜选自al、zr、la、gd和si中的一种的氧化物。
9.一种铁电薄膜，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的沉积方法形成。
10.权利要求1-8任一项所述的沉积方法在铁电隧穿结、铁电场效应晶体管或铁电随机存取存储器的制作中的应用。