阵列基板侧面走线制造方法及拼接显示面板与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板侧面走线制造方法及拼接显示面板。


背景技术：

2.微型发光二极管(miniled或microled)已经用于显示面板，例如miniled作为液晶显示面板的背光源，或者microled显示面板作为户外显示，然而，受限于微型发光二极管转移技术，微型发光二极管显示面板难以做到单片大尺寸显示，需要通过多个小尺寸微型发光二极管显示模组拼接成大尺寸的显示面板。
3.微型发光二极管显示模组拼接成大尺寸的显示面板时，拼接缝隙会严重降低显示面板的画面整体性，为实现无缝拼接，已经开发了侧面银浆移印技术，在微型发光二极管显示模组的侧面转印银浆形成走线电连接正面的驱动电路，然而，侧面转印银浆技术工艺难度较大，成本较高，银浆容易脱落。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种阵列基板侧面走线制造方法及拼接显示面板，阵列基板侧面走线制造方法包括：步骤s100：提供一待处理基板，所述待处理基板包括第一表面和第二表面，第一连接端子设置于所述第一表面，第二连接端子设置于所述第二表面；步骤s200：形成保护层，在所述第一表面形成第一保护层，所述第一保护层避开所述第一连接端子设置，在所述第二表面形成第二保护层，所述第二保护层避开所述第二连接端子设置；步骤s300：形成连接金属层，在侧面形成所述连接金属层，所述连接金属层连接所述第一连接端子和所述第二连接端子；步骤s400：形成连接走线，处理所述连接金属层形成所述连接走线，所述连接走线的一端电连接所述第一连接端子，所述连接走线的另一端电连接所述第二连接端子；步骤s500：在所述步骤s300或步骤s400后去除所述保护层。本技术实施例的阵列基板侧面走线制造方法可以解决工艺难度较大，成本较高，侧面走线容易脱落的问题。采用本技术实施例阵列基板侧面走线制造方法制造的显示面板，可以解决拼接缝隙大的问题。
5.本技术实施例提供了一种阵列基板侧面走线制造方法，包括如下步骤：
6.步骤s100：提供一待处理基板，所述待处理基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面设置有第一连接端子，所述第二表面设置有第二连接端子；
7.步骤s200：形成保护层，在所述第一表面形成第一保护层，所述第一保护层避开所述第一连接端子设置，在所述第二表面形成第二保护层，所述第二保护层避开所述第二连接端子设置；
8.步骤s300：形成连接金属层，在所述待处理基板的侧面形成所述连接金属层，所述连接金属层连接所述第一连接端子和所述第二连接端子；
9.步骤s400：形成连接走线，图案化处理所述连接金属层形成所述连接走线，所述连
接走线的一端电连接所述第一连接端子，所述连接走线的相对另一端电连接所述第二连接端子；
10.步骤s500：在所述步骤s300或步骤s400后去除所述保护层。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述步骤s300中形成所述连接金属层的方法包括：通过物理气相沉积或磁控溅射的方法形成所述连接金属层。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述步骤s400中形成所述连接走线的方法包括：通过激光镭射所述连接金属层形成所述连接走线。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述步骤s200中形成所述保护层的方法包括：通过涂布光阻或侵泡光阻形成所述保护层。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述步骤s500中去除所述保护层的方法包括：使用光阻剥离液去除所述保护层。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述步骤s200之后还包括如下步骤：
16.步骤s10：将所述第一表面和所述侧面的连接处进行倒角处理形成过渡面；将所述第二表面和所述侧面的连接处进行倒角处理形成过渡面。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述待处理基板还包括：设置于所述第一表面的薄膜晶体管和布线，所述布线包括扫描线和数据线，所述第一连接端子与任一种所述布线电连接。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，与所述第一连接端子电连接的所述布线的宽度小于所述第一连接端子的宽度。
19.相应的，本技术实施例还提供了一种拼接显示面板，包括拼接设置的第一阵列基板和第二阵列基板，所述第一阵列基板采用如上述任一项所述的阵列基板侧面走线制造方法制造而成，所述第一阵列基板的所述第二连接端子与驱动芯片电连接。
20.可选的，在本技术的一些实施例中，还包括阵列设置在所述第一阵列基板和所述第二阵列基板上的微型发光二极管。
21.本技术实施例中，提供了一种阵列基板侧面走线制造方法及拼接显示面板，本技术实施例的阵列基板侧面走线制造方法工艺简单，成本较低，侧面走线与基板结合力强，侧面走线不易脱落。采用本技术实施例阵列基板侧面走线制造方法制造的显示面板，拼接缝隙小，可实现无缝拼接。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1是本技术一实施例提供的阵列基板侧面走线制造方法的第一种步骤流程图；
24.图2是本技术一实施例提供的阵列基板侧面走线制造方法的第二种步骤流程图；
25.图3是本技术一实施例提供的阵列基板侧面走线制造方法的第三种步骤流程图；
26.图4至图9是本技术一实施例提供的阵列基板侧面走线制造过程中阵列基板的变化过程；
27.图10是本技术一实施例提供的微型发光二极管阵列基板的示意图；
28.图11是本技术一实施例提供的拼接显示面板的第一种结构示意图；
29.图12是本技术一实施例提供的拼接显示面板的第二种结构示意图。
具体实施方式
30.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
31.本技术实施例提供一种阵列基板侧面走线制造方法及拼接显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
32.实施例一、
33.请参阅图1、图2、图4～图9，图1为本技术实施例提供的阵列基板侧面走线制造方法的第一种步骤流程图，图2为本技术实施例提供的阵列基板侧面走线制造方法的第二种步骤流程图，图4～图9示意了本技术实施例提供的阵列基板侧面走线制造过程中阵列基板的变化过程。本技术实施例的阵列基板侧面走线制造方法包括如下的步骤s100、步骤s200、步骤s300、步骤s400、步骤s500。
34.步骤s100：如图4所示，提供一待处理基板10，待处理基板10包括第一表面11和第二表面12，第一表面11设置有第一连接端子110，第二表面12设置有第二连接端子120。
35.具体的，多个第一连接端子110排布设置至于第一表面11，多个第二连接端子120排布设置至于第二表面12。
36.具体的，第一表面11为待处理基板10的正面，第二表面12则为待处理基板10的背面。
37.步骤s200：如图5所示，形成保护层，在第一表面11形成第一保护层210，第一保护层210避开第一连接端子110设置，在第二表面12形成第二保护层220，第二保护层220避开第二连接端子120设置。
38.具体的，第一保护层210覆盖第一表面11，并露出第一连接端子110，第一保护层210覆盖第一表面11并至少露出第一连接端子110的部分区域；第二保护层220覆盖第二表面12，并露出第二连接端子120，第二保护层220覆盖第二表面12并至少露出第二连接端子120的部分区域。
39.步骤s300：如图7所示，形成连接金属层300，在待处理基板10的侧面13形成连接金属层300，连接金属层300连接第一连接端子110和第二连接端子120。
40.具体的，连接金属层300从侧面13电连接于第一连接端子110和第二连接端子120之间；或者连接金属层300连续分布在第一表面11部分区域、侧面13、第二表面12部分区域，并电连接于第一连接端子110和第二连接端子120之间。连接金属层300电连接于第一连接端子110和第二连接端子120之间的通常方式为物理直接搭接。连接金属层300可以覆盖第
一连接端子110和第二连接端子120而搭接。
41.步骤s400：如图9所示，形成连接走线310，图案化处理连接金属层300形成连接走线310，连接走线310的一端电连接第一连接端子110，连接走线310的相对另一端电连接第二连接端子120。
42.步骤s500：在步骤s300或步骤s400后去除保护层。
43.具体的，请参阅图1示意了在步骤s400之后去除保护层，请参阅图2示意了在步骤s300之后去除保护层。
44.具体的，如图8所示，去除保护层时，如果金属层300有同时分布在保护层的表面时，保护层的表面的金属层部分会一同被去掉，只保留电连接于第一连接端子110和第二连接端子120之间的金属层部分。
45.在一些实施例中，步骤s300中形成连接金属层300的方法包括：通过物理气相沉积或磁控溅射的方法形成连接金属层300。
46.具体的，通过物理气相沉积(pvd)或磁控溅射的方法形成连接金属层300，可以使得连接金属层300和后续的连接走线310与待处理基板10的侧面13形成致密的强结合力，金属层300和连接走线310不容易脱落，具有高可靠性和高信赖性。
47.在一些实施例中，步骤s400中形成连接走线310的方法包括：通过激光镭射连接金属层300形成连接走线310。
48.具体的，通过激光的光刻将金属层300制作成连接走线310，连接走线310具有预设的宽度，每一条连接走线310将预设的第一连接端子110连接至对应的第二连接端子120。
49.在一些实施例中，步骤s200中形成保护层的方法包括：通过涂布光阻或侵泡光阻形成保护层。
50.具体的，保护层包括第一保护层210和第二保护层220。可以只在第一连接端子110和第二连接端子120之外的区域通过涂布光阻或侵泡光阻形成保护层；也可以先在第一表面11的整面和第二表面12的整面通过涂布光阻或侵泡光阻形成保护层，然后通过曝光、显影等方法，使得第一保护层210露出第一连接端子110和第二保护层220露出第二连接端子120。
51.在一些实施例中，步骤s500中去除保护层的方法包括：使用光阻剥离液去除保护层。
52.在一些实施例中，在步骤s200之后还包括步骤s10。
53.步骤s10：请参阅图3，将第一表面11和侧面13的连接处进行倒角处理形成过渡面；将第二表面12和侧面13的连接处进行倒角处理形成过渡面。
54.具体的，请参阅图6，将第一表面11和侧面13的连接处进行倒角处理形成第一过渡面131，将第二表面12和侧面13的连接处进行倒角处理形成第二过渡面132。通过倒角处理形成过渡面，使得金属层300和连接走线310不会直角弯折，进一步提升金属层300和连接走线310与待处理基板10的侧面13的结合力，使得连接走线310不容易脱落，提高可靠性。
55.在一些实施例中，待处理基板10还包括：设置于第一表面11的薄膜晶体管和布线，布线包括扫描线和数据线，第一连接端子110与任一种布线电连接。
56.具体的，待处理基板可以为阵列基板，阵列基板上包括阵列排布的薄膜晶体管、布线，还可以包括驱动电路，在此不做限定。
57.在一些实施例中，与第一连接端子110电连接的布线的宽度小于第一连接端子110的宽度。
58.具体的，增加第一连接端子110的宽度，可以提升连接走线310与第一连接端子110的连接强度，提升可靠性。还可以增加第二连接端子120的宽度，可以提升连接走线310与第二连接端子120的连接强度，提升可靠性。
59.在上述制作步骤中完整了阵列基板侧面走线的制造。在一些实施例中，还可以在阵列基板上制作微型发光二极管，如图10所示，将微型发光二极管500转移至阵列基板上，完成微型发光二极管阵列基板20的制作。
60.在本技术实施例中，通过物理气相沉积(pvd)或磁控溅射的方法形成连接金属层300，可以使得连接金属层300和后续的连接走线310与待处理基板10的侧面13形成致密的强结合力，金属层300和连接走线310不容易脱落，具有高可靠性和高信赖性。
61.在本技术实施例中，将第一表面11和侧面13的连接处进行倒角处理形成过渡面；将第二表面12和侧面13的连接处进行倒角处理形成过渡面，通过倒角处理形成过渡面，使得金属层300和连接走线310不会直角弯折，进一步提升金属层300和连接走线310与待处理基板10的侧面13的结合力，使得连接走线310不容易脱落，提高可靠性。
62.实施例二、
63.如图11所示，本技术实施例还提供了一种拼接显示面板30，拼接显示面板30包括拼接设置的第一阵列基板21和第二阵列基板22，第一阵列基板21采用上述实施例任一项所述的阵列基板侧面走线制造方法制造而成，第一阵列基板21的第二连接端子120与驱动芯片电连接。
64.具体的，拼接显示面板30包括拼接设置的第一阵列基板21和第二阵列基板22，第一阵列基板21采用上述实施例任一项所述的阵列基板侧面走线制造方法制造而成，第一阵列基板21包括第一连接端子110和第二连接端子120，连接走线310电连接于第一连接端子110和第二连接端子120之间，第一表面11设置有薄膜晶体管和布线，布线包括扫描线和数据线，通过第一连接端子110、连接走线310和第二连接端子120，将第一阵列基板21的第一表面11(正面)上的布线导通至第二表面12(背面)，然后通过第二连接端子120电连接驱动芯片等驱动系统，可以减小第一阵列基板21在拼接处的非显示区的宽度，从而减小拼接缝隙，甚至实现无缝拼接。
65.在一些实施例中，如图11所示，拼接显示面板30还可以包括阵列设置在第一阵列基板21和第二阵列基板22上的微型发光二极管500。
66.具体的，拼接显示面板30包括微型发光二极管(miniled或microled)时，拼接显示面板30可以作为液晶显示面板的背光源，拼接显示面板30也可以用微型发光二极管作为显示像素直接显示图像，在此不做限定。
67.如图12所示，示意了拼接显示面板30包括多个第一阵列基板21和多个第二阵列基板22。第一阵列基板21可以采用上述实施例任一项所述的阵列基板侧面走线制造方法制造而成，第二阵列基板22也可以采用上述实施例任一项所述的阵列基板侧面走线制造方法制造而成，在此不做限定。当第一阵列基板21和第二阵列基板22采用上述实施例任一项所述的阵列基板侧面走线制造方法制造而成时，第一阵列基板21和第二阵列基板22均可以具有窄的非显示区宽度，从而减小拼接缝隙，还可以减小第一阵列基板21和第二阵列基板22的
边框宽度，从而实现拼接显示面板30的大尺寸显示、无缝拼接和窄边框显示。
68.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板侧面走线制造方法及拼接显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。