技术特征：
1.一种半导体元件，包含：鳍片，从基底突出并沿第一方向延伸；栅极结构，在所述鳍片上沿第二方向延伸；密封层，位于所述栅极结构的侧壁上；第一碳峰值浓度，位于所述密封层中；第一间隙壁层，位于所述密封层上；第二碳峰值浓度，位于所述第一间隙壁层中；以及第二间隙壁层，位于所述第一间隙壁层上。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述密封层包含siocn且厚度为40埃，其中所述第一间隙壁层包含siocn且厚度为70埃。3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，所述第一碳峰值浓度位于所述第一间隙壁层和所述第二间隙壁层之间的界面下方80埃至84埃处。4.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，所述第二间隙壁层为富硅氮化硅层，厚度为55埃。5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中，所述第二碳峰值浓度位于所述第二间隙壁层的顶面下方80～84埃处。6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述栅极结构包含栅极介电层和位于所述栅极介电层上的金属栅极。7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，还包含与所述第二间隙壁层相邻的源/漏极区。8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中，还包含在所述源/漏极区中的外延层。9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中，所述外延层包含sip、sic或sige。10.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述密封层的介电常数小于4。11.一种形成半导体元件的方法，包含：形成从基底突出并沿第一方向延伸的鳍片；在所述鳍片上形成沿第二方向延伸的栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成密封层；在所述密封层上形成第一间隙壁层；进行第一碳注入制作工艺，以将碳注入所述密封层，使得所述密封层中具有第一碳峰值浓度；在所述第一间隙壁层上形成第二间隙壁层；以及进行第二碳注入制作工艺，以将碳注入所述第一间隙壁层，使得所述第一间隙壁层具有第二碳峰值浓度。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述密封层包含siocn且厚度为40埃，其中所述第一间隙壁层包含siocn且厚度为70埃。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一碳峰值浓度位于所述第一间隙壁层和所述第二间隙壁层之间的界面下方80埃至84埃处。14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二间隙壁层为富硅氮化硅层，厚度为55埃。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二碳峰值浓度位于所述第二间隙壁层的顶面下方80～84埃处。16.根据权利要求11所述的方法，其中，以30度的倾角、2kev的注入能量和5e15原子/cm2的注入剂量执行所述第一碳注入制作工艺和所述第二碳注入制作工艺。17.根据权利要求11所述的方法，其中，还包含：形成与所述第二间隙壁层相邻的源/漏极区。18.根据权利要求17所述的方法，其中，还包含：在所述源/漏极区形成外延层。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述外延层包含sip、sic或sige。20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述密封层的介电常数小于4。
技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一鳍片，从一基底突出并沿第一方向延伸；一栅极结构，在所述鳍片上沿第二方向延伸；一密封层，位于所述栅极结构的侧壁上；一第一碳峰值浓度，位于所述密封层中；一第一间隙壁层，位于所述密封层上；一第二碳峰值浓度，位于所述第一间隙壁层中；以及一第二间隙壁层，位于所述第一间隙壁层上。位于所述第一间隙壁层上。位于所述第一间隙壁层上。
技术研发人员：刘仕佑 陈士程 张家玮 郭家铭 温在宇 王俞仁
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2023/1/16