技术特征：
1.一种半导体装置，包括：基板；第一电极层，设置于所述基板上；栅电极层，设置于所述第一电极层上；第二电极层，设置于所述栅电极层上，其中所述第一电极层与所述第二电极层是作为所述半导体装置的漏极与源极；氧化物半导体层，贯穿所述栅电极层并分别与所述第一电极层及所述第二电极层直接接触；栅介电层，设置于所述栅电极层与所述氧化物半导体层之间；第一绝缘层，设置于所述栅电极层与所述第一电极层之间；以及第二绝缘层，设置于所述栅电极层与所述第二电极层之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个电极接点，其分别连接至所述第一电极层、所述栅电极层及所述第二电极层。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述基板包括绝缘体覆硅基板。5.一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一电极层于基板上；形成堆叠结构于所述第一电极层上，其中所述堆叠结构包括第一绝缘层、栅电极层以及第二绝缘层；形成开口于所述堆叠结构中；形成栅介电层于所述堆叠结构的所述开口的侧壁上；形成氧化物半导体层于所述开口中，其中所述栅介电层夹置于所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间；以及形成第二电极层于所述堆叠结构上，以与所述氧化物半导体层直接接触。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述第二电极层的步骤之后还包括：图案化所述第二电极层及所述栅电极层。7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述第二电极层的步骤之后还包括：形成多个电极接点，其分别连接至所述第一电极层、所述栅电极层及所述第二电极层。8.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述栅介电层的步骤包括：共形地沉积介电材料层于所述堆叠结构上及所述开口中；以及回蚀刻所述介电材料层直到所述第一电极层被暴露出。9.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述堆叠结构的步骤包括：沉积所述第一绝缘层于所述第一电极层上；沉积所述栅电极层于所述第一绝缘层上；以及沉积所述第二绝缘层于所述栅电极层上。10.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述氧化物半导体层于所述
开口中的步骤包括：毯覆式沉积氧化物半导体材料以填入所述开口；以及回蚀刻所述氧化物半导体材料直到所述堆叠结构被暴露出。11.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述氧化物半导体层于所述开口中的方法包括选择性沉积制作工艺。12.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。13.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述基板包括绝缘体覆硅基板。
技术总结
本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、设置在基板上的第一电极层、设置在第一电极层上的栅电极层、设置在栅电极层上的第二电极层、贯穿栅电极层的氧化物半导体层、设置在栅电极层与氧化物半导体层之间的栅介电层、设置在栅电极层与第一电极层之间的第一绝缘层以及设置在栅电极层与第二电极层之间的第二绝缘层。氧化物半导体层分别与第一电极层及第二电极层直接接触。第一电极层及第二电极层直接接触。第一电极层及第二电极层直接接触。
技术研发人员：吉田宏
受保护的技术使用者：力晶积成电子制造股份有限公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2023/2/3