一种超大功率全包封多载型引线框架的制作方法

1.本发明涉及引线框架技术领域，具体为一种超大功率全包封多载型引线框架。


背景技术：

2.引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
3.大功率器件引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件，目前，大功率器件引线框架一般都是裸铜工艺，即引线框架表面没有任何其他的金属镀层，这使得后续焊引线时引线与引线框架之间结合牢固度不好，容易脱落，另外，目前的大功率器件引线框架，其载片区、引脚基本是处于同一平面的，这不利于后续塑封料的塑封，且现有的引线框架在运输时需要叠放，叠放的过程中容易因为金属表面张力吸附在一起，不易分离，因此我们需要提出一种超大功率全包封多载型引线框架。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种超大功率全包封多载型引线框架，芯片基岛和管脚区的表面设置有镀银(ag)或者镀金(au)层，大幅度的增强了后续焊接引线时的结合度，引脚上开设有用于塑封的引脚，且引线框架的边缘设置有用于在运输时将引线框架分隔开的凸点，便于后续分离操作，解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种超大功率全包封多载型引线框架，包括引线框单元，所述引线框单元设置有若干组，若干组所述引线框单元相互连接形成引线框架，所述引线框单元包括基体和管脚区两侧且其端部与框架边带连接的连接筋，所述基体包括散热部和用于安装芯片的芯片基岛，所述散热部上开设有固定孔，所述固定孔在引线框架的厚度方向上贯通所述散热部，所述固定孔的顶部边缘水平，所述芯片基岛和管脚区的表面设置有镀银(ag)或者镀金(au)层，且所述引线框架的边缘设置有用于在运输时将引线框架分隔开的凸点，所述管脚区的下端设置为用于安装的引脚，所述引脚上开设有弯角，所述引脚的外侧设置有防护组件，所述防护组件设置为橡胶套，所述引线框架设置有连接机构和辅助支撑机构。
6.进一步，所述引线框架为单层结构，且所述引线框架的材料为金属或合金，所述引线框架为四方扁平型或双列直插式封装型。
7.进一步，所述管脚区设置有若干组，且所述管脚区分布于引线框架的外侧。
8.进一步，所述固定孔呈规则或不规则的多边形，所述固定孔呈三边形、四边形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、十边形、十一边形或十二边形。
9.进一步，所述芯片基岛的边缘设置有多个半包围式的凹槽，至少一个所述凹槽贯穿所述芯片基岛。
10.进一步，所述引线框单元通过连接机构进行连接，每两组所述引线框单元之间设置有若干组连接机构，每一组所述连接机构与相邻的芯片基岛连接。
11.进一步，每两组相邻的所述连接机构之间设置有辅助支撑机构，所述辅助支撑机构设置为辅助支撑杆，所述辅助支撑杆的两端分别固定连接于连接机构上。
12.进一步，所述辅助支撑杆为中空结构，且所述辅助支撑杆的内部设置有加强筋，且所述加强筋设置有若干组，且若干组所述加强筋沿着所述辅助支撑杆的边缘排布。
13.进一步，所述凸点沿着引线框架的边缘排布，且所述凸点的高度设置为2
ꢀ±
0.1微米，所述凸点分布于引线框架的两面。
14.进一步，所述管脚区和引线框架的基材均设置为铜质材料。
15.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
16.1、本发明芯片基岛和管脚区的表面设置有镀银(ag)或者镀金(au)层，大幅度的增强了后续焊接引线时的结合度，引脚上开设有用于塑封的引脚，且引线框架的边缘设置有用于在运输时将引线框架分隔开的凸点，便于后续分离操作。
17.2、本发明的固定孔设置成多种不规则的多边形，这样设置可以提高制造工艺的灵活性。
18.3、本发明基体上还设有若干散热部，散热部在基体上围绕芯片基岛分布设置，起到隔离胶的作用，散热部提高塑封料与芯片基岛结合强度，提高产品可靠性，极大提升了产品散热性能。
附图说明
19.图1为本发明引线框架的结构示意图；
20.图2为本发明引线框单元的结构示意图；
21.图3为本发明图1中a部分的结构示意图；
22.图4为本发明图1中b部分的结构示意图。
23.图中：1、引线框单元；2、防护组件；3、连接机构；101、基体；102、管脚区；103、散热部；104、芯片基岛；105、固定孔；106、凸点；107、凹槽；401、辅助支撑杆。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
25.请参阅图1-4，本发明提供一种技术方案：一种超大功率全包封多载型引线框架，包括引线框单元1，引线框单元1设置有若干组，若干组引线框单元 1相互连接形成引线框架，引线框架为单层结构，且引线框架的材料为铜(cu)，引线框架为四方扁平型或双列直插式封装型，这样设置能够让装置的制造工艺更加灵活多变，同时也能够让客户有更多的选择；
26.引线框单元1包括基体101和管脚区102两侧且其端部与框架边带连接的连接筋，管脚区102设置有若干组，且管脚区102分布于引线框架的外侧，管脚区102之间为等距分
布，管脚区102和引线框架的基材均设置为铜质材料；
27.基体101包括散热部103和用于安装芯片的芯片基岛104，散热部103上开设有固定孔105，固定孔105在引线框架的厚度方向上贯通散热部103，散热部103设置为半导体散热片，且散热部103连接于管脚区102的上端，这种设计结构在保证散热通道尺寸足够情况下，有利于框架的打凹成型，本发明可以明显缩短芯片与内引脚的距离，减小焊线长度，降低ic芯片的电阻、电感和寄生电容值，并减少ic芯片内部的阻性损耗和开关损耗；
28.芯片基岛104上还设有若干锁定槽和v型槽，v型槽在基岛上围绕芯片分布设置，起到隔离胶的作用，锁定槽和v型槽提高塑封料与芯片基岛104 结合强度，提高产品可靠性，在基岛外露的同时散热片与基岛相连的形式，极大提升了产品散热性能；
29.固定孔105呈规则或不规则的多边形，固定孔105呈三边形、四边形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、十边形、十一边形或十二边形，固定孔105设置成多种不规则的多边形，这样设置可以提高制造工艺的灵活性；
30.固定孔105的顶部边缘水平，芯片基岛104的表面设置有镀银(ag)或者镀金(au)层，大幅度的增强了后续焊接引线时的结合度；
31.芯片基岛104的边缘设置有多个半包围式的凹槽107，至少一个凹槽107 贯穿芯片基岛104，在引线框架的边缘设置半包围式凹槽107，半包围式凹槽 107抗应力表现好，有弹簧拉伸效应，具有良好的锁模功效，在形成封装体后，能够避免塑封料与引线框架分层；在制作工艺上，由于封闭的孔形蚀刻需要更大的空间才能制作，有制作限制，且封闭的圆形的深度也会比半包围式凹槽107更浅，而本半包围式凹槽107设计在金属边缘，需要空间较少，更易制作；
32.引线框架的边缘设置有用于在运输时将引线框架分隔开的凸点106，凸点 106沿着引线框架的边缘排布，且凸点106的高度设置为2
±
0.1微米，凸点 106分布于引线框架的两面，多个凸点106之间的距离相等，以便于进一步起到良好的隔离作用，凸点106的高度为2
±
0.1微米，凸点106设置为该高度的优点在于，在不影响后续工艺的前提下提供良好的支撑隔离，若凸点106 太高会影响工艺制程，若凸点106太低就起不到隔离的作用；
33.管脚区102的下端设置为用于安装的引脚，引脚上开设有弯角，引脚的外侧设置有防护组件2，防护组件2设置为橡胶套，引线框架设置有连接机构 3和辅助支撑机构，防护组件2有一定的弹性，在运输的过程中可以防止引脚刮蹭到别的引线框架；
34.引线框单元1通过连接机构3进行连接，每两组引线框单元1之间设置有若干组连接机构3，每一组连接机构3与相邻的芯片基岛104连接，每两组相邻的连接机构3之间设置有辅助支撑机构，辅助支撑机构设置为辅助支撑杆401，辅助支撑杆401的两端分别固定连接于连接机构3上，辅助支撑杆 401为中空结构，且辅助支撑杆401的内部设置有加强筋，且加强筋设置有若干组，且若干组加强筋沿着辅助支撑杆401的边缘排布，通过在相邻的两连接机构3之间设置有辅助支撑机构，以加强相邻的两连接机构3之间的连接稳定性和结构强度，从而加强与连接机构3相连接的基体101的整体结构稳定性，以提升基体101整体结构强度，使其在芯片焊接时稳定不易变形,提升成品良率，同时，辅助支撑机构设于相邻的两连接机构3之间，位于基体101 之外，在芯片焊接之后，将单个基体101及其相连的外引脚分离出单个成品时，辅助支撑机构不会对单个成品产生影响。
35.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以
理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。