顶刀结构和晶片转移装置的制作方法

1.本技术涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种顶刀结构和晶片转移装置。


背景技术：

2.晶片从晶圆厂出厂时，是放置在承载膜上的。而在固晶过程中，需要利用吸附机构把承载膜上的晶片吸附起来，然后将晶片转移到基板上。承载膜具有粘性，能够粘接固定晶片。
3.现有技术中，在利用吸附机构对晶片进行转移时，还会使用顶刀结构从承载膜的另一侧对晶片进行顶起，从而便于吸附机构对晶片进行转移。
4.但是，由于承载膜很薄且具有粘性，现有技术中使用的承载膜一般为蓝膜。使用顶刀结构对晶片进行顶起时，需要控制顶刀结构的与承载膜接触的时间和速率，避免承载膜被顶刀结构刺破，也避免损坏晶片，从而影响晶片转移的效率。


技术实现要素：

5.为了解决在晶片转移的过程中，顶刀结构容易刺破承载膜的技术问题，本技术提供了一种顶刀结构和晶片转移装置。
6.第一方面，本技术提供了一种顶刀结构，应用于晶片转移装置，包括：刀体和与所述刀体连接的刀刃部；所述刀刃部远离所述刀体一侧且沿长度方向的两个角为圆角，所述刀刃部的两个刀刃面的相接处为圆弧形结构。
7.可选地，所述圆弧形结构的半径大于0.01mm，且小于0.09mm。
8.可选地，所述顶刀结构还包括连接部，所述连接部与所述刀体固定连接，所述连接部上开设有第一通孔，所述第一通孔以用于与外部设备连接。
9.可选地，所述刀刃部的外部轮廓包括三角形、梯形和椭圆形中的一种。
10.第二方面，本技术提供了一种晶片转移装置，包括如上述的顶刀结构。
11.可选地，所述晶片转移装置还包括：冲顶组件和吸附组件；
12.所述吸附组件包括吸附头和吸附驱动机构，所述吸附头上设有至少一个吸附孔，所述吸附驱动机构与所述吸附孔连通，所述吸附驱动机构包括真空吸附件，所述真空吸附件以用于控制所述吸附孔处的气压；所述冲顶组件包括顶刀结构以及驱动所述顶刀结构相对所述吸附头做往复冲顶运动的冲顶驱动机构。
13.可选地，所述吸附头上设有第二通孔，所述顶刀结构可滑动地贯穿所述第二通孔。
14.可选地，所述吸附孔间隔设置在所述第一通孔的外周缘。
15.可选地，所述吸附头远离所述吸附驱动机构的一侧上设置有凹槽，所述凹槽围绕所述第一通孔的外周缘设置，所述凹槽内设有至少一个所述吸附孔。
16.可选地，每个所述吸附孔的开口形状包括圆形、矩形、五边形和六边形中的一种。
17.本技术实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
18.本技术实施例提供的顶刀结构，应用于晶片转移装置，包括：刀体和与刀体连接的
刀刃部；刀刃部远离刀体一侧且沿长度方向的两个角为圆角，刀刃部的两个刀刃面相接处为圆弧形结构。利用本技术实施例提供的顶刀结构，通过在刀刃部的两个刀刃面相接处设置圆弧形结构，这样在顶刀结构对承载膜上的晶片进行顶起时，圆弧形结构可以避免刀刃部刺破承载膜从而损伤晶片。且刀刃部沿长度方向还设置有两个圆角，圆角可以避免承载膜与刀刃部接触时，刀刃部会划破承载膜。因此，顶刀结构能够提高晶片转移的效率以及晶片的良率，以实现晶片的巨量转移。
附图说明
19.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术实施例提供的一种顶刀结构的结构示意图；
22.图2为图1中a处的局部放大图；
23.图3为本技术实施例提供的一种顶刀结构的侧视图；
24.图4为图3中b处的局部放大图；
25.图5和图6为本技术实施例提供的一种顶刀结构的结构示意图；
26.图7和图8为本技术实施例提供的一种晶片转移装置的结构示意图；
27.图9为图8中c处的局部放大图。
28.附图标记：
29.100、顶刀结构；110、刀体；120、刀刃部；130、连接部；121、圆弧形结构；122、圆角；131、第一通孔；
30.200、晶片转移装置；210、冲顶组件；220、吸附组件；
31.211、冲顶驱动机构；221、吸附头；
32.2211、第二通孔；2212、凹槽。
具体实施方式
33.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
34.参考图1至图6，本技术实施例提供了一种顶刀结构100，应用于晶片转移装置200，包括：刀体110和与刀体110连接的刀刃部120；刀刃部120远离刀体110一侧且沿长度方向的两个角为圆角122，刀刃部120的两个刀刃面相接处为圆弧形结构121。在顶刀结构100对承载膜进行顶起时，圆弧形结构121可以避免刀刃部120刺破承载膜从而损伤晶片。且刀刃部120沿长度方向还设置有两个圆角122，圆角122可以避免承载膜与刀刃部120的两端接触时，刀刃部120会划破承载膜。由此，通过圆角122和圆弧形结构121的设置，能够提高晶片转移的效率和晶片的良品率，以实现晶片的巨量转移。
35.圆弧形结构121的半径大于0.01mm，且小于0.09mm。设置圆弧形结构121的半径大于0.01mm，这样避免圆弧形结构121过于细长，同样会刺破承载膜。设置圆弧形结构121的半径小于0.09mm，与晶片的尺寸相匹配，避免由于圆弧形结构121的直径大于晶片的尺寸，从而难以把晶片进行顶起。
36.在一具体实施方式中，设置圆弧形结构121的半径为0.05mm至0.07mm。设置圆弧形结构121的半径大于0.05mm，刚好能够顶起晶片，且不至于使得圆弧形结构121过于细长而刺破承载膜。
37.还可以设置两个刀刃面相接处有多个圆弧形结构121，多个圆弧形结构相连接，从而形成波浪状结构。能够更加准确的顶起承载膜上的晶片，避免晶片损坏，提高晶片转移的良品率，实现晶片的巨量转移。
38.圆弧形结构121可以对一排晶片进行顶起，当然，还可以设置圆弧形结构121对两排相邻的晶片继续顶起。这样，加快晶片转移的效率。
39.顶刀结构100还包括连接部130，连接部130与刀体110固定连接，连接部130上开设有第一通孔131，第一通孔131以用于顶刀结构100与外部设备连接。外部设备可以为驱动装置，驱动装置驱动顶刀结构100做直线往复运动，从而将晶片从承载膜上顶起。具体地，驱动装置可以为直线电机或音圈电机。连接部130通过螺钉或螺栓与驱动装置进行装配，安装简便，降低组装难度。
40.第一通孔131的数量可以设置为多个，多个第一通孔131间隔设置，利用螺钉将连接部130固定在驱动装置上。从而使得驱动装置驱动顶刀结构100运动。
41.刀刃部120的外部轮廓包括三角形、梯形和椭圆形中的一种。刀刃部120的外部轮廓可以设置为梯形，梯形的顶面设置为圆弧形结构121，梯形的底面与刀体110连接。这样，利用梯形上小下大的结构，很好的固定圆弧形结构121，也减少顶刀结构100运动的阻力。
42.顶刀结构100可以由金属材料制成，例如铁基合金、铝合金等。使用金属材料制成的顶刀结构100，提高顶刀结构100的使用寿命。具体地，刀体110可以由不锈钢材料制成。不锈钢材料坚硬耐用，不易生锈，能够延长顶刀结构100的使用寿命。刀刃部120也可以由不锈钢材料制成，这样使得刀刃部120顶起承载膜上的晶片时，不易损坏承载膜。当然，刀刃部120也可以由钛合金制成。
43.刀体110的外部轮廓包括矩形、梯形或五边形中的一种。设置刀体110的外部轮廓为矩形，使得刀体110的结构更加稳定。
44.刀体110与刀刃部120之间可以设置为一体成型结构，也可以设置刀体110与刀刃部120之间为可拆卸结构，即刀体110与刀刃部120之间为卡合连接、粘接或焊接等。当刀刃部120在使用过程中发生磨损或者生锈等情况时，可以通过更换刀刃部120，从而节省成本。
45.参考图7至图9，本技术实施例还提供了一种晶片转移装置200，包括顶刀结构100。将顶刀结构100应用于晶片转移装置200，能够提高晶片转移的效率，实现晶片的巨量转移。
46.晶片转移装置200还包括：冲顶组件210和吸附组件220。吸附组件220包括吸附头221和吸附驱动机构，吸附头221上设有至少一个吸附孔，吸附驱动机构与吸附孔连通，吸附驱动机构包括真空吸附件，真空吸附件以用于控制吸附孔处的气压；冲顶组件210包括顶刀结构100以及驱动顶刀结构100相对吸附头221做往复冲顶运动的冲顶驱动机构211。
47.这样，通过冲顶驱动机构211控制顶刀结构100运动，从而使得顶刀结构100对承载
膜进行顶起，进而使得晶片的四周与承载膜进行剥离，提高了将晶片从承载膜上转移的效率。同时，还通过吸附组件220在冲顶组件210对承载膜上的晶片进行顶起时，对承载膜进行吸附，从而避免了承载膜上的其他晶片移位，提升了晶片转移的准确性。能够提高晶片转移的效率，实现晶片的巨量转移。
48.冲顶驱动机构211可以为直线电机或音圈电机。直线电机驱动顶刀结构100做直线往复运动。
49.吸附头221上设有第二通孔2211，顶刀结构100可滑动地贯穿第二通孔2211。顶刀结构100从吸附头221的第二通孔2211中可滑动地穿出，这样使得顶刀结构100与吸附头221之间的间隔间距缩小，便于吸附组件220对承载膜进行吸附，同时冲顶组件210对承载膜进行顶起。
50.吸附孔间隔设置在第二通孔2211的外周缘。吸附孔间隔设置在第二通孔2211的外周缘。这样，通过吸附孔对承载膜进行吸附时，顶刀结构100从第二通孔2211中贯穿且顶刀结构100可以相对于第二通孔2211往复运动。进一步地减小了吸附孔与顶刀结构100之间的间隔间距，提高了顶刀结构100对承载膜上晶片顶起的准确性。吸附孔可以均匀地设置在第二通孔2211的外周缘，吸附孔也可以在第二通孔2211的外周缘呈不规则排布。
51.吸附头221远离吸附驱动机构的一侧上设置有凹槽2212，凹槽2212围绕第二通孔2211的外周缘设置，凹槽2212内设有至少一个吸附孔。吸附头221远离吸附驱动机构的一侧上设置有凹槽2212，凹槽2212围绕第二通孔2211的外周缘设置，凹槽2212内设有至少一个吸附孔。将吸附孔设置在凹槽2212中，凹槽2212与承载膜接触，这样可以通过凹槽2212对吸附孔中的气流进行集中，从而提高对承载膜吸附的效率。凹槽2212的截面形状可以为梯形，梯形的底边设置为靠近吸附驱动机构的一侧。
52.每个吸附孔的开口形状包括圆形、矩形、五边形和六边形中的一种。每个吸附孔的开口形状包括圆形、矩形、五边形和六边形中的一种。当然，吸附孔的开口形状也可以为不规则的多边形，或者为五角星形。多个吸附孔的开口形状可以设置为不同的开口形状，例如开口形状为圆形的吸附孔和开口形状为矩形的吸附孔依次重复排布，或者开口形状为五边形的吸附孔和开口形状为矩形的吸附孔依次重复排布，或者开口形状为圆形的吸附孔、开口形状为矩形的吸附孔、开口形状为五边形的吸附孔依次重复排布。这样可以通过不同开口形状的吸附孔的混合，提高吸附孔对承载膜的吸附稳定性。能够提高晶片转移的效率，实现晶片的巨量转移。
53.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
54.以上所述仅是本实用新型的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。
因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。