技术特征：
1.一种全桥式半导体器件，包括：包覆于环氧封装体（1）内的第一芯片基板（2）、第二芯片基板（3）和一端自环氧封装体（1）中伸出的第一引脚（4）、第二引脚（5），其特征在于：所述第一芯片基板（2）包括用于与至少两颗芯片（6）连接的第一支撑区（21）和垂直于第一支撑区（21）一端的第一引线区（22），所述第二芯片基板（3）包括与第一支撑区（21）平行间隔设置的第二支撑区（31）和垂直于第二支撑区（31）一端并位于第一支撑区（21）远离第一引线区（22）一端外侧的第二引线区（32），所述第二引线区（32）与第二支撑区（31）的连接处具有一第一折弯部（8），使得位于第一支撑区（21）外侧的第二引线区（32）的上表面在竖直方向上低于第一支撑区（21）的下表面；所述第二支撑区（31）与第二引线区（32）的连接处并位于靠近第一折弯部（8）一侧边缘处具有一缺口（12），所述缺口（12）与第一折弯部（8）在水平面上贴近设置，所述第一芯片基板（2）、第二芯片基板（3）上各自用于与芯片（6）连接的区域设置有一支撑部（11），所述支撑部（11）的面积小于芯片（6）下表面的面积且每个所述支撑部（11）位于对应芯片（6）中央区域的正下方。2.根据权利要求1所述的全桥式半导体器件，其特征在于：所述支撑部（11）边缘处的侧表面为坡面。3.根据权利要求1所述的全桥式半导体器件，其特征在于：所述缺口（12）为半圆形缺口。4.根据权利要求1所述的全桥式半导体器件，其特征在于：所述缺口（12）位于第二支撑区（31）上的芯片（6）下方。5.根据权利要求1所述的全桥式半导体器件，其特征在于：所述第一引线区（22）、第二引线区（32）各自远离第一支撑区（21）、第二支撑区（31）的一端自环氧封装体（1）的同侧向外伸出。6.根据权利要求1所述的全桥式半导体器件，其特征在于：所述第一芯片基板（2）、第二芯片基板（3）为铜基板。
技术总结
本实用新型公开一种全桥式半导体器件，包括：包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚，所述第一芯片基板包括用于与至少两颗芯片连接的第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引线区，所述第二支撑区与第二引线区的连接处并位于靠近第一折弯部一侧边缘处具有一缺口，所述缺口与第一折弯部在水平面上贴近设置；所述支撑部的面积小于芯片下表面的面积且每个所述支撑部位于对应芯片中央区域的正下方。本实用新型可以减少芯片在高温焊接过程中的位置偏移和旋转、改善芯片焊接的位置精度又保证了芯片的位置精度和连接的稳定性，从而提高产品整体的良率和品质。从而提高产品整体的良率和品质。从而提高产品整体的良率和品质。
技术研发人员：何洪运 葛永明 朱建平
受保护的技术使用者：苏州固锝电子股份有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2022/3/1