全桥式半导体器件的制作方法

1.本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种全桥式半导体器件。


背景技术：

2.近年来电源类产品小型化、轻量化发展的趋势越来越显著，对贴片式整流桥产品的功率密度也提出了更高的要求。现有封装结构受限于产品内部空间，难以封装更大尺寸的芯片，限制了整流桥产品功率密度的提升。
3.现有封装结构主要存在以下缺陷：一是封装大尺寸芯片时，芯片间距不足，有芯片碰撞到一起导致产品失效的风险；二是芯片在高温焊接过程中的位置偏移较大，在芯片间距不足的情况下，增加了芯片碰撞到一起的风险。


技术实现要素：

4.本实用新型目的是提供一种全桥式半导体器件，该全桥式半导体器件既可以减少芯片在高温焊接过程中的位置偏移和旋转、改善芯片焊接的位置精度又保证了芯片的位置精度和连接的稳定性，从而提高产品整体的良率和品质。
5.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种全桥式半导体器件，包括：包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚，所述第一芯片基板包括用于与至少两颗芯片连接的第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引线区，所述第二芯片基板包括与第一支撑区平行间隔设置的第二支撑区和垂直于第二支撑区一端并位于第一支撑区远离第一引线区一端外侧的第二引线区，所述第二引线区与第二支撑区的连接处具有一第一折弯部，使得位于第一支撑区外侧的第二引线区的上表面在竖直方向上低于第一支撑区的下表面；
6.所述第二支撑区与第二引线区的连接处并位于靠近第一折弯部一侧边缘处具有一缺口，所述缺口与第一折弯部在水平面上贴近设置，所述第一芯片基板、第二芯片基板上各自用于与芯片连接的区域设置有一支撑部，所述支撑部的面积小于芯片下表面的面积且每个所述支撑部位于对应芯片中央区域的正下方。
7.上述技术方案中进一步改进的方案如下：
8.1. 上述方案中，所述支撑部边缘处的侧表面为坡面。
9.2. 上述方案中，所述缺口为半圆形缺口。
10.3. 上述方案中，所述缺口位于第二支撑区上的芯片下方。
11.4. 上述方案中，所述第一引线区、第二引线区各自远离第一支撑区、第二支撑区的一端自环氧封装体的同侧向外伸出。
12.5. 上述方案中，所述第一芯片基板、第二芯片基板为铜基板。
13.由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：
14.1、本实用新型全桥式半导体器件，其通过第二芯片基板与第一芯片基板邻近部分，即第二引线区上的第一折弯部的设置，将在水平方向上相互靠近的两个芯片基板在竖
直方向上做了空间分离，使得芯片可以安装于芯片基板的边缘处设置从芯片基板的边缘处向外伸出，在不增大产品结构的同时增加同一块芯片基板上多颗芯片间的间距，而不会发生因间距不足导致的相邻芯片之间、芯片与其他芯片基板之间碰撞引起的产品失效问题，提高了整体的加工良率和产品的稳定性；进一步的，通过贴近第一折弯部的缺口的设置，避免因第一折弯部导致第二支撑区边缘处产生变形，进而导致其上芯片倾斜、翘曲或者高度不匹配引起芯片与基板虚接或者焊接不牢的情形，保证芯片的位置精度和连接的稳定性，从而提高产品整体的良率和品质。
15.2、本实用新型全桥式半导体器件，其第一芯片基板、第二芯片基板上各自用于与芯片连接的区域设置有一支撑部，所述支撑部的面积小于芯片下表面的面积且每个所述支撑部位于对应芯片中央区域的正下方，既可以减少芯片在高温焊接过程中的位置偏移和旋转、改善芯片焊接的位置精度，又可以提高环氧与芯片之间的连接强度，提高产品的稳定性。
附图说明
16.附图1为本实用新型全桥式半导体器件的结构示意图；
17.附图2为本实用新型全桥式半导体器件的局部结构示意图；
18.附图3为图1中a-a向剖视图。
19.以上附图中：1、环氧封装体；2、第一芯片基板；21、第一支撑区；22、第一引线区；3、第二芯片基板；31、第二支撑区；32、第二引线区；4、第一引脚；5、第二引脚；6、芯片；61、第一芯片；62、第二芯片；63、第三芯片；64、第四芯片；7、连接片；8、第一折弯部；11、支撑部；12、缺口。
具体实施方式
20.下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
21.实施例1：一种全桥式半导体器件，包括：包覆于环氧封装体1内的第一芯片基板2、第二芯片基板3和一端自环氧封装体1中伸出的第一引脚4、第二引脚5，所述第一芯片基板2包括用于与至少两颗芯片6连接的第一支撑区21和垂直于第一支撑区21一端的第一引线区22，所述第二芯片基板3包括与第一支撑区21平行间隔设置的第二支撑区31和垂直于第二支撑区31一端并位于第一支撑区21远离第一引线区22一端外侧的第二引线区32，所述第二引线区32与第二支撑区31的连接处具有一第一折弯部8，使得位于第一支撑区21外侧的第二引线区32的上表面在竖直方向上低于第一支撑区21的下表面；
22.所述第二支撑区31与第二引线区32的连接处并位于靠近第一折弯部8一侧边缘处具有一缺口12，所述缺口12与第一折弯部8在水平面上贴近设置，所述第一芯片基板2、第二芯片基板3上各自用于与芯片6连接的区域设置有一支撑部11，所述支撑部11的面积小于芯片6下表面的面积且每个所述支撑部11位于对应芯片6中央区域的正下方。
23.上述支撑部11边缘处的侧表面为坡面；上述第一引线区22、第二引线区32各自远离第一支撑区21、第二支撑区31的一端自环氧封装体1的同侧向外伸出。
24.实施例2：一种全桥式半导体器件，包括：包覆于环氧封装体1内的第一芯片基板2、第二芯片基板3和一端自环氧封装体1中伸出的第一引脚4、第二引脚5，所述第一芯片基板2
包括用于与至少两颗芯片6连接的第一支撑区21和垂直于第一支撑区21一端的第一引线区22，所述第二芯片基板3包括与第一支撑区21平行间隔设置的第二支撑区31和垂直于第二支撑区31一端并位于第一支撑区21远离第一引线区22一端外侧的第二引线区32，所述第二引线区32与第二支撑区31的连接处具有一第一折弯部8，使得位于第一支撑区21外侧的第二引线区32的上表面在竖直方向上低于第一支撑区21的下表面；
25.所述第二支撑区31与第二引线区32的连接处并位于靠近第一折弯部8一侧边缘处具有一缺口12，所述缺口12与第一折弯部8在水平面上贴近设置，所述第一芯片基板2、第二芯片基板3上各自用于与芯片6连接的区域设置有一支撑部11，所述支撑部11的面积小于芯片6下表面的面积且每个所述支撑部11位于对应芯片6中央区域的正下方。
26.上述缺口12为半圆形缺口；上述缺口12位于第二支撑区31上的芯片6下方；上述第一芯片基板2、第二芯片基板3为铜基板。
27.采用上述全桥式半导体器件时，其通过第二芯片基板与第一芯片基板邻近部分，即第二引线区上的第一折弯部的设置，将在水平方向上相互靠近的两个芯片基板在竖直方向上做了空间分离，使得芯片可以安装于芯片基板的边缘处设置从芯片基板的边缘处向外伸出，在不增大产品结构的同时增加同一块芯片基板上多颗芯片间的间距，而不会发生因间距不足导致的相邻芯片之间、芯片与其他芯片基板之间碰撞引起的产品失效问题，提高了整体的加工良率和产品的稳定性；
28.进一步的，通过贴近第一折弯部的缺口的设置，避免因第一折弯部导致第二支撑区边缘处产生变形，进而导致其上芯片倾斜、翘曲或者高度不匹配引起芯片与基板虚接或者焊接不牢的情形，保证芯片的位置精度和连接的稳定性，从而提高产品整体的良率和品质；
29.另外，其第一芯片基板、第二芯片基板上各自用于与芯片连接的区域设置有一支撑部，所述支撑部的面积小于芯片下表面的面积且每个所述支撑部位于对应芯片中央区域的正下方，既可以减少芯片在高温焊接过程中的位置偏移和旋转、改善芯片焊接的位置精度，又可以提高环氧与芯片之间的连接强度，提高产品的稳定性。
30.上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。