基板处理装置和基板处理方法与流程

文档序号:31695242发布日期:2022-10-01 04:56阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种基板处理装置,具备:保持部,其用于保持基板;液供给部,其用于对保持于所述保持部的所述基板的第一主表面供给处理液;回收部,其回收在所述基板的处理中使用过的已使用的所述处理液;循环路,其用于使由所述回收部回收到的所述处理液返回到所述液供给部;气体供给部,其对保持于所述保持部的所述基板的与所述第一主表面为相反方向的第二主表面供给气体;以及控制部,其控制所述液供给部和所述气体供给部,其中,所述控制部在使得对所述第一主表面供给通过所述循环路返回到所述液供给部的预定的所述处理液时,使得对所述第二主表面供给所述气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备第二液供给部,所述第二液供给部用于对保持于所述保持部的所述基板的所述第二主表面供给第二处理液,所述控制部在使得对所述第一主表面供给通过所述循环路返回到所述液供给部的预定的所述处理液时,禁止对所述第二主表面供给所述第二处理液,所述禁止的所述第二处理液与通过所述循环路返回到所述液供给部的预定的所述处理液不同。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,所述气体供给部包括用于对所述气体的温度进行调节的温度调节机构。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具备传感器,所述传感器测定形成于所述基板的所述第一主表面的、通过所述循环路返回到所述液供给部的预定的所述处理液的液膜的温度。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,还具备传感器,所述传感器测定形成于所述基板的所述第一主表面的、通过所述循环路返回到所述液供给部的预定的所述处理液的液膜的温度,所述气体供给部包括用于对所述气体的温度进行调节的温度调节机构,所述控制部基于由所述传感器测定出的所述液膜的温度来通过所述温度调节机构调节所述气体的温度,并将调节后的温度的所述气体供给到所述基板的所述第二主表面。6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制部通过所述传感器在多个点测定所述液膜的温度,在所述液膜的温度幅度为阈值以上的情况下,通过所述温度调节机构调节所述气体的温度,并将调节后的温度的所述气体供给到所述基板的所述第二主表面。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,所述气体供给部包括喷嘴,所述喷嘴向保持于所述保持部的所述基板的所述第二主表面的周缘部喷出所述气体。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴沿着保持于所述保持部的所述基板的周缘配置为圆环状、或者配置为多个圆弧状、或者配置为多个点状。9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述喷嘴相对于保持于所述保持部的所述基板的所述第二主表面垂直或倾斜地喷出所述气体。10.根据权利要求7或8所述的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴相对于保持于所述保持部的所述基板的所述第二主表面平行且朝向所述基板的径向外方地喷出所述气体。11.一种基板处理方法,包括:对基板的第一主表面供给处理液;回收在所述基板的处理中使用过的已使用的所述处理液;以及将回收到的所述处理液再利用于其它的所述基板的处理中,所述基板处理方法包括:在对所述基板的所述第一主表面供给再利用的预定的所述处理液时,对所述基板的与所述第一主表面为相反方向的第二主表面供给气体。12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其特征在于,包括:对所述基板的所述第二主表面供给与所述再利用的预定的所述处理液不同的第二处理液;以及在对所述基板的所述第一主表面供给所述再利用的预定的所述处理液时,禁止对所述基板的所述第二主表面供给所述第二处理液。13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法,其特征在于,包括:测定形成于所述基板的所述第一主表面的、所述再利用的预定的所述处理液的液膜的温度;以及在对所述基板的所述第二主表面供给所述气体时,基于所述测定出的所述液膜的温度来调节所述气体的温度。14.根据权利要求13所述的基板处理方法,其特征在于,测定所述液膜的温度包括在多个点测定所述液膜的温度,调节所述气体的温度是在所述液膜的温度幅度为阈值以上的情况下实施的。

技术总结
基板处理装置具备保持部、液供给部、回收部、循环路、气体供给部以及控制部。所述保持部用于保持基板。所述液供给部用于对保持于所述保持部的所述基板的第一主表面供给处理液。所述回收部回收在所述基板的处理中使用过的已使用的所述处理液。所述循环路用于使由所述回收部回收到的所述处理液返回到所述液供给部。所述气体供给部对保持于所述保持部的所述基板的与所述第一主表面为相反方向的第二主表面供给气体。所述控制部控制所述液供给部和所述气体供给部。所述控制部在使得对所述第一主表面供给通过所述循环路返回到所述液供给部的预定的所述处理液时,使得对所述第二主表面供给所述气体。供给所述气体。供给所述气体。


技术研发人员:小佐井一树 篠原和义
受保护的技术使用者:东京毅力科创株式会社
技术研发日:2021.02.15
技术公布日:2022/9/30
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