技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板，其特征在于，包含以下工序：准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板；在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板；以及通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束，从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，作为所述单晶硅基板而使用电阻率为500ω
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cm以上的单晶硅基板。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，当对所述单晶硅基板的至少所述贯穿电极的形成部周边照射了所述粒子束后，形成所述半导体元件及所述贯穿电极。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，当形成了所述半导体元件及所述贯穿电极后，对所述单晶硅基板的至少所述贯穿电极的形成部周边照射所述粒子束。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，作为所述粒子束而照射电子束。6.一种半导体装置，其具备用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板，其特征在于，所述单晶硅基板包含掺杂剂，在所述单晶硅基板的至少所述贯穿电极的形成部周边通过照射粒子束而使所述掺杂剂惰性化。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述单晶硅基板的电阻率是500ω
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cm以上。
技术总结
本发明是一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板，其特征在于，包含以下工序：准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板；在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板；通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束，从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。由此，提供一种半导体装置的制造方法，能够制造改善了传输损耗特性的半导体装置。改善了传输损耗特性的半导体装置。改善了传输损耗特性的半导体装置。
技术研发人员：大槻刚 竹野博
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
技术研发日：2021.05.26
技术公布日：2023/3/13