滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路的制作方法

1.本发明涉及滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路，更特定地涉及用于提高滤波装置的特性的技术。


背景技术：

2.公知有配置了多个lc谐振器的多段型的滤波装置。例如，在日本特开2019-79865号公报(专利文献1)中，公开了在长方体的主体中，4个lc谐振器在一个方向上排列配置的带通滤波器。在日本特开2019-79865号公报(专利文献1)中，公开了将中间的两个谐振器的接地侧的导通孔布线共用化的结构。
3.专利文献1：日本特开2019-79865号公报
4.上述的滤波装置被广泛用于智能手机、移动电话、或者移动电话基站这样的通信装置。在这样的通信装置中，要求通过进一步降低插入损失来提高滤波特性。


技术实现要素：

5.本发明是为了解决这样的课题而完成的，其目的在于，改善包含多个lc谐振器的滤波装置的损失特性。
6.本发明的滤波装置具备主体、接地端子、以及多个谐振器。多个谐振器配置于主体，相互电磁场耦合。多个谐振器包含：第一谐振器，与输入端子连接；第二谐振器，与输出端子连接；以及第三谐振器和第四谐振器。第二谐振器在第一方向上与第一谐振器相邻地配置。第三谐振器在与第一方向正交的第二方向上与第一谐振器相邻地配置。第四谐振器在第一方向上与第三谐振器相邻地配置。在第三谐振器和第四谐振器中，与接地端子连接的路径的一部分被共用化。
7.本发明的滤波装置包含4个谐振器，与输入端子连接的谐振器(第一谐振器)和与输出端子连接的谐振器(第二谐振器)在第一方向上相邻地配置，相对于这些谐振器，在第二方向上配置有两个谐振器(第三谐振器、第四谐振器)。第三谐振器和第四谐振器在第一方向上相邻地配置，与接地端子连接的路径的一部分被共用化。通过使4个谐振器采用上述的配置，能够确保与邻接的谐振器的间隔，因此能够提高滤波装置的q值。另外，中段的谐振器(第三谐振器、第四谐振器)的一部分被共用化，能够加强这些谐振器间的磁耦合，因此能够进一步提高滤波装置的q值。因此，在本发明的滤波装置中，能够改善滤波装置的损失特性。
附图说明
8.图1是具有应用实施方式1的滤波装置的高频前端电路的通信装置的框图。
9.图2是实施方式1的滤波装置的等效电路图。
10.图3是表示图2的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
11.图4是图3的滤波装置的俯视图。
12.图5是比较例的滤波装置的俯视图。
13.图6是用于对实施方式1和比较例的滤波装置的谐振器的配置进行说明的图。
14.图7是用于对实施方式1和比较例的滤波装置中的各模式的差异所引起的电流方向进行说明的图。
15.图8是用于对实施方式1和比较例的滤波装置的通过特性进行说明的图。
16.图9是图8中的插入损失的曲线图的局部放大图。
17.图10是变形例1的滤波装置的俯视图。
18.图11是图10的滤波装置的等效电路图。
19.图12是变形例2的滤波装置的俯视图。
20.图13是变形例3的滤波装置的俯视图。
21.图14是表示变形例4的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
22.图15是表示变形例5的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
23.图16是表示变形例6的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
24.图17是表示变形例7的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
25.图18是表示变形例8的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
26.图19是表示变形例9的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
27.图20是实施方式2的滤波装置的等效电路图。
28.图21是表示图20的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
29.图22是表示变形例10的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
30.图23是表示变形例11的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
31.图24是表示实施方式3的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
32.图25是表示实施方式4的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
33.图26是图25的滤波装置的俯视图。
34.图27是表示变形例12的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
35.图28是图27的滤波装置的俯视图。
36.图29是变形例13的滤波装置的俯视图。
具体实施方式
37.以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。此外，对图中相同或者相当的部分标注相同的附图标记而不重复其说明。
38.[实施方式1]
[0039]
(通信装置的基本结构)
[0040]
图1是具有应用实施方式1的滤波装置的高频前端电路20的通信装置10的框图。通信装置10例如是以智能手机为代表的移动终端或者移动电话基站。
[0041]
参照图1，通信装置10具备天线12、高频前端电路20、混频器30、局部振荡器32、d/a转换器(dac)40、以及rf电路50。另外，高频前端电路20包含带通滤波器22、28、放大器24、以及衰减器26。此外，在图1中，对高频前端电路20包含从天线12发送高频信号的发送电路的情况进行说明，但高频前端电路20也可以包含经由天线12接收高频信号的接收电路。
[0042]
通信装置10将从rf电路50传递的发送信号上变频为高频信号并从天线12发射。从
rf电路50输出的发送信号即调制完毕的数字信号通过d/a转换器40而转换为模拟信号。混频器30将由d/a转换器40从数字信号转换为模拟信号的发送信号与来自局部振荡器32的振荡信号混合而上变频为高频信号。带通滤波器28去除通过上变频而产生的无用波，仅提取所希望的频带的发送信号。衰减器26调整发送信号的强度。放大器24将通过了衰减器26的发送信号电力放大到规定的电平。带通滤波器22去除在放大过程中产生的无用波，并且仅使由通信标准决定的频带的信号成分通过。通过了带通滤波器22的发送信号从天线12发射。
[0043]
作为上述的通信装置10中的带通滤波器22、28，能够采用与本发明对应的滤波装置。
[0044]
(滤波装置的结构)
[0045]
接着使用图2～图4，对实施方式1的滤波装置100的详细的结构进行说明。
[0046]
图2是滤波装置100的等效电路图。参照图2，滤波装置100具备输入端子t1、输出端子t2、以及谐振器rc1～rc4。谐振器rc1～rc4分别是包含电感器和电容器的lc并联谐振器。谐振器rc1与输入端子t1连接，谐振器rc2与输出端子t2连接。谐振器rc3、rc4连接在谐振器rc1与谐振器rc2之间。
[0047]
谐振器rc1包含并联连接的电感器l1和电容器c1。电感器l1和电容器c1的一个连接节点n1a与输入端子t1连接。电感器l1和电容器c1的另一个连接节点n1b与接地端子gnd连接。
[0048]
谐振器rc2包含并联连接的电感器l2和电容器c2。电感器l2和电容器c2的一个连接节点n2a与输出端子t2连接。电感器l2和电容器c2的另一个连接节点n1b与接地端子gnd连接。
[0049]
谐振器rc3包含串联连接的电感器l3、l34、以及与该电感器l3、l34并联连接的电容器c3。电感器l3与电容器c3的连接节点n3a经由电容器c13与谐振器rc1的连接节点n1a(即，输入端子t1)连接。电感器l34与电容器c3的连接节点n3b与接地端子gnd连接。
[0050]
谐振器rc4包含串联连接的电感器l4、l34、以及与该电感器l4、l34并联连接的电容器c4。电感器l4与电容器c4的连接节点n4a经由电容器c24与谐振器rc2的连接节点n2a(即，输出端子t2)连接。电感器l34与电容器c4的连接节点n4b与接地端子gnd连接。即，谐振器rc4与谐振器rc3共用电感器l34。
[0051]
电容器c12连接在连接节点n1a与连接节点n2a之间。另外，电容器c34连接在连接节点n3a与连接节点n4a之间。
[0052]
各谐振器彼此通过电磁场耦合而耦合。这样，滤波装置100具有在输入端子t1与输出端子t2之间配置有相互进行电磁场耦合的4段的谐振器的结构。输入到输入端子t1的高频信号通过谐振器rc1～rc4的电磁场耦合而传递，从输出端子t2输出。此时，仅由各谐振器的谐振频率决定的频带的信号被传递到输出端子t2。即，滤波装置100作为通过调整各谐振器的谐振频率而使所希望的频带的信号通过的带通滤波器发挥功能。
[0053]
图3是表示滤波装置100的层叠构造的一例的分解立体图。另外，图4是图3的滤波装置100中的电介质层ly2的俯视图。
[0054]
参照图3和图4，滤波装置100具备将多个电介质层ly1～ly6沿着规定的方向堆积而形成的长方体或者大致长方体的主体110。在主体110中，将多个电介质层ly1～ly6堆积
的方向设为层叠方向。主体110的各电介质层例如由低温同时烧制陶瓷(ltcc：low temperature co-fired ceramics)等陶瓷或树脂形成。在主体110的内部，通过设置于各电介质层的多个电极和形成在电介质层间的多个导通孔构成用于构成lc谐振器的电感器和电容器。此外，在本说明书中“导通孔”表示为了将设置于不同的电介质层的电极彼此连接而设置的在层叠方向上延伸的导体。导通孔例如由导电膏、电镀和/或金属销等形成。
[0055]
此外，在以后的说明中，将主体110的层叠方向设为“z轴方向”，将与z轴方向垂直且沿着主体110的长边的方向设为“x轴方向”(第一方向)，将沿着主体110的短边的方向设为“y轴方向”(第二方向)。另外，以下，有时将各图中的z轴的正方向称为上侧，将负方向称为下侧。
[0056]
在主体110的上表面111(电介质层ly1)配置有用于确定滤波装置100的方向的方向性标记dm。在主体110的下表面112(电介质层ly6)配置有用于将该滤波装置100和外部设备连接的外部端子即输入端子t1、输出端子t2以及接地端子gnd。输入端子t1、输出端子t2以及接地端子gnd分别是平板状的电极，是规则地配置于主体110的下表面112的lga(land grid array：焊盘栅格阵列)端子。
[0057]
像图2中说明的那样，滤波装置100具有4段的lc并联谐振器rc1～rc4。更具体而言，谐振器rc1包含导通孔v10、v11、电容器电极p1以及平板电极pc1。谐振器rc2包含导通孔v20、v21、电容器电极p2以及平板电极pc2。谐振器rc3包含导通孔v30、v31、电容器电极p3以及平板电极pc34。谐振器rc4包含导通孔v40、v31、电容器电极p4以及平板电极pc34。在谐振器rc3和谐振器rc4中，导通孔v31和平板电极pc34被共用化。
[0058]
谐振器rc1的电容器电极p1设置于电介质层ly4。在从主体110的法线方向(z轴方向)俯视的情况下，电容器电极p1的一部分与设置于电介质层ly5的接地电极pg重叠。通过电容器电极p1和接地电极pg构成图2的电容器c1。电容器电极p1通过导通孔vt11与设置于电介质层ly5的平板电极pt1连接。平板电极pt1通过导通孔vt10与输入端子t1连接。
[0059]
谐振器rc1的平板电极pc1具有大致u字形状。如图4所示，平板电极pc1在电介质层ly2中，配置为u字形状的开口部朝向x轴的正方向。平板电极pc1的一端经由导通孔v10与电容器电极p1连接。平板电极pc1的另一端经由导通孔v11与电介质层ly5的接地电极pg连接。接地电极pg通过多个导通孔vg与接地端子gnd连接。通过平板电极pc1和导通孔v10、v11构成图2的电感器l1。
[0060]
谐振器rc2的电容器电极p2设置于电介质层ly4。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p2的一部分与设置于电介质层ly5的接地电极pg重叠。通过电容器电极p2和接地电极pg构成图2的电容器c2。电容器电极p2通过导通孔vt21与形成于电介质层ly5的平板电极pt2连接。平板电极pt2通过导通孔vt20与输出端子t2连接。
[0061]
谐振器rc2的平板电极pc2与平板电极pc1同样具有大致u字形状。如图4所示，平板电极pc2在电介质层ly2中，配置为u字形状的开口部朝向x轴的负方向。换言之，平板电极pc1与平板电极pc2在电介质层ly2中，使开口部相互对置地在x轴方向上相邻地配置。平板电极pc2的一端经由导通孔v20与电容器电极p2连接。平板电极pc2的另一端经由导通孔v21与电介质层ly5的接地电极pg连接。通过平板电极pc2和导通孔v20、v21构成图2的电感器l2。
[0062]
谐振器rc3的电容器电极p3设置于电介质层ly4。在从主体110的法线方向俯视的
情况下，电容器电极p3的一部分与设置于电介质层ly5的接地电极pg重叠。通过电容器电极p3和接地电极pg构成图2的电容器c3。电容器电极p2通过导通孔v30与设置于电介质层ly2的平板电极pc34连接。
[0063]
如图4所示，平板电极pc34具有大致t字形状。平板电极pc34包含：构成为沿x轴方向延伸的带状电极的第一部分pc341、以及从第一部分pc341的x轴方向的中央部向y轴的负方向突出的第二部分pc342。平板电极pc34的第一部分pc341向y轴的正方向与平板电极pc1、pc2分离地配置。平板电极pc34的第二部分pc342从第一部分pc341朝向平板电极pc1、pc2之间突出。
[0064]
导通孔v30与第一部分pc341中的x轴的负方向的端部(第一端部)连接。在第二部分pc342中的y轴的负方向的端部连接有导通孔v31。导通孔v31与电介质层ly5的接地电极pg连接。通过导通孔v30和第一部分pc341中的从导通孔v30的连接位置到第二部分pc342为止的部分构成图2的电感器l3。另外，通过第二部分pc342和导通孔v31、vg构成图2的电感器l34。
[0065]
谐振器rc4的电容器电极p4设置于电介质层ly4。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p4的一部分与设置于电介质层ly5的接地电极pg重叠。通过电容器电极p4和接地电极pg构成图2的电容器c4。电容器电极p4通过导通孔v40与平板电极pc34的第一部分pc341中的x轴的正方向的端部(第二端部)连接。导通孔v40与第一部分pc341中的从导通孔v40的连接位置到第二部分pc342为止的部分构成图2的电感器l4。
[0066]
在电介质层ly3设置有电容器电极p12、p13、p24、p34。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p12与电介质层ly4的电容器电极p1、p2部分地重叠。通过电容器电极p1、电容器电极p2和电容器电极p12构成图2的电容器c12。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p13与电介质层ly4的电容器电极p1、p3部分地重叠。通过电容器电极p1、电容器电极p3和电容器电极p13构成图2的电容器c13。
[0067]
在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p24与电介质层ly4的电容器电极p2、p4部分地重叠。通过电容器电极p2、电容器电极p4和电容器电极p24构成图2的电容器c24。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p34与电介质层ly4的电容器电极p3、p4部分地重叠。通过电容器电极p3、电容器电极p4和电容器电极p34构成图2的电容器c34。
[0068]
各谐振器的接地侧的导通孔v11～v31沿着x轴方向排列配置，谐振器rc3、rc4中的被共用化的导通孔v31配置在谐振器rc1的导通孔v11与谐振器rc2的导通孔v21之间。通过调整导通孔彼此的间隔，能够调整谐振器间的磁耦合的强度。
[0069]
在平板电极pc34中，通过调整第一部分pc341的长度(即，图4的lg1)和/或第一部分pc341的宽度(图4的w)，能够调整谐振器rc3的电感器l3和谐振器rc3的电感器l4的电感。另外，通过调整平板电极pc34的第二部分pc342的长度lg2，能够调整电感器l34的电感。
[0070]
此外，在以后的说明中，将像导通孔v10、v20、v30、v40那样在各谐振器中经由电容器与接地端子gnd连接的导通孔称为“第一导通孔”。另外，将像导通孔v11、v21、v31那样在各谐振器中不经由电容器与接地端子gnd连接的导通孔称为“第二导通孔”。
[0071]
上述的多段型的层叠lc滤波装置被广泛用于智能手机、移动电话或者移动电话基站这样的通信装置。在这样的通信装置中，出于通信品质的提高和设备的电力消耗的降低
等目的，对于滤波装置也要求插入损失的进一步的降低。
[0072]
在实施方式1的滤波装置100中，对该滤波装置中包含的多个谐振器的配置进行研究，并且，通过调整谐振器间的磁耦合的强度而提高插入损失。以下，一边与以往公知的滤波装置的结构进行比较，一边对实施方式1的滤波装置100的特征的详细情况进行说明。
[0073]
图5是在比较例的滤波装置100x中配置有各谐振器的平板电极的电介质层的俯视图。在滤波装置100x中，采用4个谐振器rc1x～rc4x沿x轴方向排列的结构。
[0074]
参照图5，滤波装置100x在主体110x中，在x轴的负方向的短边侧配置有谐振器rc1x，在x轴的正方向的短边侧配置有谐振器rc2x。谐振器rc3x、rc4x配置在谐振器rc1x与谐振器rc2x之间。
[0075]
谐振器rc1x包含平板电极pc1x和导通孔v10x、v11x。平板电极pc1x具有y轴的正方向开放的大致u字形状。在平板电极pc1x中与第一导通孔对应的导通孔v10x与一端连接，与第二导通孔对应的导通孔v11x与另一端连接。
[0076]
谐振器rc2x包含平板电极pc2x和导通孔v20x、v21x。平板电极pc2x也与平板电极pc1x同样具有y轴的正方向开放的大致u字形状。在平板电极pc2x中与第一导通孔对应的导通孔v20x与一端连接，与第二导通孔对应的导通孔v21x与另一端连接。
[0077]
谐振器rc3x包含平板电极pc34x和导通孔v30x、v31x。另外，谐振器rc4x包含平板电极pc34x和导通孔v40x、v31x。即，与实施方式1的滤波装置100同样，谐振器rc3x的平板电极和谐振器rc4x的平板电极一体构成，接地侧的导通孔v31x被共用化。
[0078]
平板电极pc34x具有大致y字形状，具有：具有在y轴的负方向上开放的u字形状的第一部分pc341x、以及从该第一部分的中央部向y轴的正方向突出的第二部分pc342x。在第一部分pc341x中的谐振器rc1x侧的端部连接有v30x，在谐振器rc2x侧的端部连接有v40x。在第二部分pc342x连接有共用化的导通孔v31x。
[0079]
图6是用于对实施方式1的滤波装置100和比较例的滤波装置100x的谐振器的配置进行说明的图。在图6的左图(a)表示滤波装置100中的各谐振器的概略配置，在右图(b)表示比较例的滤波装置100x中的各谐振器的概略配置。
[0080]
如图6所示，在实施方式1的滤波装置100中，输入侧的谐振器rc1和输出侧的谐振器rc2在主体110的长边方向(x轴方向)上相邻地配置，中段的谐振器rc3和谐振器rc4也在x轴方向上相邻地配置。而且，谐振器rc1和谐振器rc2的组(第一谐振器组)与谐振器rc3和谐振器rc4的组(第二谐振器组)在y轴方向上相邻地配置。另一方面，在比较例的滤波装置100x中，朝向主体110x的x轴的正方向，按照谐振器rc1x、rc3x、rc4x、rc2x的顺序配置。
[0081]
在比较例的滤波装置100x中，由于一维地配置4个谐振器，因此难以确保邻接的谐振器中的导体部分的间隔。特别是，中段的谐振器rc3x、rc4x中的各个谐振器被配置为夹于两个谐振器，因此若与一个谐振器的间隔变宽，则与另一个谐振器的间隔变窄。因此，在滤波装置100x这样的谐振器的配置中成为不能增大q值的状态。
[0082]
与此相对，在实施方式1的滤波装置100中，在x轴方向上配置有两个谐振器，并且在y轴方向上也配置有两个谐振器。即，在滤波装置100中，二维地配置有4个谐振器。因此，例如通过将各谐振器的导体配置为接近主体110的外周缘，从而邻接的谐振器彼此的间隔变宽。因此，即使在电介质层的整体的面积相同的情况下也能够增大q值，能够降低滤波装置的损失。
[0083]
另外，在实施方式1的滤波装置100中，与比较例的滤波装置100x的平板电极pc34x相比，中段的谐振器rc3、rc4的平板电极pc34为直线的形状。通常，若在信号传递路径(即，电流路径)中存在屈曲的部分，则在该屈曲部分，电流容易集中。这样，电流集中的部分的损失变大。在比较例的平板电极pc34x中，在从导通孔v30x和导通孔v40x到导通孔v31x的路径中分别产生两次屈曲部分。与此相对，在实施方式1的平板电极pc34中，在从导通孔v30和导通孔v40到导通孔v31的路径中，分别仅产生一次屈曲部分。因此，从这点来看，滤波装置100与比较例的滤波装置100x相比，能够降低损失。
[0084]
并且，实施方式1的平板电极pc34的形状与比较例的平板电极pc34x相比，存在不容易产生特性的偏差这样的优点。图7是用于对实施方式1和比较例的滤波装置中的各模式的电流方向进行说明的图。在图7中，在上段表示比较例的情况，在下段表示实施方式1的情况。
[0085]
参照图7，在通常在两个传送路径中传递高频信号的情况下，存在在各传送路径中流过相同方向的电流的第一模式(even mode：偶模)以及流过相互相反方向的电流的第二模式(odd mode：奇模)。例如，在上述的滤波装置100的谐振器rc3、rc4的情况下，在第一模式中，在谐振器rc3中电流从导通孔v30向导通孔v31流动，在谐振器rc4中电流从导通孔v40向导通孔v31流动。另一方面，在第二模式中，例如在谐振器rc3中电流从导通孔v30向导通孔v31流动，在谐振器rc4中电流从导通孔v31向导通孔v40流动。此外，在第二模式的情况下，流入导通孔v31的电流与从导通孔v31流出的电流相抵消，因此结果为，电流从导通孔v30向导通孔v40流动。此外，比较例的滤波装置100x也同样。
[0086]
这里，在制造过程中，考虑平板电极pc34、pc34x的形状产生偏差的情况。在比较例中，容易产生平板电极pc34x的u字形状的第一部分的y轴方向的尺寸的偏差和位置偏移。在该情况下也是，在第一模式中，谐振器rc3x中的包含导通孔的电流路径(导通孔v30x+箭头ar10、ar12+导通孔31x)的路径长度与谐振器rc4x中的包含导通孔的电流路径(导通孔v40x+箭头ar11、ar12+导通孔v31x)的路径长度几乎没有变化。然而，在第二模式的情况下，电流路径为箭头ar20、ar22、ar21，因此若第一部分的y轴方向的尺寸变动，则从导通孔v30x到导通孔v40x为止的路径长度变动。这样，会产生对滤波特性的影响。
[0087]
另一方面，在实施方式1的滤波装置100中，由于从导通孔v30到导通孔v40为止的路径为直线，因此即使假设平板电极pc34的尺寸有偏差，第一模式中的电流路径(箭头ar15、ar17：箭头ar16、ar17)和第二模式中的电流路径(箭头ar25)的路径长度也几乎没有变化。
[0088]
像以上那样，与比较例的滤波装置100x相比，在实施方式1的滤波装置100中因平板电极的形状的偏差引起的对滤波特性的影响变小。
[0089]
图8是用于对实施方式1的滤波装置100和比较例的滤波装置100x的通过特性进行说明的图。在图8中，在横轴表示频率，在纵轴表示滤波装置的插入损失(ln10、ln11)和反射损失(ln15、ln16)。此外，实线ln10、ln15表示实施方式1的滤波装置100的情况，虚线ln11、ln16表示比较例的滤波装置100x的情况。另外，图9是图8中的插入损失的曲线图的局部放大图。
[0090]
参照图8和图9，实施方式1的滤波装置100和比较例的滤波装置100x中，通带内(3.8～5.2ghz)的反射损失和非通带的衰减特性为大致相同程度的特性。然而，如图9所示，
关于通带内的插入损失的峰值，相对于比较例的滤波装置100x的情况下的1.52db，在实施方式1的滤波装置100的情况下为1.37db，可知改善了约10％左右。
[0091]
像以上那样，在包含4个谐振器的滤波装置中，二维地排列谐振器而确保导体间的间隔，并且将中段的谐振器的一部分共用化而加强磁耦合，由此能够提高q值，其结果为，能够降低滤波装置的损失。
[0092]
[变形例1～3]
[0093]
在变形例1～3中，对在主体110的电介质层ly2中，构成谐振器rc3、rc4的平板电极的形状的不同的方式进行说明。
[0094]
(变形例1)
[0095]
图10是变形例1的滤波装置100a的俯视图。参照图10，在滤波装置100a中，采用将图3所示的滤波装置100中的电介质层ly2的平板电极pc34替换为平板电极pc34a的结构。平板电极pc34a构成为与平板电极pc34的第一部分pc341对应的带状电极，即，平板电极pc34a采用去除了平板电极pc34中的第二部分pc342的形状。
[0096]
而且，与接地电极pg连接的共用化的导通孔v31在平板电极pc34a中连接在与第一端部连接的导通孔v30和与第二端部连接的导通孔v40之间。在滤波装置100a中，通过调整导通孔v30与导通孔v31的距离lg11以及导通孔v40与导通孔v31的距离lg12，能够调整谐振器rc3中的电感器l3的电感值以及谐振器rc4中的电感器l4的电感值。
[0097]
图11是图10的滤波装置100a的等效电路图。在滤波装置100a中，如上述那样，与滤波装置100相比，导通孔v31的位置被变更为y轴的正方向。与之相伴，删除图3的电介质层ly3中的电容器电极p34。因此，在滤波装置100a中，如图11的等效电路所示，成为从图3的等效电路中去除了谐振器rc3的连接节点n3a和谐振器rc4的连接节点n4a之间的电容器c34的电路。
[0098]
在这样的滤波装置100a中，与谐振器rc1、rc2的排列方向平行地配置谐振器rc3、rc4，并且谐振器rc3、rc4中的到达接地端子的路径的一部分被共用化。因此，滤波装置的q值提高，结果为，改善滤波装置中的损失特性。
[0099]
此外，在实施方式1的滤波装置100中，共用化的导通孔v31配置在谐振器rc1的导通孔v11与谐振器rc2的导通孔v21之间。因此，谐振器rc1与谐振器rc3、rc4之间的磁耦合以及谐振器rc2与谐振器rc3、rc4之间的磁耦合比较强，但另一方面，谐振器rc1与谐振器rc4之间的磁耦合由于导通孔v31的影响稍微变弱。
[0100]
另一方面，在变形例1的滤波装置100a的结构中，共用化的导通孔v31的位置为与实施方式1的滤波装置100的情况相比向y轴的正方向移动的位置。因此，与实施方式1的滤波装置100的情况相比，谐振器rc1与谐振器rc3、rc4之间的磁耦合以及谐振器rc2与谐振器rc3、rc4之间的磁耦合变弱。然而，由于在谐振器rc1的导通孔v11与谐振器rc2的导通孔v12之间不存在共用化的导通孔v31，因此与滤波装置100的情况相比，谐振器rc1与谐振器rc4之间的磁耦合变强。
[0101]
即，通过改变共用化的导通孔v31的y轴方向的位置，能够调整谐振器间的磁耦合的强度。
[0102]
(变形例2)
[0103]
图12是变形例2的滤波装置100b的俯视图。参照图12，在滤波装置100b中，采用滤
波装置100中的电介质层ly2的平板电极pc34被替换为平板电极pc34b的结构。平板电极pc34b为大致e字形状，包含构成为沿x轴方向延伸的带状电极的第一部分pc341b、从该第一部分pc341b向y轴的负方向突出的3个突出部分(第二部分pc342b、第三部分pc343b、第四部分pc344b)。
[0104]
更详细地，第二部分pc342b从第一部分pc341b中沿着延伸方向(x轴方向)的中央部朝向平板电极pc1、pc2之间突出。第三部分pc343b从第一部分pc341b的x轴的负方向的端部(第一端部)朝向平板电极pc1突出。第四部分pc344b从第一部分pc341b的x轴的正方向的端部(第二端部)朝向平板电极pc2突出。
[0105]
谐振器rc3中的导通孔v30与第三部分pc343b连接。另外，谐振器rc4中的导通孔v40与第四部分pc344b连接。与接地电极pg连接的共用化的导通孔v31配置在第二部分pc342b。
[0106]
通过采用这样的结构，与滤波装置100的情况相比，能够加长谐振器rc3、rc4中的导通孔v30与导通孔v31之间的距离以及导通孔v40与导通孔v31之间的距离(与箭头lg20对应)。由此，能够调整谐振器rc3中的电感器l3、谐振器rc4中的电感器l4以及共用化的电感器l34中的各个电感器。
[0107]
另外，平板电极pc34b中的第一部分pc341b与平板电极pc1和平板电极pc2的间隔(与箭头lg21对应)变宽。由此，与实施方式1的滤波装置100的情况相比，能够减弱谐振器rc1与谐振器rc3之间的磁耦合以及谐振器rc2与谐振器rc4之间的磁耦合。
[0108]
在这样的滤波装置100b中，也与谐振器rc1、rc2的排列方向平行地配置谐振器rc3、rc4，并且谐振器rc3、rc4中的到达接地端子的路径的一部分被共用化。因此，滤波装置的q值提高，结果为，改善滤波装置中的损失特性。
[0109]
(变形例3)
[0110]
图13是变形例3的滤波装置100c的俯视图。参照图13，在滤波装置100c中，采用滤波装置100中的电介质层ly2的平板电极pc34被替换为平板电极pc34c的结构。平板电极pc34c为大致y字形状，包含构成为沿x轴方向延伸的带状电极的第一部分pc341c、从该第一部分pc341c向y轴方向突出的3个突出部分(第二部分pc342c、第五部分pc345c、第六部分pc346c)。
[0111]
更详细地，第二部分pc342c从第一部分pc341c中沿着延伸方向(x轴方向)的中央部朝向平板电极pc1、pc2之间突出。第五部分pc345c从第一部分pc341c的x轴的负方向的端部(第一端部)朝向与平板电极pc1相反的方向(y轴的正方向)突出。第六部分pc346c从第一部分pc341c的x轴的正方向的端部(第二端部)朝向与平板电极pc2相反的方向(y轴的正方向)突出。
[0112]
谐振器rc3中的导通孔v30与第五部分pc345c连接。另外，谐振器rc4中的导通孔v40与第六部分pc346c连接。与接地电极pg连接的共用化的导通孔v31配置于第二部分pc342c。
[0113]
通过采用这样的结构，与滤波装置100的情况相比，谐振器rc3、rc4中的导通孔v30与导通孔v31之间的距离以及导通孔v40与导通孔v31之间的距离(与箭头lg25对应)变长。由此，能够调整谐振器rc3中的电感器l3、谐振器rc4中的电感器l4以及共用化的电感器l34中的各个电感器。
[0114]
另外，平板电极pc34c中的第一部分pc341c与平板电极pc1和平板电极pc2的间隔(与箭头lg26对应)变窄。由此，与实施方式1的滤波装置100的情况相比，能够加强谐振器rc1与谐振器rc3之间的磁耦合以及谐振器rc2与谐振器rc4之间的磁耦合。
[0115]
在这样的滤波装置100c中，也与谐振器rc1、rc2的排列方向平行地配置谐振器rc3、rc4，并且谐振器rc3、rc4中的到达接地端子的路径的一部分被共用化。因此，滤波装置的q值提高，结果为，改善滤波装置中的损失特性。
[0116]
[变形例4～6]
[0117]
在变形例4～6中，对用于调整各谐振器间的磁耦合的方式进行说明。
[0118]
(变形例4)
[0119]
图14是表示变形例4的滤波装置100d的层叠构造的一例的分解立体图。在滤波装置100d中，具有主体110d的电介质层ly2中的各谐振器的平板电极作为平板电极pcd而一体化的结构。更具体而言，在实施方式1的图4中，平板电极pcd具有供谐振器rc1的导通孔v11连接的平板电极pc1的端部以及供谐振器rc2的导通孔v21连接的平板电极pc2的端部与构成谐振器rc3、rc4的平板电极pc34的第二部分pc342连接的形状。即，谐振器rc1的导通孔v11、谐振器rc2的导通孔v21以及谐振器rc3、rc4的导通孔v31作为一个导通孔v31d而共用化。导通孔v31d将电介质层ly2的平板电极pcd和电介质层ly5的接地电极pg连接。此外，其他的结构与图3所示的滤波装置100同样，不重复共用的要素的说明。
[0120]
在滤波装置100d中，4个谐振器rc1～rc4通过共用导通孔v31d而连接。由此，与实施方式1的滤波装置100的情况相比，各谐振器间的磁耦合变强，因此滤波装置的q值进一步提高。因此，能够改善滤波装置中的损失特性。
[0121]
(变形例5)
[0122]
图15是表示变形例5的滤波装置100e的层叠构造的一例的分解立体图。概略地说，滤波装置100e具有图3所示的实施方式1的滤波装置100与图14所示的变形例4的滤波装置100d之间的中间的结构，在各谐振器中到达接地端子gnd的导通孔在设置于电介质层的平板电极的下层一体化。
[0123]
参照图15更详细地进行说明。此外，在图15中，对与图3的滤波装置100相同的要素标注相同的参照符号。
[0124]
滤波装置100e具备将多个电介质层ly11～ly17沿着规定的方向堆积而形成的长方体或者大致长方体的主体110e。在主体110e的上表面111(电介质层ly11)配置有用于确定滤波装置100e的方向的方向性标记dm。在主体110e的下表面112(电介质层ly17)配置有用于将该滤波装置100e和外部设备连接的外部端子即输入端子t1、输出端子t2和接地端子gnd。
[0125]
滤波装置100e与实施方式1的滤波装置100同样，具有4段的lc并联谐振器rc1～rc4。谐振器rc1包含导通孔v10、v11e、电容器电极p1和平板电极pc1。谐振器rc2包含导通孔v20、v21e、电容器电极p2和平板电极pc2。谐振器rc3包含导通孔v30、v31e、电容器电极p3和平板电极pc34。谐振器rc4包含导通孔v40、v31e、电容器电极p4和平板电极pc34。在谐振器rc3和谐振器rc4中，导通孔v31e和平板电极pc34被共用化。
[0126]
与滤波装置100同样，在电介质层ly12设置有谐振器rc1中包含的平板电极pc1、谐振器rc2中包含的平板电极pc2、以及在谐振器rc3、rc4中被共用化的平板电极pc34。
[0127]
在电介质层ly13配置有构成为沿x轴方向延伸的带状电极的平板电极pa1。谐振器rc1的导通孔v11e与平板电极pc1和平板电极pa1连接。谐振器rc2的导通孔v12e与平板电极pc2和平板电极pa1连接。另外，在谐振器rc3、rc4中被共用化的导通孔v31e从平板电极pc34穿过该平板电极pa1而与设置于电介质层ly16的接地电极pg连接。换言之，谐振器rc1的导通孔v11e和谐振器rc2的导通孔v21e通过平板电极pa1而与谐振器rc3、rc4的导通孔v31e共用化。
[0128]
此外，关于从电介质层ly14到电介质层ly17的结构，除了上述的共用化的导通孔v31e之外，采用与图3的滤波装置100的从电介质层ly3到电介质层ly6的结构分别对应的结构。因此，不重复从电介质层ly14到电介质层ly17的详细的说明。
[0129]
这样，在变形例5的滤波装置100e中，谐振器rc1、rc2中的、从电介质层ly12的平板电极到达接地电极pg的路径的一部分与谐振器rc3、rc4的导通孔v31e共用化。由此，与实施方式1的滤波装置100的情况相比能够加强各谐振器间的磁耦合。因此，与实施方式1的滤波装置100相比，滤波装置的q值进一步提高，改善滤波装置中的损失特性。
[0130]
此外，滤波装置100e中的各谐振器间的磁耦合比变形例4的滤波装置100d中的各谐振器间的磁耦合弱。即，通过调整将各谐振器的接地侧的导通孔共用化的位置(电介质层)，能够微调谐振器间的磁耦合。
[0131]
(变形例6)
[0132]
图16是表示变形例6的滤波装置100f的层叠构造的一例的分解立体图。概略地说，滤波装置100f具有图3所示的实施方式1的滤波装置100中的平板电极pc34的第二部分pc342配置于与第一部分pc341不同的层的结构。
[0133]
参照图16更详细地进行说明。与图10的滤波装置100a同样，在主体110f的电介质层ly12中，在谐振器rc3、rc4中一体化的平板电极pc34f构成为沿x轴方向延伸的带状电极。另外，在电介质层ly13配置有构成为沿y轴方向延伸的带状电极的平板电极pa2。
[0134]
在谐振器rc3、rc4中共用化的接地侧的导通孔v31f1与平板电极pc34f的中央部和平板电极pa2的一端连接。平板电极pa2的另一端经由导通孔v31f2与电介质层ly16的接地电极pg连接。即，在滤波装置100f中，采用在谐振器rc3、rc4中共用化的接地侧的导通孔在与配置有平板电极pc34f的位置(电介质层ly12)不同的位置(电介质层ly13)偏移的结构。
[0135]
从电介质层ly13到电介质层ly16为止延伸的导通孔v31f2与图3中的导通孔v31同样，配置在谐振器rc1的导通孔v11与谐振器rc2的导通孔v12之间。这里，滤波装置100f的导通孔v31f2比实施方式1的滤波装置100的导通孔v31短，与滤波装置100的情况相比，相互对置的区域变少。因此，与滤波装置100的情况相比，谐振器rc1、rc2与谐振器rc3、rc4的磁耦合变弱。
[0136]
另一方面，导通孔v31f2的长度比导通孔v11、v21的长度短，因此产生导通孔v11与导通孔v21直接对置的区域。由此，与滤波装置100的情况相比，谐振器rc1与谐振器rc2之间的磁耦合变强。
[0137]
这样，在变形例6的滤波装置100f中，通过在中段的谐振器rc3、rc4的共用化的接地侧的导通孔的延伸方向的中间部偏移，能够调整各谐振器间的磁耦合。
[0138]
[变形例7～9]
[0139]
在变形例7～9中，对如下的结构进行说明，通过提高与输入端子t1连接的谐振器
rc1的输入阻抗以及与输出端子t2连接的谐振器rc2的输出阻抗，而实现小型化和特性提高。
[0140]
(变形例7)
[0141]
图17是表示变形例7的滤波装置100g的层叠构造的一例的分解立体图。概略地说，滤波装置100g具有实施方式1的滤波装置100中的输入侧谐振器rc1的平板电极pc1和输出侧谐振器rc2的平板电极pc2构成为复绕式线圈的结构。此外，在图17中，从电介质层ly14到电介质层ly17采用与图3的滤波装置100的从电介质层ly3到电介质层ly6分别对应的结构，因此不重复从电介质层ly14到电介质层ly17的详细的说明。
[0142]
参照图17，在主体110g的电介质层ly12配置有构成谐振器rc1的一部分的平板电极pc1g2、构成谐振器rc2的一部分的平板电极pc2g2、以及构成谐振器rc3、rc4的一部分的平板电极pc34。另外，在电介质层ly13设置有平板电极pc1g1和平板电极pc2g1。平板电极pc1g1、pc1g2、pc2g1、pc2g2中的各个构成为将层叠方向(z轴方向)作为卷绕轴的环形状。
[0143]
平板电极pc1g2的一端经由导通孔v11与设置于电介质层ly16的接地电极pg连接。平板电极pc1g2的另一端经由导通孔v10g2与电介质层ly13的平板电极pc1g1的一端连接。平板电极pc1g1的另一端经由导通孔v10g1与电介质层ly15的电容器电极p1连接。通过平板电极pc1g1、pc1g2和导通孔v10g2构成将z轴方向作为卷绕方向的复绕线圈。通过该结构，能够增大由导通孔v10g1、v10g2、v11和平板电极pc1g1、pc1g2构成的电感器l1的电感，因此能够提高谐振器rc1的阻抗(即，滤波装置100f的输入阻抗)。
[0144]
另外，平板电极pc2g2的一端经由导通孔v21与设置于电介质层ly16的接地电极pg连接。平板电极pc2g2的另一端经由导通孔v20g2与电介质层ly13的平板电极pc2g1的一端连接。平板电极pc2g1的另一端经由导通孔v20g1与电介质层ly15的电容器电极p2连接。通过平板电极pc2g1、pc2g2和导通孔v20g2构成将z轴方向作为卷绕方向的复绕线圈。通过该结构，能够增大由导通孔v20g1、v20g2、v21和平板电极pc2g1、pc2g2构成的电感器l2的电感，因此能够提高谐振器rc2的阻抗(即，滤波装置100f的输出阻抗)。
[0145]
通过将输入输出阻抗高阻抗化，从而与该滤波器连接的外部设备的耦合程度变大，因此对于外部设备的q值降低。由此，能够实现通带内的反射损失的降低和宽带域化。
[0146]
(变形例8)
[0147]
在变形例7中，对通过构成将层叠方向(z轴方向)作为卷绕轴的复绕型线圈而提高输入输出阻抗的结构进行了说明。在变形例8中，对通过构成将与层叠方向正交的方向作为卷绕轴的复绕型线圈而提高输入输出阻抗的结构进行说明。
[0148]
图18是表示变形例8的滤波装置100h的层叠构造的一例的分解立体图。在主体110h的电介质层ly12配置有构成谐振器rc1的一部分的平板电极pc11、pc13、构成谐振器rc2的一部分的平板电极pc21、pc23、以及构成谐振器rc3、rc4的一部分的平板电极pc34。另外，在电介质层ly13设置有平板电极pc12和平板电极pc22。此外，在图18的滤波装置100h中，不重复与图17重复的要素的说明。
[0149]
平板电极pc11、pc13、pc21、pc23构成为沿x轴方向延伸的带状电极。平板电极pc11、pc13平行地配置于比平板电极pc34的第二部分pc342靠x轴的负方向的区域。另外，平板电极pc21、pc23平行地配置于比上述第二部分pc342靠x轴的正方向的区域。
[0150]
平板电极pc11的x轴的负方向的端部经由导通孔v10与电介质层ly15的电容器电
极p1连接。平板电极pc11的x轴的正方向的端部经由导通孔vc11与设置于电介质层ly13的平板电极pc12的一端连接。平板电极pc12的另一端经由导通孔vc12与平板电极pc12的x轴的负方向的端部连接。平板电极pc12的x轴的正方向的端部经由导通孔v11与电介质层ly16的接地电极pg连接。通过平板电极pc11～pc13和导通孔vc11、vc12构成将y轴方向作为卷绕方向的复绕型线圈。通过该结构，由导通孔v10、v11、vc11、vc12和平板电极pc11～pc13构成的电感器l1的电感变大，因此滤波装置100h的输入阻抗变高。
[0151]
另外，平板电极pc21的x轴的正方向的端部经由导通孔v20与电介质层ly15的电容器电极p2连接。平板电极pc21的x轴的负方向的端部经由导通孔vc21与设置于电介质层ly13的平板电极pc22的一端连接。平板电极pc22的另一端经由导通孔vc22与平板电极pc22的x轴的正方向的端部连接。平板电极pc22的x轴的负方向的端部经由导通孔v21与电介质层ly16的接地电极pg连接。通过平板电极pc21～pc23和导通孔vc21、vc22构成将y轴方向作为卷绕方向的复绕型线圈。通过该结构，由导通孔v20、v21、vc21、vc22和平板电极pc21～pc23构成的电感器l2的电感变大，因此滤波装置100h的输出阻抗变高。
[0152]
此外，在图18中，对谐振器rc1、rc2中的复绕型线圈将y轴方向作为卷绕轴的例子进行了说明，但只要卷绕轴的方向是与z轴方向正交的方向即可，例如也可以是将x轴方向作为卷绕轴的线圈。
[0153]
在变形例8的滤波装置100g的结构中也是，由于输入输出阻抗变高，因此实现谐振频率的低频率化、滤波装置的小型化、通带内的反射损失的降低以及宽带域化。
[0154]
(变形例9)
[0155]
图19是表示变形例9的滤波装置100i的层叠构造的一例的分解立体图。概略地说，滤波装置100i采用将图14所示的变形例4的滤波装置100d的结构和图17所示的变形例7的滤波装置100g的结构组合而得的结构。换言之，在主体110i的电介质层ly12中，作为各谐振器的一部分而构成的平板电极与滤波装置100d同样构成为一个平板电极pci，并且在谐振器rc1、rc2中构成将层叠方向作为卷绕轴的复绕型的线圈。
[0156]
参照图19，主体110i的电介质层ly12中的平板电极pci通过共用化的导通孔v31i而与电介质层ly16的接地电极pg连接。在平板电极pci中，与图3的平板电极pc1对应的环状的部分的端部经由导通孔v10i2与设置于电介质层ly13的环状的平板电极pc11的一端连接。平板电极pc11的另一端经由导通孔v10i1与电介质层ly15的电容器电极p1连接。通过平板电极pci、pc11和导通孔v10i2构成将层叠方向作为卷绕轴的复绕型的线圈。
[0157]
另外，在平板电极pci中，与图3的平板电极pc2对应的环状的部分的端部经由导通孔v20i2与设置于电介质层ly13的环状的平板电极pc21的一端连接。平板电极pc21的另一端经由导通孔v20i1与电介质层ly15的电容器电极p2连接。通过平板电极pci、pc21和导通孔v20i2构成将层叠方向作为卷绕轴的复绕型的线圈。
[0158]
此外，不重复滤波装置100i中与图17的滤波装置100g重复的要素的说明。
[0159]
像滤波装置100i那样，通过将各谐振器的接地侧的导通孔共用化而加强谐振器间的磁耦合，由此改善滤波装置中的损失特性。另外，通过在输入侧谐振器和输出侧谐振器中构成复绕型线圈而提高输入输出阻抗，从而实现谐振频率的低频率化、滤波装置的小型化、通带内的反射损失的降低以及宽带域化。
[0160]
[实施方式2]
[0161]
在实施方式1中，对滤波装置包含4个谐振器的结构进行了说明。在实施方式2中，对滤波装置包含6个谐振器的结构进行说明。
[0162]
图20是实施方式2的滤波装置100j的等效电路图。参照图20，滤波装置100j具备输入端子t1、输出端子t2、以及谐振器rc1～rc6。谐振器rc1～rc6分别是包含电感器和电容器的lc并联谐振器。谐振器rc1与输入端子t1连接，谐振器rc2与输出端子t2连接。谐振器rc3～rc6连接在谐振器rc1与谐振器rc2之间。概略地说，滤波装置100j采用在图2中说明的滤波装置100中的谐振器rc3与谐振器rc4之间进一步连接有谐振器rc5、rc6的结构。
[0163]
谐振器rc1包含并联连接的电感器l1和电容器c1。电感器l1和电容器c1的一个连接节点n1a与输入端子t1连接。电感器l1和电容器c1的另一个连接节点n1b与接地端子gnd连接。
[0164]
谐振器rc2包含并联连接的电感器l2和电容器c2。电感器l2和电容器c2的一个连接节点n2a与输出端子t2连接。电感器l2和电容器c2的另一个连接节点n1b与接地端子gnd连接。
[0165]
谐振器rc3包含串联连接的电感器l3、l36、以及与该电感器l3、l36并联连接的电容器c3。电感器l3与电容器c3的连接节点n3a经由电容器c13与谐振器rc1的连接节点n1a(即，输入端子t1)连接。电感器l36与电容器c3的连接节点n3b与接地端子gnd连接。
[0166]
谐振器rc4包含串联连接的电感器l4、l36、以及与该电感器l4、l36并联连接的电容器c4。电感器l4与电容器c4的连接节点n4a经由电容器c24与谐振器rc2的连接节点n2a(即，输出端子t2)连接。电感器l36与电容器c4的连接节点n4b与接地端子gnd连接。
[0167]
谐振器rc5包含串联连接的电感器l5、l36、以及与该电感器l5、l36并联连接的电容器c5。电感器l5与电容器c5的连接节点n5a经由电容器c35与谐振器rc3的连接节点n3a连接。电感器l36与电容器c5的连接节点n5b与接地端子gnd连接。
[0168]
谐振器rc6包含串联连接的电感器l6、l36、以及与该电感器l6、l36并联连接的电容器c6。电感器l6与电容器c6的连接节点n6a经由电容器c46与谐振器rc4的连接节点n4a连接。电感器l36与电容器c6的连接节点n6b与接地端子gnd连接。如上述那样，谐振器rc3～rc6共用电感器l36。
[0169]
电容器c12连接在连接节点n1a与连接节点n2a之间(即，输入端子t1与输出端子t2之间)。另外，电容器c34连接在连接节点n3a与连接节点n4a之间。并且，电容器c56连接在连接节点n5a与连接节点n6a之间。
[0170]
各谐振器彼此通过电磁场耦合而耦合。这样，滤波装置100j具有在输入端子t1与输出端子t2之间配置有相互进行电磁场耦合的4段的谐振器的结构。输入到输入端子t1的高频信号通过谐振器rc1～rc6的电磁场耦合而传递，从输出端子t2输出。此时，仅由各谐振器的谐振频率决定的频带的信号向输出端子t2传递。即，滤波装置100j作为通过调整各谐振器的谐振频率而使所希望的频带的信号通过的带通滤波器发挥功能。
[0171]
图21是表示图20的滤波装置100j的层叠构造的一例的分解立体图。在图21中，对与图3所示的实施方式1的滤波装置100相同的要素使用相同的参照符号。不重复与图3重复的要素的说明。
[0172]
参照图21，滤波装置100j具备将多个电介质层ly21～ly26沿着规定的方向堆积而形成的长方体或者大致长方体的主体110j。主体110j的各电介质层由ltcc等陶瓷或者树脂
形成。
[0173]
在主体110j的上表面111(电介质层ly21)配置有用于确定滤波装置100j的方向的方向性标记dm。在主体110j的下表面112(电介质层ly26)配置有用于将该滤波装置100j和外部设备连接的外部端子即输入端子t1、输出端子t2和多个接地端子gnd。多个接地端子gnd分别通过对应的导通孔vg与设置于电介质层ly25的接地电极pg连接。
[0174]
像图20中说明的那样，滤波装置100j具有6段的lc并联谐振器rc1～rc6。更具体而言，谐振器rc1包含导通孔v10、v11、电容器电极p1和平板电极pc1。谐振器rc2包含导通孔v20、v21、电容器电极p2和平板电极pc2。谐振器rc3～rc6包含导通孔v30、v40、v50、v60、以及共用化的平板电极pcj和导通孔v31j。
[0175]
共用化的平板电极pcj设置于电介质层ly22，包含构成为沿x轴方向延伸的带状电极的第一部分pcj1和第三部分pcj3、以及将该第一部分pcj1和第三部分pcj3连接的第二部分pcj2。第二部分pcj2从第一部分pcj1和第三部分pcj3的中央部向y轴方向延伸。
[0176]
平板电极pcj的第一部分pcj1从分别构成谐振器rc1、rc2的一部分的平板电极pc1、pc2向y轴的正方向相邻地配置。平板电极pcj的第三部分pcj3从第一部分pcj1进一步向y轴的正方向相邻地配置。即，第一部分pcj1配置在第三部分pcj3与平板电极pc1、pc2之间。
[0177]
第二部分pcj2经由导通孔v31j与电介质层的接地电极pg连接。导通孔v31j在谐振器rc3～rc6中，作为共用化的接地侧的导通孔发挥功能。
[0178]
在第一部分pcj1的x轴的负方向的端部连接有导通孔v30。通过第一部分pcj1和导通孔v30、v31j构成谐振器rc3。在第一部分pcj1的x轴的正方向的端部连接有导通孔v40。通过第一部分pcj1和导通孔v40、v31j构成谐振器rc4。
[0179]
在第三部分pcj3的x轴的负方向的端部连接有导通孔v50。导通孔v50与设置于电介质层ly24的电容器电极p5连接。在从主体110j的法线方向俯视的情况下，电容器电极p5的一部分与接地电极pg重叠。通过电容器电极p5和接地电极pg构成图20的电容器c5。另外，在从主体110j的法线方向俯视的情况下，电容器电极p5的一部分也与设置于电介质层ly23的平板电极p35重叠。平板电极p35与导通孔v30连接。通过电容器电极p5和平板电极p35构成图20的电容器c35。
[0180]
在第三部分pcj3的x轴的正方向的端部连接有导通孔v60。导通孔v60与设置于电介质层ly24的电容器电极p6连接。在从主体110j的法线方向俯视的情况下，电容器电极p6的一部分与接地电极pg重叠。通过电容器电极p6和接地电极pg构成图20的电容器c6。另外，在从主体110j的法线方向俯视的情况下，电容器电极p6的一部分也与设置于电介质层ly23的平板电极p46重叠。平板电极p46与导通孔v40连接。通过电容器电极p6和平板电极p46构成图20的电容器c46。
[0181]
另外，在从主体110j的法线方向俯视的情况下，电容器电极p5的一部分和电容器电极p6的一部分也与设置于电介质层ly23的平板电极p56重叠。通过电容器电极p5、p6和平板电极p56构成图20的电容器c56。
[0182]
已知通过增加谐振器的段数，通带外的衰减特性的改善和宽带域设计变得容易。然而，在以相同的制品尺寸增加谐振器的段数的情况下，通过使主体内的谐振器间的间隔变窄而降低q值，结果为存在损失增加而通过特性恶化的情况。
[0183]
像实施方式2的滤波装置100j那样，通过使在沿着主体的长边的方向(x轴方向)上配置两个谐振器而得的谐振器组在沿着主体的短边的方向(y轴方向)上相邻地配置，能够在主体内尽量增大各谐振器组的间隔。并且，在一部分的谐振器中，通过将接地侧的导通孔共用化，而加强谐振器间的磁耦合。通过这些结构，与将多个谐振器在一个方向上相邻地配置的滤波装置相比，q值提高。因此，改善滤波装置中的损失特性。
[0184]
[变形例10、11]
[0185]
在变形例10、11中，对在包含6段的谐振器的滤波装置中，通过变更构成谐振器rc3～rc6的一部分的平板电极的结构而调整谐振器间的磁耦合的方式进行说明。
[0186]
(变形例10)
[0187]
图22是表示变形例10的滤波装置100k的层叠构造的一例的分解立体图。概略地说，滤波装置100k采用如下的结构，将图21所示的实施方式2的滤波装置100j中的平板电极pcj分离为谐振器rc3、rc4用的平板电极和谐振器rc5、rc6用的平板电极，将谐振器rc5、rc6用的平板电极配置于不同的位置(电介质层)。
[0188]
参照图22更详细地进行说明。滤波装置100k具备将多个电介质层ly31～ly37沿着规定的方向堆积而形成的长方体或者大致长方体的主体110k。此外，图22中的电介质层ly31、ly34～ly37与图21中的电介质层ly21、ly23～ly26分别对应。在图22中，不重复与图21重复的要素的说明。
[0189]
在主体110k的电介质层ly32设置有构成谐振器rc1的一部分的平板电极pc1、构成谐振器rc2的一部分的平板电极pc2、以及对于谐振器rc3、rc4共用化的平板电极pc34k。另外，在电介质层ly33设置有对于谐振器rc5、rc6共用化的平板电极pc56k。
[0190]
平板电极pc34k包含沿x轴方向延伸的第一部分、以及从该第一部分向y轴的正方向突出的第二部分。在平板电极pc34k的第一部分的一端连接有谐振器rc3的导通孔v30，在另一端连接有谐振器rc4的导通孔v40。
[0191]
平板电极pc56k包含沿x轴方向延伸的第一部分、以及从该第一部分向y轴的负方向突出的第二部分。在平板电极pc56k的第一部分的一端连接有谐振器rc5的导通孔v50。在平板电极pc56k的第一部分的另一端连接有谐振器rc6的导通孔v60，但在图22中，导通孔v60被隐藏在其他的要素的背后。
[0192]
在从法线方向俯视主体110k的情况下，平板电极pc34k的第二部分的一部分与平板电极pc56k的第二部分的一部分重叠，通过穿过该重叠的部分的导通孔v31k，将平板电极pc34k和平板电极pc56k与电介质层ly36的接地电极pg连接。
[0193]
在滤波装置100k中，构成谐振器rc3、rc4的一部分的平板电极pc34k与构成谐振器rc5、rc6的一部分的平板电极pc56k设置于不同的电介质层，因此与实施方式2的滤波装置100j相比，在导通孔v31k中共用化的部分的长度变短。另外，谐振器rc5、rc6中的导通孔v50、v60的长度比谐振器rc3、rc4中的导通孔v30、v40的长度短，因此导通孔彼此的对置区域变短。因此，在滤波装置100k中，与滤波装置100j的情况相比，谐振器rc3、rc4与谐振器rc5、rc6的磁耦合变弱。
[0194]
像变形例10的滤波装置100k那样，通过将谐振器rc3、rc4中使用的平板电极和谐振器rc5、rc6中使用的平板电极配置在不同的电介质层，能够调整谐振器间的磁耦合。
[0195]
(变形例11)
[0196]
图23是表示变形例11的滤波装置100l的层叠构造的一例的分解立体图。概略地说，滤波装置100l采用图21所示的实施方式2的滤波装置100j中的平板电极pcj的第二部分pcj2设置于不同的电介质层的结构。此外，在图23中，不重复与图21和图22重复的要素的说明。
[0197]
参照图23，在主体110l的电介质层ly32中，除了构成谐振器rc1的一部分的平板电极pc1和构成谐振器rc2的一部分的平板电极pc2之外，还配置有构成谐振器rc3、rc4的一部分的平板电极pc34l和构成谐振器rc5、rc6的一部分的平板电极pc56l。平板电极pc34l与滤波装置100j中的平板电极pcj的第一部分pcj1对应，平板电极pc56l与滤波装置100j中的平板电极pcj的第三部分pcj3对应。
[0198]
在平板电极pc34l的中央部连接有导通孔v31l。另外，在平板电极pc56l的中央部连接有导通孔v51l。导通孔v31l和导通孔v51l分别与设置于电介质层ly33的平板电极pa3连接。平板电极pa3构成为在电介质层ly33中沿y轴方向延伸的带状电极。在平板电极pa3的中央部连接有导通孔v35l。平板电极pa3经由导通孔v35l与电介质层ly36的接地电极pg连接。
[0199]
通过采用这样的结构，能够调整谐振器rc3、rc4与谐振器rc5、rc6之间的接地侧导通孔的共用化区域。在滤波装置100l中，与图21的滤波装置100j的情况相比，谐振器rc3、rc4与谐振器rc5、rc6之间的接地侧导通孔的共用化区域变小。因此，滤波装置100l中的谐振器rc3、rc4与谐振器rc5、rc6的磁耦合比滤波装置100j中的谐振器rc3、rc4与谐振器rc5、rc6的磁耦合弱。
[0200]
像变形例11的滤波装置100l那样，通过利用不同的电介质层将谐振器rc3、rc4中使用的平板电极和谐振器rc5、rc6中使用的平板电极连接，能够调整谐振器rc3、rc4与谐振器rc5、rc6的磁耦合。
[0201]
[实施方式3]
[0202]
在实施方式3中，对通过在各谐振器中将构成电感器的一部分的平板电极中的各个平板电极多层化而降低滤波装置的插入损失的结构进行说明。
[0203]
图24是表示实施方式3的滤波装置100m的层叠构造的一例的分解立体图。参照图24，概略地说，滤波装置100m采用图3中说明的实施方式1的滤波装置100中的电介质层ly2的结构设置于多个电介质层的结构。此外，在图24的滤波装置100m中，不重复与图3的滤波装置100重复的要素的说明。
[0204]
滤波装置100m具备将多个电介质层ly41～ly47沿着规定的方向堆积而形成的立方体或者大致长方体的主体110m。主体110m中的电介质层ly41和电介质层ly43～ly47与图3中的电介质层ly1～ly6分别对应。
[0205]
在电介质层ly43设置有平板电极pc1m、pc2m、pc34m。平板电极pc1m、pc2m、pc34m分别具有与电介质层ly42的平板电极pc1、pc2、pc34相同的形状。
[0206]
平板电极pc1m与平板电极pc1并联地连接于导通孔v10、v11。平板电极pc2m与平板电极pc2并联地连接于导通孔v20、v21。平板电极pc34m与平板电极pc34并联地连接于导通孔v30、v31、v40。
[0207]
这样，通过将各谐振器中的平板电极多层化，从而降低流过各平板电极的电流，因此降低各谐振器的电感器中的电力损失。由此，在滤波装置中通带的插入损失降低而提高
通过特性。
[0208]
[实施方式4]
[0209]
在实施方式4中，对抑制谐振器的性能的降低并且实现小型化的结构进行说明。
[0210]
图25是表示实施方式4的滤波装置100n的层叠构造的一例的分解立体图。另外，图26是从层叠方向观察滤波装置100n的从电介质层到电介质层的部分时的俯视图。滤波装置100n的等效电路与图2所示的滤波装置100同样。
[0211]
参照图25和图26，滤波装置100n在具有多个电介质层ly51～ly60的主体110n内设置有谐振器rc1～rc4。
[0212]
谐振器rc1包含导通孔v10、v10n、v11、电容器电极p1、以及平板电极pc10n、pc10n1、pc11n、pc11n1。谐振器rc2包含导通孔v20、v20n、v21、电容器电极p2、以及平板电极pc20n、pc20n1、pc21n、pc21n1。
[0213]
另外，谐振器rc3包含导通孔v30、v31、电容器电极p3、以及平板电极pc34n、pc34n1。谐振器rc4包含导通孔v40、v41、电容器电极p4、以及平板电极pc34n、pc34n1。此外，在谐振器rc3和谐振器rc4中，将导通孔v31和平板电极pc34n、pc34n1共用化。
[0214]
在主体110的上表面111(电介质层ly51)配置有用于确定滤波装置100的方向的方向性标记dm。在主体110的下表面112(电介质层ly60)配置有用于将该滤波装置100n和外部设备连接的外部端子即输入端子t1、输出端子t2和接地端子gnd。
[0215]
输入端子t1通过导通孔vt10与设置于电介质层ly59的平板电极pt1连接。平板电极pt1通过导通孔vt11与设置于电介质层ly57的谐振器rc1的电容器电极p1连接。
[0216]
在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p1的一部分与设置于电介质层ly58的电容器电极pt11重叠。电容器电极pt11经由导通孔vg1与电介质层ly59的接地电极pg连接。另外，接地电极pg经由导通孔vg与接地端子gnd连接。因此，通过电容器电极p1和电容器电极p11构成图2的电容器c1。
[0217]
电容器电极p1经由导通孔v10与电介质层ly54的平板电极pc11n以及电介质层ly55的平板电极pc11n1的一端连接。平板电极pc11n、pc11n1都构成为相同的大致c字形状。平板电极pc11n、pc11n1的另一端经由导通孔v10n与电介质层ly52的平板电极pc10n以及电介质层ly53的平板电极pc10n1的一端连接。平板电极pc10n、pc10n1都构成为相同的大致c字形状。平板电极pc10n、pc10n1的另一端经由导通孔v11与电介质层ly59的接地电极pg连接。通过平板电极pc10n、pc10n1、pc11n、pc11n1和导通孔v10、v10n、v11构成图2的电感器l1。
[0218]
输出端子t2通过导通孔vt20与设置于电介质层ly59的平板电极pt2连接。平板电极pt2通过导通孔vt21与设置于电介质层ly57的谐振器rc2的电容器电极p2连接。
[0219]
在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p2的一部分与设置于电介质层ly58的电容器电极pt12重叠。电容器电极pt12经由导通孔vg2与电介质层ly59的接地电极pg连接。通过电容器电极p2和电容器电极p12构成图2的电容器c2。
[0220]
电容器电极p2经由导通孔v20与电介质层ly54的平板电极pc21n和电介质层ly55的平板电极pc21n1的一端连接。平板电极pc21n、pc21n1都构成为相同的大致c字形状。平板电极pc21n、pc21n1的另一端经由导通孔v20n与电介质层ly52的平板电极pc12n和电介质层ly53的平板电极pc20n1的一端连接。平板电极pc20n、pc20n1都构成为相同的大致c字形状。
平板电极pc20n、pc20n1的另一端经由导通孔v21与电介质层ly59的接地电极pg连接。通过平板电极pc20n、pc20n1、pc21n、pc21n1和导通孔v20、v20n、v21构成图2的电感器l2。
[0221]
在从主体110的法线方向俯视的情况下，谐振器rc1的电容器电极p1和谐振器rc2的电容器电极p2与设置于电介质层ly56的电容器电极p12部分地重叠。通过电容器电极p1、p2、p12构成图2的电容器c12。
[0222]
谐振器rc1的导通孔v10也与电介质层ly56中沿y轴方向延伸的电容器电极p13连接。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p13的一部分与设置于电介质层ly57的谐振器r3的电容器电极p3重叠。通过电容器电极p3和电容器电极p13构成图2的电容器c13。电容器电极p3经由导通孔v30与电介质层ly52的平板电极pc34n和电介质层ly53的平板电极pc34n1连接。
[0223]
谐振器rc2的导通孔v20也与电介质层ly56中沿y轴方向延伸的电容器电极p24连接。在从主体110的法线方向俯视的情况下，电容器电极p24的一部分与设置于电介质层ly57的谐振器r4的电容器电极p4重叠。通过电容器电极p4和电容器电极p24构成图2的电容器c24。电容器电极p4经由导通孔v40与电介质层ly52的平板电极pc34n和电介质层ly53的平板电极pc34n1连接。
[0224]
平板电极pc34n、pc34n1各自都具有相同的大致e字形状。如图26所示，平板电极pc34n包含：构成为沿x轴方向延伸的带状电极的第一部分pc341n、以及从该第一部分pc341n向y轴的正方向延伸的3个突出部分(第二部分pc342n、第三部分pc343n、第四部分pc344n)。第二部分pc342n从第一部分pc341n中沿着延伸方向(x轴方向)的中央部朝向平板电极pc10n、pc20n之间延伸。第三部分pc343n从第一部分pc341n的x轴的负方向的端部(第一端部)朝向y轴的正方向延伸。第四部分pc344n从第一部分pc341n的x轴的正方向的端部(第二端部)朝向y轴的正方向延伸。此外，平板电极pc34n1也具有与平板电极pc34n相同的形状。
[0225]
谐振器rc3的导通孔v30与平板电极pc34n、pc34n1中的第三部分的端部连接。谐振器rc4的导通孔v40与平板电极pc34n、pc34n1中的第三部分的端部连接。
[0226]
在平板电极pc34n、pc34n1中的第二部分的端部连接有在谐振器rc3、rc4中共用化的导通孔31。导通孔v31与电介质层ly59的接地电极pg连接。
[0227]
在从主体110的法线方向俯视的情况下，谐振器rc3的电容器电极p3和谐振器rc4的电容器电极p4与设置于电介质层ly56的电容器电极p34部分地重叠。通过电容器电极p3、p4、p34构成图2的电容器c34。
[0228]
如上述那样，实施方式4的滤波装置100n的等效电路基本上与实施方式1的滤波装置100相同，在x轴方向上配置有两个谐振器，并且在y轴方向上也配置有两个谐振器。由此，邻接的谐振器彼此的间隔变宽，因此在电介质层的整体的面积相同的情况下也是，q值变大，降低滤波装置的损失。
[0229]
并且，在实施方式4的滤波装置100n中，如图26所示，与输入端子t1连接的谐振器rc1配置于由构成谐振器rc3的平板电极pc34n的第一部分pc341n、第二部分pc342n和第三部分pc343n围起的区域。另外，与输出端子t2连接的谐振器rc2配置于由构成谐振器rc4的平板电极pc34n的第一部分pc341n、第二部分pc342n和第四部分pc344n围起的区域。
[0230]
通过采用这样的谐振器的配置，对于第2个谐振器rc3和第3个谐振器rc4，加长与
平板电极连接的导通孔间的距离，因此谐振器的电感变大。在降低谐振频率或者将滤波装置小型化的情况下，通常增大谐振器的电容或电感。然而，若增大电容，则q值反而会降低。因此，像滤波装置100n那样，通过加长平板电极的线路长度来增大电感，能够抑制q值的降低，并且实现谐振频率的降低和/或小型化。
[0231]
另外，在4段滤波器中，通过与输入端子t1连接的谐振器rc1和与输出端子t2连接的谐振器rc4的交叉耦合而产生衰减极。因此，若与输入输出端子连接的导通孔与配置在滤波装置的外部的其他设备或壳体的屏蔽耦合，则滤波特性有可能受到影响。
[0232]
在实施方式4的滤波装置100n中，在从层叠方向俯视主体110的情况下，谐振器rc1和谐振器rc4设置在谐振器rc2、rc3的内侧，因此与输入输出端子连接的导通孔配置在比谐振器rc2、rc3靠主体110的中央的位置。因此，与输入输出端子连接的导通孔配置在主体110的周边附近的情况相比，抑制与输入输出端子连接的导通孔与外部屏蔽的耦合，因此抑制由外部屏蔽引起的对滤波特性的影响。
[0233]
(变形例12)
[0234]
图27是表示变形例12的滤波装置100p的层叠构造的一例的分解立体图。另外，图28是从层叠方向观察滤波装置100p的从电介质层到电介质层的部分时的俯视图。
[0235]
在滤波装置100p中，将实施方式4的滤波装置100n中的电介质层ly52的各平板电极和接地电极pg连接的导通孔为在中途被共用化的结构。在图27和图28中，不重复与图25和图26重复的部分的说明。
[0236]
参照图27和图28，滤波装置100p具备将多个电介质层ly71～ly80沿着规定的方向堆积而形成的长方体或者大致长方体的主体110p。
[0237]
在主体110p中，构成谐振器rc1的平板电极pc10n、pc10n1的一端与导通孔v11连接。导通孔v11从电介质层ly72延伸到电介质层ly75，利用电介质层ly74与平板电极pc50连接，利用电介质层ly75与平板电极pc51连接。平板电极pc50、pc51分别为在电介质层ly74和电介质层ly75中沿x轴方向延伸的直线状的电极。
[0238]
在平板电极pc50、pc51连接有与构成谐振器rc2的平板电极pc20、pc20n的一端连接的导通孔v21以及与构成谐振器rc3、rc4的平板电极pc34n、pc34n1的一端连接的导通孔v31。导通孔v21与导通孔v11同样，从电介质层ly72延伸到电介质层ly75。另一方面，导通孔v31从电介质层ly72延伸到电介质层ly79，与接地电极pg连接。即，通过平板电极pc50、pc51，将导通孔v11、v21与导通孔v31共用化。
[0239]
这样，通过将从构成谐振器的平板电极到接地电极pg为止的导通孔共用化，与实施方式4的滤波装置100n的情况相比，谐振器rc1与谐振器rc2之间的磁耦合、谐振器rc1与谐振器rc3之间的磁耦合、以及谐振器rc2与谐振器rc4之间的磁耦合变得更强。若谐振器间的磁耦合变强，则阻抗变高，因此通带宽度的扩大和/或通带宽度附近的衰减的急剧度提高。
[0240]
(变形例13)
[0241]
图29是从层叠方向观察变形例13的滤波装置100q时的俯视图。在滤波装置100q中，采用构成谐振器rc1的平板电极pc1q的一端和构成谐振器rc2的平板电极pc2q的一端都与谐振器rc3、rc4中的导通孔v31连接的结构。即，平板电极pc1q、pc2q、pc34q通过共用的导通孔v31与接地电极pg连接。这样，通过利用共用的导通孔v31将全部的谐振器rc1～rc4与
接地电极pg连接，从而与变形例12的情况相比，各谐振器间的磁耦合更强。因此，通带宽度的扩大和衰减的急剧性进一步提高。
[0242]
并且，在变形例13的滤波装置100q中，与输入输出端子连接的导通孔v10、v20配置在比滤波装置100n、100p更靠主体110的中央的位置。因此，在滤波装置100q中，能够进一步抑制由于外部屏蔽引起的滤波特性的降低。
[0243]
此外，在上述的实施方式和各变形例中“谐振器rc1”～“谐振器rc6”与本发明的“第一谐振器”～“第六谐振器”分别对应。
[0244]
应该认为这次公开的实施方式在全部的方面是例示而不是限制。本发明的范围不是上述的实施方式的说明而是由权利要求来表示，旨在包含与权利要求均等的含义和范围内的全部的变更。
[0245]
附图标记的说明
[0246]
10
…
通信装置；12
…
天线；20
…
高频前端电路；22、28
…
带通滤波器；24
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放大器；26
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衰减器；30
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混频器；32
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局部振荡器；40
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d/a转换器；50
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rf电路；100、100a～100n、100p、100q、100x
…
滤波装置；110、110d～110n、110p、110q、110x
…
主体；111
…
上表面；112
…
下表面；c1～c6、c12、c13、c24、c34、c35、c46、c56
…
电容器；dm
…
方向性标记；gnd
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接地端子；l1～l6、l34～l36
…
电感器；ly1～ly6、ly11～ly17、ly21～ly26、ly31～ky37、ly41～ly47、ly51～ly60、ly71～ly80
…
电介质层；n1a～n6a、n1b～n6b
…
连接节点；p1～p6、p12、p13、p24、p34
…
电容器电极；p34、p35、p46、p56、pa1～pa3、pc1、pc1g1、pc1g2、pc1m、pc1x、pc2、pc2g1、pc2g2、pc2m、pc2x、pc10n、pc10n1、pc11～pc13、pc11n、pc11n1、pc20n、pc20n1、pc21～pc23、pc21n、pc21n1、pc34、pc34a～pc34c、pc34f、pc34k～pc34m、pc34x、pc50、pc51、pc56k、pc56l、pcd、pci、pcj、pt1、pt2、pt11～pt14
…
平板电极；pg
…
接地电极；rc1～rc6、rc1x～rc4x
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谐振器；t1
…
输入端子；t2
…
输出端子；v10～v12、v10g1、v10g2、v10i1、v10i2、v10n、v10x、v11e、v11x、v12e、v20、v20g1、v20g2、v20i1、v20i2、v20n、v20x、v21、v21e、v21x、v30、v30x、v31e、v31、v31d、v31e、v31f1、v31f2、v31i～v31k、v31x、v35l、v40、v40x、v50、v51l、v60、vc11、vc12、vc21、vc22、vg、vg1、vg2、vt10、vt11、vt20、vt21
…
导通孔。