高透明度半导体金属界面的制作方法

背景技术：

1、本发明涉及半导体装置，且更具体来说，涉及促进高透明度半导体-金属界面的技术。

技术实现思路

1、以下给出了概述以提供对本发明的一个或多个实施例的基本理解。本概述不旨在标识关键或重要元素，或描绘特定实施例的任何范围或权利要求的任何范围。其唯一目的是以简化形式呈现概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在本文描述的一个或多个实施例中，描述了可以促进高透明度半导体-金属界面的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。

2、根据一个实施例，一种方法可以包括在晶片上形成绝缘体上硅(soi)。该方法还可以包括在soi上沉积金属。该方法还可以包括通过干法蚀刻金属和干法蚀刻soi来形成结构。该方法还可以包括在该结构上形成模板。该方法还可以包括蚀刻以去除soi在金属下面的部分。该方法还可以包括在其中soi的部分被去除的位置生长半导体。

3、根据另一实施例，一种方法可包括通过蚀刻硅元件的一部分以进行去除来形成包括金属元件和硅元件的模板结构。该方法可进一步包括通过在硅元件的该部分被去除的位置生长半导体而在金属元件与半导体之间产生界面。

4、根据另一实施例，一种方法可包括形成腔结构，所述腔结构包含包括金属元件的第一侧壁和包括硅元件的第二侧壁。该方法还可以包括使用硅元件作为成核籽晶在腔结构内生长半导体，以在金属元件和半导体之间形成界面。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据前一权利要求所述的方法，其中，所述金属包括：tin、超导体、非超导体、铁磁性金属或其组合。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述模板确定所述半导体的几何形状。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，生长所述半导体是使用金属有机气相外延movpe来实现的。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述半导体的生长期间，原位形成所述金属与所述半导体之间的界面。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

8.一种方法，包括：

9.根据前一权利要求所述的方法，其中所述硅元件包括：绝缘体上硅、多晶硅或其组合。

10.根据前述两项权利要求中任一项所述的方法，其中，在蚀刻之后保留的所述硅元件的剩余部分提供成核籽晶，所述半导体的生长从所述成核籽晶开始。

11.根据前述三项权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体是iii-v族半导体。

12.根据前述四项权利要求中任一项所述的方法，其中所述模板结构还包括覆盖所述金属元件和所述硅元件的电介质层。

13.根据前述五项权利要求中任一项所述的方法，还包括：

14.根据前述六项权利要求中任一项所述的方法，其中所述硅元件包括(110)晶体取向。

15.根据前述七项权利要求中任一项所述的方法，其中所述模板结构形成在硅晶片上。

16.一种方法，包括：

17.根据前一权利要求所述的方法，其中所述腔结构覆盖绝缘体上硅晶片。

18.根据前述两项权利要求中任一项所述的方法，其中形成所述腔结构包括：

19.根据前述三项权利要求中任一项所述的方法，其中，所述腔结构的长度与用于形成所述腔结构的蚀刻时间相对应。

20.根据前述四项权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体的高度由覆盖所述腔结构的电介质层的厚度确定。

21.根据前述五项权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体的生长由所述腔结构的一个或多个几何形状引导。

技术总结
提供了可以促进高透明度半导体‑金属界面的技术。在一个示例中，一种方法可以包括在晶片上形成绝缘体上硅(SOI)。该方法还可以包括在SOI上沉积金属。该方法还可以包括通过干法蚀刻金属和干法蚀刻SOI来形成结构。该方法还可以包括在该结构上形成模板。该方法还可以包括蚀刻以去除所述SOI在所述金属下面的部分。该方法还可以包括生长其中SOI的部分被去除的半导体。

技术研发人员：M·里特尔,F·尼凯莱,H·施密德,H·瑞尔
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13