1.一种用于制造半导体本体的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤中的一个步骤：
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述功能性的层序列包括至少一个构成用于光发射的有源区域。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，构成台地结构包括：
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在外延沉积所述第一层期间产生层序列的步骤中，沉积薄的分离层，尤其未掺杂的分离层，使得所述第一层划分为朝向所述载体的区域和背离所述载体的区域。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在外延沉积所述第一层期间产生层序列的步骤中，将具有至少2种不同的掺杂浓度的掺杂质引入所述第一层中。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，产生层序列的步骤包括：产生未多孔化的区域，其方式是：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述结构化的掩模中的尺寸选择为略微大于所述第一层的在所述结构化的掩模之下的一个或多个不要多孔化的区域。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述功能性的层序列构成具有在经多孔化的区域之上的构成用于发射第一波长的光的有源区域和在未多孔化的区域之上的用于发射第二波长的光的有源区域。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的方法，其中所述凹陷部，尤其呈沟槽的形式的凹陷部具有在5nm至500nm的范围中的宽度，尤其在20nm至300nm的范围中和更尤其小于200nm的宽度，其中所述沟槽可选地延伸直至所述辅助载体。
11.根据权利要求3至10中任一项所述的方法，其中，两个彼此相邻的沟槽具有在400nm至4μm的范围中，尤其在800nm至2.5μm的范围中和尤其小于2μm的间距。
12.根据权利要求3至11中任一项所述的方法，其中，台地结构的宽度和沟槽的宽度之间的比值处于4至15的范围中，尤其处于8至12的范围中，并且尤其处于9.5至10.5的范围中。
13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，平坦的所述第三层的晶格常数与所述第二层的晶格常数偏离在0.2％和3％之间的范围中，尤其在0.5％至2.7％的范围中。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一层和所述第二层具有以下材料中的至少一种材料：
15.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二层具有未掺杂的gan并且平坦的所述第三层包括含铟的材料，其中铟份额在0.0001％至25％之间的范围中。
16.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在具有纤锌矿结构的材料中将聚结面定向为，使得所述聚结面垂直于a轴[1120]。
17.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，外延产生功能性的层序列包括：
18.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，外延产生功能性的层序列包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第三层的材料形成跨越所述台地结构的背离所述载体的端部区域的桥。
20.一种半导体装置，包括：
21.根据权利要求20所述的半导体装置，其中所述凹陷部的宽度为两个相邻的凹陷部之间的间距的大约1/5至1/20。
22.根据权利要求20或21所述的半导体装置，其中所述第一层包括至少一个未多孔化的区域，所述未多孔化的区域由经多孔化的区域至少部分地包围。
23.根据权利要求22所述的半导体装置，其中所述至少一个未多孔化的区域与所述经多孔化的区域通过形成所述台地结构的沟槽而分离。
24.根据权利要求20至23中任一项所述的半导体装置，其中所述功能性的层序列包括多量子阱结构，所述多量子阱结构施加在所述第三层上。
25.根据权利要求20至24中任一项所述的半导体装置，其中所述多量子阱结构的位于所述第一层的经多孔化的区域之上的第一区域构成用于发射第一波长的光，并且所述多量子阱结构的位于所述第一层的未多孔化的区域之上的第二区域构成用于发射较短的第二波长的光。
26.根据权利要求20至25中任一项所述的半导体装置，其中所述第一层包括具有第一孔隙度的第一子区域并且包括具有第二孔隙度的第二子区域，其中所述第一子区域与所述第二子区域通过可选的分离层分离。
27.根据权利要求20至26中任一项所述的半导体装置，其中所述第一层包括n型掺杂并且所述第二层是未掺杂的，其中所述第一层和所述第二层具有相同的基础材料。
28.根据权利要求20至27中任一项所述的半导体装置，其中所述第二层包括未掺杂的gan层并且所述第三层包括ingan，其中铟份额在0.0001％至25％的范围中，尤其在5％至20％的范围中。