半导体芯片封装除泡设备及除泡方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体芯片封装除泡设备及除泡方法。


背景技术：

2.半导体封装是保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤、增强芯片的散热性能、实现电气连接、确保电路正常工作的包装方式。
3.半导体芯片与外界通过封装提供的线路进行信号、电气连接，藉由外界提供的稳定电源作用于芯片实现既有的逻辑动作。在设计端，实现既有的逻辑动作常常需要数颗芯片同时进行电气以及信号的连接才可以实现，芯片之间往往通过半导体载板或者硅连接板进行连接。这样在电气连接作用时芯片本身或电气线路时会产生大量的热能。
4.如果封装中存在气泡，在芯片长时间使用过程中热能会加速芯片气泡中的破裂从而使芯片容易受到周围环境的影响，降低芯片的使用寿命，从而引起芯片提前报废。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种半导体芯片封装除泡设备及除泡方法，用以去除半导体芯片封装结构中存在的气泡。
6.为实现上述目的，本发明提供了一种半导体芯片封装除泡设备，包括加热装置、压力调节装置和外罩；所述外罩设有密闭空间和承载部，所述承载部设置于所述密闭空间内，所述加热装置和所述压力调节装置均与所述密闭空间连通，所述加热装置用于调节密闭空间内的温度，所述压力调节装置用于调整所述密闭空间内的压力。
7.本发明的半导体芯片封装除泡设备的有益效果在于：通过所述外罩提供所述密闭空间，在所述密闭空间内对半导体封装芯片进行加工，便于实现压力和温度的调整。通过设置所述承载部便于对待加工的半导体封装芯片进行支撑，通过设置所述加热装置和所述压力调节装置便于对所述密闭空间内的压力和温度进行调整，且通过压力和温度的调整能够将半导体芯片封装结构内的大气泡抽出，并将小气泡溶解在封装结构内，进而去除半导体芯片封装结构中的气泡，保证半导体封装芯片的电气可靠性和使用寿命。
8.在一种可行的方案中，还包括气流流通装置；所述气流流通装置与所述密闭空间连通，所述气流流通装置用于带动所述密闭空间内的气体流通。其有益效果在于：通过设置所述气流流通装置能够带动所述密闭空间内的气体流动，促进所述密闭空间内的温度的均匀度，使得待加工的半导体封装芯片的均匀受热。
9.在一种可行的方案中，所述承载部内设有第一流通通道，所述承载部与所述外罩之间形成第二流通通道，所述气流流通装置用于带动所述密闭空间内的气体沿所述第一流通通道和所述第二流通通道流通。其有益效果在于：通过设置所述第一流通通道和所述第二流通通道，使得所述密闭空间内的气流按照所述第一流通通道和所述第二流通通道的方向进行流通，能够降低气流对半导体封装芯片的影响。
10.在一种可行的方案中，所述气流流通装置包括驱动机构和桨叶；所述桨叶设置于所述密闭空间内，且所述桨叶设置于所述驱动机构的转动部，所述驱动机构用于带动所述桨叶转动。其有益效果在于：通过所述驱动机构带动所述桨叶转动，促进所述密闭空间内的气体流通。
11.在一种可行的方案中，所述驱动机构设置于所述外罩外侧，所述驱动机构的转动部延伸至所述密闭空间。其有益效果在于：通过将所述驱动机构设置于所述外罩外侧，能够降低所述密闭空间内温度和压力变化对所述驱动机构的影响，同时通过所述驱动机构的转动部延伸至所述密闭空间内对所述桨叶进行驱动。
12.在一种可行的方案中，所述压力调节装置包括第一管路、第二管路、第一控制阀、第二控制阀、增压装置和降压装置；所述第一管路的两端分别与所述密闭空间和外界连通，所述第二管路的两端分别与所述密闭空间和外界连通，所述第一控制阀和所述第二控制阀分别设置于所述第一管路和所述第二管路，所述第一控制阀用于控制所述第一管路的通断，所述第二控制阀用于控制所述第二管路的通断；所述增压装置设置于所述第一管路，所述降压装置设置于所述第二管路，所述增压装置用于提升所述密闭空间的气压，所述降压装置用于降低所述密闭空间的气压。其有益效果在于：通过设置所述降压装置，通过所述降压装置对所述密闭空间进行降压，降低所述密闭空间内的气压，能够促进封装结构中的气泡向外扩散，同时通过设置所述增压装置对所述密闭空间进行送气，便于控制所述密闭空间内的压力。
13.在一种可行的方案中，还包括控制装置；所述控制装置分别与所述加热装置和所述压力调节装置电连接，所述控制装置分别用于控制所述加热装置和所述压力调节装置的启闭。其有益效果在于：通过所述控制装置控制所述加热装置和所述压力调节装置的启闭，便于使用。
14.在一种可行的方案中，还包括温度测量装置和压力测量装置；所述温度测量装置和所述压力测量装置均设置于所述密闭空间内，所述温度测量装置用于检测所述密闭空间的温度，所述压力测量装置用于检测所述密闭空间的压力；所述温度测量装置和所述压力测量装置均与所述控制装置电连接，所述温度测量装置用于将检测的温度传输至所述控制装置，所述压力测量装置用于将检测的压力传输至所述控制装置，所述控制装置用于根据检测的温度控制所述加热装置的启闭，且所述控制装置用于根据检测的压力控制所述压力调节装置的启闭。其有益效果在于：通过所述温度测量装置和所述压力测量装置分别对密闭空间的温度和压力进行测量，并将测得的数据传输至所述控制装置，所述控制装置根据测得的数据对所述加热装置和所述压力调节装置的启闭进行控制，便于根据所述密闭空间的温度和压力调整所述加热装置和所述压力调节装置的功率，便于对所述密闭空间的温度和压力的调整。
15.本发明提供了一种半导体芯片封装除泡设备的除泡方法，用于控制上述任一可行的方案中的半导体芯片封装除泡设备，包括以下步骤：s1、将待加工半导体封装芯片放置在所述承载部；s2、通过所述加热装置和所述压力调节装置调节所述密闭空间内的温度和压力至第一工作状态，第一次去除所述待加工半导体封装芯片内的气泡；s3、通过所述加热装置和所述压力调节装置调节所述密闭空间内的温度和压力至第二工作状态，第二次去除所述待加工半导体封装芯片内的气泡；s4、取出加工后的半导体封装芯片，完成除泡工作。
16.本发明的除泡方法的有益效果在于：通过所述承载部对待加工的半导体封装芯片进行支撑，之后通过所述加热装置和所述压力调节装置将所述密闭空间的温度和压力调整至第一工作状态，持续一段时间对半导体芯片封装结构内的气泡进行第一次去除，完成后再通过所述加热装置和所述压力调节装置将所述密闭空间的温度和压力调整至第二工作状态，持续一段时间对半导体芯片封装结构内的气泡进行第二次去除，伴随着第一次去除和第二去除能够将半导体芯片封装结构中的大气泡完全去除，并将半导体芯片封装结构中的小气泡去除或溶解，进而完全去除气泡，最后将完成气泡去除的半导体封装芯片取出。
17.在一种可行的方案中，所述第一工作状态包括第一阶段和第二阶段；所述s2具体包括：s21、在所述第一阶段通过所述加热装置将所述密闭空间的温度调整至第一温度预设值，并通过所述压力调节装置使所述密闭空间的压力调整至第一压力预设值；s22、在所述第一阶段通过所述加热装置将所述密闭空间的温度保持在所述第一温度预设值，并通过所述压力调节装置使所述密闭空间的压力调整至第二压力预设值。其有益效果在于：通过第一阶段和第二阶段对半导体封装芯片的处理，在第一阶段使得所述半导体芯片封装结构中的部分大气泡去除，在第二阶段促使所述半导体芯片封装结构中的剩余部分大气泡向外移动并去除，进而去除半导体芯片封装结构中的大气泡。
18.在一种可行的方案中，所述s22还包括：通过所述压力调节装置使所述密闭空间的压力在所述第一压力预设值和所述第二压力预设值进行间歇变换。其有益效果在于：在第二阶段通过所述压力调节装置使得所述密闭空间的压力在第一压力预设值和第二预设压力值进行循环变化，能够加速气泡的去除。
19.在一种可行的方案中，所述第二工作状态包括第三阶段和第四阶段；所述s2具体包括：s21、在所述第三阶段通过所述加热装置将所述密闭空间的温度保持在所述第一温度预设值，并通过所述压力调节装置使所述密闭空间的压力调整至第三压力预设值；s22、在所述第四阶段通过所述加热装置将所述密闭空间的温度调整至第二温度预设值，并通过所述压力调节装置使所述密闭空间的压力保持在第三压力预设值。其有益效果在于：在第一阶段和第二阶段将大气泡去除后，在第三阶段和第四阶段，通过对温度和压力的调整，促使半导体芯片封装结构中剩余的气泡溶解在底填胶中，进而完全去除半导体芯片封装结构中的气泡。
20.在一种可行的方案中，所述第二温度预设值大于所述第一温度预设值。其有益效果在于：通过将所述第二温度预设值大于所述第一温度预设值能够促进小气泡在底填胶中的溶解。
附图说明
21.图1为本发明实施例中半导体芯片封装除泡设备的结构示意图；
22.图2为本发明实施例中半导体芯片封装除泡设备的除泡方法的流程示意图；
23.图3为本发明实施例中第一次除泡和第二次除泡的变化过程示意图。
24.图中标号：
25.1、加热装置；
26.2、压力调节装置；201、第一管路；202、第二管路；203、第一控制阀；204、第二控制阀；205、降压装置；206、增压装置；
27.3、外罩；301、承载部；
28.4、气流流通装置；401、驱动机构；402、桨叶。
具体实施方式
29.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
30.针对现有技术存在的问题，本发明的实施例提供了一种半导体芯片封装除泡设备及除泡方法。
31.图1为本发明实施例中半导体芯片封装除泡设备的结构示意图。
32.本发明的一些实施例中，参考图1，该半导体芯片封装除泡设备，包括加热装置1、压力调节装置2和外罩3；所述外罩3设有密闭空间和承载部301，所述承载部301设置于所述密闭空间内，所述加热装置1和所述压力调节装置2均与所述密闭空间连通，所述加热装置1用于调节密闭空间内的温度，所述压力调节装置2用于调整所述密闭空间内的压力。
33.本发明的一些具体实施例中，所述外罩3中空设置，所述外罩3的中空处即所述密闭空间，所述承载部301设置在所述密闭空间内。所述加热装置1为加热板、加热丝或其他加热形式，所述加热装置1设置于所述密闭空间内。所述压力调节装置2包括增压装置206和降压装置205，所述压力调节装置2与所述密闭空间连通。使用时，通过开启所述加热装置1对所述密闭空间进行加热，通过控制所述加热装置1的功率控制加热装置1的加热量，实现对所述密闭空间的温度的调整。通过控制所述增压装置206和所述降压装置205的启闭，对所述密闭空间的压力进行调整。
34.值得说明的是，所述降压装置205为抽气装置，由于所述降压装置205通过抽气的方式抽出所述密闭空间内的气体，因此随着所述降压装置205的工作，所述密闭空间内的气压逐渐降低。
35.此外，为了便于待加工半导体封装芯片的取放，可以在所述外罩3上设置开合结构，例如：盖板。需要所述密闭空间密封时，使所述开合结构处于关闭状态；需要取放半导体封装芯片时，使所述开合结构处于打开状态。
36.在一些实施例中，所述加热装置1也可以设置于所述外罩3外侧，并将所述加热装置1与所述密闭空间连通，使得所述加热装置1产生的热量能够扩散至所述密闭空间内，对所述密闭空间进行加热。
37.在另外一些实施例中，所述承载部301设置于所述密闭空间内的中间位置。
38.本发明的一些实施例中，参考图1，还包括气流流通装置4；所述气流流通装置4与所述密闭空间连通，所述气流流通装置4用于带动所述密闭空间内的气体流通。
39.本发明的一些具体实施例中，所述气流流通装置4设置于所述外罩3，所述气流流通装置4与所述密闭空间连通，所述气流流通装置4开启时能够带动所述密闭空间内的气体
流动形成气流，使得所述密闭空间内的温度更加均匀。
40.在一些实施例中，所述气流流通装置4朝向所述加热装置1设置，使得所述气流流通装置4产生的气流直接流经所述加热装置1。
41.本发明的一些实施例中，参考图1，所述承载部301内设有第一流通通道，所述承载部301与所述外罩3之间形成第二流通通道，所述气流流通装置4用于带动所述密闭空间内的气体沿所述第一流通通道和所述第二流通通道流通。
42.本发明的一些具体实施例中，所述外罩3水平设置，所述承载部301水平且左右贯穿设置，所述加热装置1设置于所述承载部301的右侧，所述气流流通装置4设置于所述加热装置1的右侧，所述承载部301左右贯穿处即形成所述第一流通通道，所述承载部301的侧壁与所述外罩3的侧壁之间即形成所述第二流通通道。开启所述气流流通装置4，所述密闭空间内的气体沿第一流通通道-第二流通通道的方向循环流动，使得密闭空间内的气流更加稳定。
43.在一些实施例中，所述承载部301竖直且上下贯穿设置，所述加热装置1设置于所述承载部301的上侧，所述气流流通装置4设置于所述加热装置1的上侧。
44.在另外一些实施例中，所述加热装置1和所述气流流通装置4分别设置于所述承载部301的两侧。
45.在其他一些实施例中，所述气流流通装置4设置于所述承载部301的侧壁与所述外罩3的侧壁之间。
46.本发明的一些实施例中，参考图1，所述气流流通装置4包括驱动机构401和桨叶402；所述桨叶402设置于所述密闭空间内，且所述桨叶402设置于所述驱动机构401的转动部，所述驱动机构401用于带动所述桨叶402转动。所述驱动机构401设置于所述外罩3外侧，所述驱动机构401的转动部延伸至所述密闭空间
47.本发明的一些具体实施例中，所述驱动机构401为电机，所述电机的转动轴延伸至所述密闭空间内，所述桨叶402设置于所述电机的转动轴上，通过开启所述电机带动所述桨叶402转动，进而带动所述密闭空间内的气体流动。
48.在一些实施例中，所述桨叶402也可以设置于所述密闭空间内连通的外部空间内。在另外一些实施例中，所述驱动机构401也可以设置于所述密闭空间内。
49.本发明的一些实施例中，参考图1，所述压力调节装置2包括第一管路201、第二管路202、第一控制阀203、第二控制阀204、降压装置205和增压装置206；所述第一管路201的两端分别与所述密闭空间和外界连通，所述第二管路202的两端分别与所述密闭空间和外界连通，所述第一控制阀203和所述第二控制阀204分别设置于所述第一管路201和所述第二管路202，所述第一控制阀203用于控制所述第一管路201的通断，所述第二控制阀204用于控制所述第二管路202的通断；所述增压装置206设置于所述第一管路201，所述降压装置205设置于所述第二管路202，所述增压装置206用于提升所述密闭空间的气压，所述降压装置205用于降低所述密闭空间的气压。
50.本发明的一些具体实施例中，所述第一管路201和所述第二管路202均设置于所述外罩3，所述第一控制阀203和所述第二控制阀204为电控阀，所述降压装置205为真空泵，所述降压装置205设置于所述第一管路201远离所述第一控制阀203的一侧，所述增压装置206设置于所述第二管路202远离所述第二控制阀204的一侧。使用时，开启所述第一控制阀
203，关闭所述第二控制阀204，开启所述降压装置205将所述密闭空间的气体抽出，所述密闭空间的气压随之降低。或者关闭所述第一控制阀203，开启所述第二控制阀204，所述密闭空间通过所述第二管路202与所述增压装置206连通，使得能够升高所述密闭空间内的气压。
51.在一些实施例中，所述第一控制阀203可以不设置，通过所述降压装置205的启闭控制所述第一管路201的通断。
52.本发明的一些实施例中，参考图1，还包括控制装置(图中未示)；所述控制装置分别与所述加热装置1和所述压力调节装置2电连接，所述控制装置分别用于控制所述加热装置1和所述压力调节装置2的启闭。
53.本发明的一些具体实施例中，所述控制装置(图中未示)为控制器，通过所述控制器对所述加热装置1和所述压力调节装置2的启闭进行控制，便于使用。
54.在一些实施例中，所述控制器分别与所述第一控制阀203、所述第二控制阀204、所述增压装置206、所述降压装置205和所述加热装置1电连接，并分别控制所述第一控制阀203、所述第二控制阀204、所述增压装置206、所述降压装置205和所述加热装置1的启闭。
55.本发明的一些实施例中，参考图1，还包括温度测量装置(图中未示)和压力测量装置(图中未示)；
56.所述温度测量装置和所述压力测量装置均设置于所述密闭空间内，所述温度测量装置用于检测所述密闭空间的温度，所述压力测量装置用于检测所述密闭空间的压力；所述温度测量装置和所述压力测量装置均与所述控制装置电连接，所述温度测量装置用于将检测的温度传输至所述控制装置，所述压力测量装置用于将检测的压力传输至所述控制装置，所述控制装置用于根据检测的温度控制所述加热装置1的启闭，且所述控制装置用于根据检测的压力控制所述压力调节装置2的启闭。
57.本发明的一些具体实施例中，所述温度测量装置(图中未示)为温度传感器，所述压力测量装置(图中未示)为压力传感器，所述温度测量装置和所述压力测量装置均设置于所述密闭空间内，所述温度测量装置用于实时检测所述密闭空间的温度并传输至所述控制装置，所述压力测量装置用于实时检测所述密闭空间的压力并传输至所述控制装置。通过所述加热装置1和所述压力调节装置2分别对所述密闭空间的温度和压力进行调整，并通过所述温度测量装置和所述压力测量装置分别检测所述密闭空间的温度和压力，便于实时调控，也便于控制所述密闭空间的温度和压力至所需条件。
58.值得说明的是，由于所述压力测量装置测量的为所述密闭空间的气压，因此所述压力测量装置检测的为所述密闭空间的压强。同理，所述压力调节装置2调节的为所述密闭空间的气压，因此所述压力调节装置2调整的为所述密闭空间的压强。
59.图2为本发明实施例中半导体芯片封装除泡设备的除泡方法的流程示意图。
60.本发明的一些实施例中，参考图2，该半导体芯片封装除泡设备的除泡方法，包括以下步骤：
61.s1、将待加工半导体封装芯片放置在所述承载部301；
62.s2、通过所述加热装置1和所述压力调节装置2调节所述密闭空间内的温度和压力至第一工作状态，第一次去除所述待加工半导体封装芯片内的气泡；
63.s3、通过所述加热装置1和所述压力调节装置2调节所述密闭空间内的温度和压力
至第二工作状态，第二次去除所述待加工半导体封装芯片内的气泡；
64.s4、取出加工后的半导体封装芯片，完成除泡工作。
65.本发明的一些具体实施例中，将代加工的半导体封装芯片放置在承载部301，将所述密闭空间的温度和压力调整至第一工作状态，将半导体芯片封装结构中的大气泡和部分小气泡去除，即第一次去除气泡，之后将所述密闭空间的温度和压力调整至第二工作状态，将半导体芯片封装结构中剩余的小气泡溶解在封装结构中，使得溶解后的气泡不会对封装结构的稳定性造成影响，即第二次去除气泡，进而完成除泡工作。
66.值得说明的时，保持所述密闭空间内的温度为一定值时，需要控制所述加热装置1的功率，保持所述密闭空间的压力为一定值时，需要控制所述降压装置205和/或所述增压装置206的开启时间。
67.本发明的一些实施例中，参考图2，所述第一工作状态包括第一阶段和第二阶段；
68.所述s2具体包括：
69.s21、在所述第一阶段通过所述加热装置1将所述密闭空间的温度调整至第一温度预设值，并通过所述压力调节装置2使所述密闭空间的压力调整至第一压力预设值；
70.s22、在所述第一阶段通过所述加热装置1将所述密闭空间的温度保持在所述第一温度预设值，并通过所述压力调节装置2使所述密闭空间的压力调整至第二压力预设值。
71.本发明的一些具体实施例中，所述第一温度预设值为80至100℃，所述第一压力预设值为大气压，所述第二压力预设值为0.7至0.9个大气压。使用时，通过所述压力调节装置2的第二管路202将所述密闭空间与外界或所述增压装置206连通，使得所述密闭空间内的气压为大气压，对半导体封装芯片的封装结构进行第一阶段的除泡。之后，通过所述压力调节装置2的降压装置205将所述密闭空间的压力调整至第一压力预设值，并通过开启所述加热装置1使所述密闭空间的温度加热至第一温度预设值，对半导体封装芯片的封装结构进行第二阶段的除泡，进而完成第一次除泡工作。
72.本发明的一些实施例中，参考图2，所述s22还包括：通过所述压力调节装置2使所述密闭空间的压力在所述第一压力预设值和所述第二压力预设值进行间歇变换。
73.本发明的一些具体实施例中，在第二阶段时，第一时间段通过所述压力调节装置2使得所述密闭空间内的压力维持在所述第一压力预设值，第二时间段通过所述压力调节装置2使得所述密闭空间内的压力维持在所述第二压力预设值，之后重复上述过程若干次，即通过所述压力调节装置2使所述密闭空间的压力在所述第一压力预设值和所述第二压力预设值进行间歇变换。
74.本发明的一些实施例中，参考图2，所述第二工作状态包括第三阶段和第四阶段；所述s2具体包括：s21、在所述第三阶段通过所述加热装置1将所述密闭空间的温度保持在所述第一温度预设值，并通过所述压力调节装置2使所述密闭空间的压力调整至第三压力预设值；s22、在所述第四阶段通过所述加热装置1将所述密闭空间的温度调整至第二温度预设值，并通过所述压力调节装置2使所述密闭空间的压力保持在第三压力预设值。
75.本发明的一些具体实施例中，第二温度预设值为160至180℃，所述第三压力预设值为2至5个大气压。使用时，通过所述压力调节装置2的增压装置206，将所述密闭空间压力由第二压力预设值调整至第三压力预设值，并通过开启所述加热装置1使所述密闭空间的温度保持在第一温度预设值，对半导体封装芯片的封装结构进行第三阶段的除泡。之后，通
过所述压力调节装置2将所述密闭空间的压力保持在第三压力预设值，并通过开启所述加热装置1使所述密闭空间的温度加热至第二温度预设值，对半导体封装芯片的封装结构进行第四阶段的除泡，进而完成第二次除泡工作。
76.图3为本发明实施例中第一次除泡和第二次除泡的变化过程示意图。
77.以下结合半导体芯片封装结构中的气泡对第一次除泡和第二次除泡进行解释，参考图3，第一阶段将所述密闭空间内的温度提升至第一温度预设值并保持，并将所述密闭空间内的压力调整至第一压力预设值至并保持。第二阶段保持所述密闭空间的温度为第一温度预设值，并间歇性开启所述压力调节装置2，使得所述密闭空间内的压力在第一压力预设值和所述第二压力预设值的范围内间接间歇性变化。第三阶段保持所述密闭空间的温度为第一温度预设值，并将所述密闭空间内的压力调整至第三压力预设值至并保持。第四阶段将所述密闭空间内的温度提升至第二温度预设值并保持，并将所述密闭空间内的压力保持在第三压力预设值。
78.结合图3所示，在第一阶段至第二阶段，所述封装结构中的较大的和较小的气泡均逐渐变大并向外运动；在第二阶段至第三阶段，所述封装结构中的较大的气泡向外运动至完全扩散在密闭空间中；在第三阶段至第四阶段，所述封装结构中较小的气泡逐渐分解，直至消失。这样使得，所述封装结构中的大气泡扩散至外界，使封装结构中的小气泡溶解在封装结构中。
79.值得说明的是，上述溶解并非真正意义上的溶解，而是气泡变成很小，肉眼无法看到或者分散成足够小的程度，无法对封装结构的稳定性造成影响。
80.虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。