技术特征：
1.一种对基片的表面形成处理膜的基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片的基片保持部，其中，所述基片涂敷有用于形成所述处理膜的干燥前的处理液；和包括第1喷嘴部的气体供给部，其中，所述第1喷嘴部对由所述基片保持部保持的所述基片的表面的周缘部，供给温度比常温高的第1温度的第1气体。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述气体供给部对所述基片的周缘部的各位置间歇地供给所述第1气体。3.权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第1喷嘴部从所述基片的周缘部的上方对所述基片的周缘部供给所述第1气体。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述气体供给部对所述基片的周缘部的各位置交替地供给所述第1气体和温度比所述第1温度低的第2温度的第2气体。5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述气体供给部能够对所述基片的表面的彼此不同的位置同时供给所述第1气体和所述第2气体。6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：所述气体供给部还具有供给所述第2气体的第2喷嘴部，所述第2喷嘴部设置于所述基片的周缘部的上方。7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：具有多个所述第1喷嘴部和多个所述第2喷嘴部，在所述基片的周缘部的上方，沿着所述周缘部交替地配置所述第1喷嘴部和所述第2喷嘴部。8.如权利要求6或7所述的基片处理装置，其特征在于，包括：对所述第1喷嘴部供给所述第1气体的第1配管；将在所述第1配管中流动的气体的温度调节为所述第1温度的第1温度调节部；对所述第2喷嘴部供给所述第2气体的第2配管；和将在所述第2配管中流动的气体调节为所述第2温度的第2温度调节部。9.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述第1喷嘴部对所述基片的表面交替地供给所述第1气体和所述第2气体。10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于，包括：对所述第1喷嘴部供给所述气体的配管；和调节从所述第1喷嘴部对所述基片供给的气体的温度的温度调节部，所述温度调节部通过将在所述配管中流动的气体的温度在所述第1温度与所述第2温度间切换，调节对所述基片供给的气体的温度。11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：所述温度调节部通过切换对所述配管中流动的气体进行加热的加热器的电源的接通状态和关断状态，将在所述配管中流动的气体的温度在所述第1温度与所述第2温度间切换。12.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：所述温度调节部通过变更对所述配管中流动的气体进行加热的加热器的设定，将在所
述配管中流动的气体的温度切换为所述第1温度和所述第2温度。13.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于，包括：对所述第1喷嘴部供给所述第1气体的第1配管；对所述第1喷嘴部供给所述第2气体的第2配管；和调节从所述第1喷嘴部对所述基片供给的气体的温度的温度调节部，所述温度调节部通过将对所述喷嘴部供给气体的配管在所述第1配管与所述第2配管间切换，调节对所述基片供给的气体的温度。14.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片保持部是吸附所述基片并使其水平旋转的旋转机构。15.如权利要求14所述的基片处理装置，其特征在于：在所述基片保持部的周围，还具有以包围在所述基片保持部中被支承的所述基片的周围的方式配置的杯状体，所述气体供给部从安装于所述杯状体的供给口，对所述基片的表面的周缘部供给所述第1气体。16.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片保持部是将所述基片在水平方向上输送的输送机构。17.一种对基片的表面形成处理膜的基片处理方法，其特征在于：包括对基片的表面的周缘部供给温度比常温高的第1温度的第1气体的处理，其中，所述基片涂敷有用于形成所述处理膜的干燥前的处理液。
技术总结
本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括：作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21)，其中，该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液；和气体供给部(40)，其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部，供给温度比常温高的第1温度的第1气体(F1)。1温度的第1气体(F1)。1温度的第1气体(F1)。
技术研发人员：福冈哲夫
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2022.03.01
技术公布日：2022/9/19