碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法

文档序号:30379875发布日期:2022-06-11 03:20阅读:242来源:国知局
碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法
碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法
技术领域
1.本发明属于超级电容器正极材料合成技术领域,具体涉及碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法。


背景技术:

2.随着化石能源的过渡开采和急剧消耗,能源问题和环境恶化已经备受人们关注。目前开发清洁低廉的环境友好储能元件来缓解当前社会的能源危机,对于发展国民经济、实现可持续发展具有重大意义。目前,超级电容器作为新兴储能元件被认为是有效的途径之一。研究表明:

相比于锂离子电池,超级电容器材料具有更高的功率密度,能实现快速充放电;

水系超级电容器材料具有绿色、无污染环境友好等特点,在动力用能源领域具有应用价值。
3.关于碳布上原位负载sn的硫化物用于超级电容器正极材料的制备方法已有文献报道,但制备ni参杂的sns2阵列原位生长ni(oh)2纳米片双阵列结构材料并用于超级电容器体系的报道甚少。水热法在碳布模板上构筑ni参杂的sns2纳米片阵列,并在sns2纳米片阵列上原位生长超薄ni(oh)2纳米片,大大提升sns2纳米片阵列的比表面积,提高比电容。除此之外,在ni参杂的sns2阵列原位生长ni(oh)2纳米片双阵列结构材料作为超级电容器正极材料几乎未见报道。


技术实现要素:

4.本发明的目的是提供碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法,该正极材料是绿色的、环境友好的,并且具有高的比表面积和高的电导率,相比于原位生长的其他正极材料具有高的功率密度和面积比容量。表明其在高功率、高安全性和动力用领域中具有较大应用潜力。
5.本发明所采用的技术方案是,碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法,具体按照以下步骤实施:
6.步骤1,制备ni掺杂的sns2纳米片阵列;
7.步骤2,制备ni/sns2@ni(oh)2。
8.本发明的特点还在于:
9.其中步骤1具体如下:
10.步骤1.1,所采用化学品包括硝酸hno3、硫酸h2so4、四氯化锡sncl4、六水合氯化镍nicl2·
6h2o和硫代乙酰胺taa,合成前,将碳布浸入hno3和h2so4混合溶液中,去除表面杂质和活化,然后在空气中干燥,记为样品a;
11.步骤1.2,将无水sncl4、nicl2·
6h2o和硫代乙酰胺taa溶解在去离子水中并搅拌,记为溶液b;
12.步骤1.3,将样品a和溶液b同时转移到聚四氟乙烯衬里的高压釜中,保持一段时间,然后自然冷却至室温,将得到的碳布表面原位生长的ni/sns2前体用去离子水和乙醇超
声洗涤数次,然后在真空干燥过夜,将得到ni掺杂的sns2纳米片阵列;记为样品c;
13.其中步骤1.1中碳布大小为1
×
3~2
×
3cm,hno3和h2so4混合溶液的质量比为3:1;
14.其中步骤1.2中无水sncl4为1~3mmol、nicl2·
6h2o为0.1~0.3mmol,硫代乙酰胺taa为0.8~1mmol,去离子水为5~30ml,搅拌为磁力搅拌,搅拌时间为20~30min;
15.其中步骤1.2中,所述无水氯化锡、六水合氯化镍和硫代乙酰胺的摩尔比为10:1.5:5~10:0.5:5;
16.其中步骤1.3中保持时间为4~8h,保持温度为150~170℃,真空干燥温度为60~90℃;
17.其中步骤2具体如下:
18.步骤2.1,将0.1~1.5mmolnicl2·
6h2o和0.1~5mmol尿素溶于5~30ml去离子水中,进行常温磁力搅拌,直到形成浅绿色透明溶液,记为溶液d;
19.步骤2.2,将所述步骤1得到的样品c和步骤2.1得到的溶液d同时转移到高压釜中保持一段时间,自然冷却至室温后,所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次,然后真空干燥过夜,将得到ni/sns2@ni(oh)2样品,记为样品e;
20.其中步骤2.1中,nicl26h2o为0.1~1.5mmol,尿素为0.1~5mmol,去离子水为5~30ml;
21.其中步骤2.1中,氯化镍和尿素的摩尔比为1:2~1:4;
22.其中步骤2.2中保持时间为1~2h,保持温度为90~110℃;真空干燥温度为60~90℃。
23.本发明的有益效果是:
24.本发明的碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法,方法简单,成本较低。制备的超级电容器正极材料具有较高的面积比容量和功率密度,表现出良好的电化学性能。且首次合成ni/sns2@ni(oh)2材料,具有创新性;良好的电化学性能,具有实用性。
附图说明
25.图1为本发明的碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法将ni(oh)2成功负载在ni/sns2表面;
26.图2本发明的碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法制备的ni/sns2@ni(oh)2材料形貌图;
27.图3为本发明的碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法制备的ni/sns2@ni(oh)2材料在2m koh电极液中的恒电流充放电曲线。
具体实施方式
28.下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
29.本发明提供了碳布模板构筑ni/sns2@ni(oh)2的方法,具体按照以下步骤实施:
30.步骤1,制备ni掺杂的sns2纳米片阵列:
31.步骤1.1,所采用化学品包括硝酸hno3、硫酸h2so4、四氯化锡sncl4、六水合氯化镍nicl2·
6h2o和硫代乙酰胺taa,合成前,将碳布浸入hno3和h2so4混合溶液中,去除表面杂质和活化,然后在空气中干燥,记为样品a,碳布大小为1
×
3~2
×
3cm,hno3和h2so4混合溶液的
质量比为3:1;
32.步骤1.2,将无水sncl4、nicl2·
6h2o和硫代乙酰胺taa溶解在去离子水中并搅拌,记为溶液b,无水sncl4为1~3mmol、nicl2·
6h2o为0.1~0.3mmol,硫代乙酰胺taa为0.8~1mmol,去离子水为5~30ml,搅拌为磁力搅拌,搅拌时间为20~30min;所述无水sncl4、nicl2·
6h2o和硫代乙酰胺taa的摩尔比为10:1.5:5~10:0.5:5;
33.步骤1.3,将样品a和溶液b同时转移到聚四氟乙烯衬里的高压釜中,保持时间为4~8h,保持温度为150~170℃,然后自然冷却至室温,将得到的碳布表面原位生长的ni/sns2前体用去离子水和乙醇超声洗涤数次,然后在真空干燥过夜,真空干燥温度为60~90℃,将得到ni掺杂的sns2纳米片阵列;记为样品c;
34.步骤2,制备ni/sns2@ni(oh)2:
35.步骤2.1,将0.1~1.5mmolnicl2·
6h2o和0.1~5mmol尿素溶于5~30ml去离子水中,氯化镍和尿素的摩尔比为1:2~1:4,进行常温磁力搅拌,直到形成浅绿色透明溶液,记为溶液d,nicl26h2o为0.1~1.5mmol,尿素为0.1~5mmol,去离子水为5~30ml;
36.步骤2.2,将所述步骤1得到的样品c和步骤2.1得到的溶液d同时转移到高压釜中保持时间为1~2h,保持温度为90~110℃,自然冷却至室温后,所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次,然后真空干燥过夜,真空干燥温度为60~90℃,将得到ni/sns2@ni(oh)2样品,记为样品e。
37.如图1所示,图中(001)、(100)、(101)对应于pdf卡片中的sns2相,且峰相比于标准卡片有偏移,(003)、(110)对应于pdf卡片中的ni(oh)2相;由此可知ni成功参杂在sns2体系内,且ni(oh)2成功负载在ni/sns2表面;
38.如图2所示,ni/sns2@ni(oh)2材料保持纳米片阵列形貌,片层厚度约为15nm;
39.如图3所示,i、ii、iii、iv、v代表电流密度为5、10、20、30、40macm-2
条件下对应的恒电流充放电图谱;ni/sns2@ni(oh)
2-cc电极在电流密度为5(i),10(ii),20(iii),30(iv)和40(v)macm-2
下的比电容分别为4.78,4.16,3.57,3.17和2.86fcm-2
(分别对应1991、1662、1428、1266、1144fg-1
);
40.实施例1:
41.1)制备ni参杂的sns2纳米片阵列:
42.所有化学品(分析级)均按原样使用,无需进一步处理;合成前,将碳布(1
×
3cm)浸入质量比为3:1的hno3和h2so4混合溶液中,去除表面杂质和活化,然后在空气中干燥,记为样品a;将1mmol无水sncl4、0.1mmolnicl2·
6h2o和0.8mmol硫代乙酰胺(taa)溶解在25ml去离子水中并磁力搅拌20min,记为溶液b;将样品a和溶液b同时转移到10~50毫升聚四氟乙烯衬里的高压釜中,在150~170℃下保持4~8h,然后自然冷却至室温,将得到的碳布上的ni/sns2前体用超纯水和乙醇超声洗涤数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品c;
43.2)制备ni/sns2@ni(oh)244.将0.1~1.5mmolnicl26h2o和0.1~5mmol尿素溶于5~30ml超纯水中,进行常温磁力搅拌,直到形成浅绿色透明溶液,记为溶液d,然后将样品c和溶液d同时转移到10~50ml高压釜中并在90~110℃下保持1~2h,自然冷却至室温后,所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品e;
45.实施例2:
46.1)制备ni参杂的sns2纳米片阵列:
47.所有化学品(分析级)均按原样使用,无需进一步处理;合成前,将碳布(1
×
3cm)浸入质量比为3:1的hno3和h2so4混合溶液中,去除表面杂质和活化,然后在空气中干燥,记为样品a;将2mmol、无水sncl4、0.2毫摩尔nicl2·
6h2o和0.9mmol硫代乙酰胺(taa)溶解在5~30ml去离子水中并磁力搅拌20min,记为溶液b;将样品a和溶液b同时转移到10~50ml聚四氟乙烯衬里的高压釜中,在160℃下保持6h,然后自然冷却至室温,将得到的碳布上的ni/sns2前体用超纯水和乙醇超声洗涤数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品c;
48.2)制备ni/sns2@ni(oh)249.将0.1~1.5mmolnicl26h2o和0.1~5mmol尿素溶于5~30ml超纯水中,进行常温磁力搅拌,直到形成浅绿色透明溶液,记为溶液d,然后将样品c和溶液d同时转移到10~50ml高压釜中并在90~110℃下保持1~2h,自然冷却至室温后,所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品e;
50.实施例3:
51.1)制备ni参杂的sns2纳米片阵列:
52.所有化学品(分析级)均按原样使用,无需进一步处理;合成前,将碳布(1
×
3cm)浸入质量比为3:1的hno3和h2so4混合溶液中,去除表面杂质和活化,然后在空气中干燥,记为样品a;将2mmol无水sncl4、0.2mmolnicl2·
6h2o和0.9mmol硫代乙酰胺(taa)溶解在5~30ml去离子水中并磁力搅拌20min,记为溶液b;将样品a和溶液b同时转移到10~50ml聚四氟乙烯衬里的高压釜中,在170℃下保持4h,然后自然冷却至室温,将得到的碳布上的ni/sns2前体用超纯水和乙醇超声洗涤数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品c;
53.2)制备ni/sns2@ni(oh)254.将0.1~1.5mmolnicl2·
6h2o和0.1~5mmol尿素溶于5~30mmol超纯水中,进行常温磁力搅拌,直到形成浅绿色透明溶液,记为溶液d,然后将样品c和溶液d同时转移到10~50mmol高压釜中并在90~110℃下保持1~2h,自然冷却至室温后,所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品e;
55.实施例4:
56.1)制备nico2s4纳米管阵列:
57.1)制备ni参杂的sns2纳米片阵列:
58.所有化学品(分析级)均按原样使用,无需进一步处理。合成前,将碳布(1
×
3cm)浸入质量比为3:1的hno3和h2so4混合溶液中,去除表面杂质和活化,然后在空气中干燥,记为样品a;将1~3mmol无水sncl4、0.1~0.3mmolnicl2·
6h2o和0.8~1mmol硫代乙酰胺(taa)溶解在5~30ml去离子水中并磁力搅拌20min,记为溶液b;将样品a和溶液b同时转移到10~50ml聚四氟乙烯衬里的高压釜中,在150~170℃下保持4~8h,然后自然冷却至室温,将得到的碳布上的ni/sns2前体用超纯水和乙醇超声洗涤数次,然后在60℃下真空干燥过夜,记为样品c;
59.2)制备ni/sns2@ni(oh)260.将1mmolnicl26h2o和3mmol尿素溶于5~30ml超纯水中,进行常温磁力搅拌,直到形成浅绿色透明溶液,记为溶液d,然后将样品c和溶液d同时转移到10~50ml高压釜中并在100℃下保持1h,自然冷却至室温后,所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次,然后在60℃下真
空干燥过夜,记为样品e。
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