风口扩散器的制作方法

1.本揭露涉及一种风口扩散器。


背景技术：

2.可在半导体制作设施中的各种半导体处理工具中处理半导体装置以产生各种集成电路及/或半导体装置。可在整个半导体制作设施中及/或在半导体制作设施中的腔室与半导体处理工具之间输送半导体装置。


技术实现要素：

3.本揭露涉及一种方法，其包括：经由沿着风口扩散器的第一管部件的长度隔开的多个开口从腔室接收流体，其中所述第一管部件耦合到所述风口扩散器的第二管部件；将所述流体从所述第一管部件提供到所述第二管部件，其中所述第二管部件在所述第二管部件的第一端处耦合到所述腔室的风口，且其中所述第二管部件在所述第二管部件的第二端处耦合到所述第一管部件；及经由所述第二管部件将所述流体提供到所述风口。
4.本揭露涉及一种方法，其包括：经由风口扩散器的第一管部件从腔室接收流体，其中所述第一管部件经配置以经由沿着将所述第一管部件的高度大体上二等分的平面隔开的多个开口接收所述流体，其中所述多个开口关于所述第一管部件的纵向轴线是大体上对称的，且其中所述多个开口中的开口与邻近开口之间的间隔是基于所述开口与所述风口扩散器的第二管部件的所述纵向轴线的横向距离；在所述第二管部件处接收来自所述第一管部件的所述流体，其中所述第二管部件在所述第二管部件的第一端处耦合到所述腔室的风口，且其中所述第二管部件在所述第二管部件的第二端处耦合到所述第一管部件；及经由所述第二管部件将所述流体提供到所述风口。
5.本揭露涉及一种腔室，其包括：输送工具，其位于所述腔室的内部中；风口，其位于所述腔室的所述内部的表面上；及风口扩散器，其包括第一管部件及第二管部件，其中所述第一管部件包括沿着所述第一管部件的长度隔开的多个开口，所述多个开口经配置以从所述腔室接收流体，其中所述第二管部件在所述第二管部件的第一端处耦合到所述风口，其中所述第二管部件在所述第二管部件的第二端处耦合到所述第一管部件，且其中所述第二管部件经配置以在所述第二端处从所述第一管部件接收所述流体并且在所述第一端处将所述流体提供到所述风口。
附图说明
6.依据附图阅读以下详细描述会最佳地理解本揭露的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种构件未必按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种构件的尺寸。
7.图1是本文中所描述的半导体处理环境的实例的图式。
8.图2a到2c是本文中所描述的实例性风口扩散器的图式。
9.图3a到3e是本文中所描述的额外实例性风口扩散器的图式。
10.图4是与本文中所描述的一或多个装置相关联的装置的实例性组件的图式。
11.图5及图6是与风口扩散器相关联的实例性过程的流程图。
具体实施方式
12.以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，此些实例仅是实例且并非打算是限制性的。举例来说，在以下描述中第一构件形成于第二构件之上或上可包含其中第一构件与第二构件直接接触地形成的实施例且也可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件与第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简单及清晰目的且并非本质上指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
13.此外，可在本文中为了易于描述而使用空间相对术语(例如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及诸如此类)来描述一个组件或构件与另一组件或构件的关系，如各图中所图解说明。所述空间相对术语打算除各图中所描绘的定向之外还囊括装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且可因此同样地解释本文中所使用的空间相对描述语。
14.半导体制作设施可包含一或多个半导体处理工具以处理半导体装置。举例来说，半导体制作设施可使用一或多个半导体处理工具以在晶片及/或裸片上形成半导体装置。半导体制作设施可包含腔室，输送工具可经由所述腔室将半导体装置输送到一或多个半导体处理工具及/或从一或多个半导体处理工具输送半导体装置。在腔室内的半导体装置的传送期间，半导体装置可在腔室中暴露于污染物(例如，挥发性有机化合物(voc)、粉尘、碎屑及其它类型的污染物)。此些污染物可致使半导体装置发生故障，可致使在集成电路及/或半导体制作设施中所形成的半导体装置中出现缺陷，并且可降低制造合格率及质量，等等。而且，随着待在半导体制作设施中的半导体晶片上形成的集成电路及/或半导体装置的装置及/或构件大小继续收缩，归因于对污染物的经减小耐受性，半导体制作设施中污染物的影响可继续变得更显著。
15.为了减少在污染物中的暴露，腔室可包含将流体材料(例如，气体，例如氮气)提供到腔室的泵口。腔室可进一步包含将流体材料从腔室排出的风口。同时地，泵口及风口可使流体在腔室内循环以将污染物从输送工具及/或半导体装置排出。然而，腔室内的流场可为不均匀的，因为风口及泵口在腔室内不对称、输送工具阻碍气流等等。不均匀流场可降低流体在腔室中时从半导体装置排出污染物的有效性。
16.本文中所描述的一些实施方式提供可耦合到腔室的风口的风口扩散器。在一些实施方式中，风口扩散器可包含多个开口以从腔室(例如，间接地从泵口)接收流体以改善腔室内流体的流场的均匀性。在一些实施方式中，风口扩散器可包含第一管部件，其经配置以在第一端处耦合到风口且在第二端处耦合到第二管部件。第一管部件可从腔室的表面(例如，从包含风口的表面)延伸以将第二管部件与腔室的表面分离。举例来说，第一管部件可将第二管部件从腔室的下部表面升高。在一些实施方式中，第二管部件可与腔室的下部表面大体上平行。
17.在一些实施方式中，第二管部件可包含沿着第二管部件的长度隔开的多个开口。多个开口可朝向腔室的最远侧壁大体上定向。在一些实施方式中，多个开口可朝向最靠近泵口的侧壁大体上定向。在一些实施方式中，多个开口可大体上位于沿着第二管部件的长度的相同高度处。多个开口可为多边形或椭圆形的等等。在一些实施方式中，基于从开口到将第二管部件的长度二等分的平面的距离或者基于从开口到第一管部件的纵向轴线的距离(例如，其中第一管部件耦合到第二管部件)，多个开口中的开口可与邻近开口隔开。举例来说，对于距将第二管部件的长度或第一管部件的纵向轴线二等分的平面更远的开口，邻近开口之间的间隔可为较大的。
18.基于半导体制作设施在腔室内包含风口扩散器，腔室可经配置以在腔室内提供流体的经改善流场。以此方式，风口扩散器可减少经由腔室输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷，可提高半导体制作设施中的制造合格率及质量，及/或可准许待在半导体制作设施中所处理的半导体晶片上形成的集成电路及/或半导体装置的装置及/或构件大小继续减小。
19.图1是本文中所描述的实例性半导体处理环境100的图式。实例性半导体处理环境100可包含或者可包含于半导体制作设施、半导体制造厂、半导体处理设施、半导体洁净室及/或在其中处理半导体装置及/或装置的另一环境中。如图1中所展示，实例性半导体处理环境100可包含腔室102、输送工具104、风口扩散器106、泵口108及一或多个半导体处理工具110以及其它工具及/或装置。
20.腔室102可包含或者可包含于大型腔室、传送腔室或洁净室以及可在制造操作期间或之间经由其输送半导体装置的其它装置实例中。腔室102可包含下部表面112、一或多个侧表面114(例如，侧壁)及/或上部表面(未展示)。泵口108可经配置以经由腔室102的表面(例如下部表面112、侧表面114或上部表面)将流体提供到腔室102中。泵口108可位于未居中于对置侧壁114之间的位置中。泵口108可位于一或多个侧壁114附近及/或可位于腔室102的拐角附近。
21.腔室也可包含风口，其经配置以接收流体并经由腔室102的表面(例如下部表面112、侧表面114或上部表面)将所述流体从腔室102排出。在一些实施方式中，风口可经配置以用大于或等于550厘米/秒的流动速率将流体排出。在一些实施方式中，流体包含气体，其经配置以将污染物从腔室102的内部中输送工具104上方的区域排出。风口可耦合到风口扩散器106。
22.在一些实施方式中，腔室102可提供经部分或完全围封的空间以用于半导体装置的输送。腔室102可包含及/或装纳输送工具104。输送工具104(例如，晶片/裸片输送工具)可包含移动机器人、机器人臂、有轨电车或轨道车、高架提升机传送(oht)运载工具、自动化材料处置系统(amhs)及/或用于在一或多个半导体处理工具110及/或往返于例如晶片架、存储室及/或诸如此类的其它位置之间输送装置及/或裸片的另一类型的工具。输送工具104可包含输送工具104的一或多个表面116，所述表面经配置以在腔室102内支撑一或多个半导体装置(例如，晶片及/或裸片)。在一些实施方式中，输送工具104可经编程以行进特定路径及/或可半自动或自动地操作。
23.一或多个半导体处理工具110可包含经配置以在一或多个半导体晶片及/或装置上执行一或多个半导体处理操作的一或多个工具。举例来说，一或多个半导体处理工具110
可包含沉积工具(例如，经配置以将一或多个层沉积到半导体装置上的半导体处理工具)、镀覆工具(例如，经配置以将一或多个金属层沉积到半导体装置上的电镀工具)、曝光工具(例如，极紫外光(euv)工具、电子束(e-beam)工具)、蚀刻工具(例如，湿式蚀刻工具、干式蚀刻工具)或另一类型的半导体处理工具。
24.在一些实施方式中，与由一或多个半导体处理工具110执行的过程相关联的一或多个颗粒可从一或多个半导体处理工具110行进到腔室102。如果一或多个颗粒掉落在半导体装置的表面上，那么一或多个颗粒可污染腔室102中的半导体装置。
25.为了减少腔室102内颗粒失控(ooc)率的下降(例如，减少到大约7％或更少)，泵口108及/或风口扩散器106可经配置以相对于不具有风口扩散器106的腔室而提供具有经改善流场的流场。如图1中所展示，风口扩散器106可以可分散由风口造成的低压区的方式从腔室接收流体(例如，经由泵排气口提供的流体)。为了分散低压区，风口扩散器106可包含沿着风口扩散器106的管部件(例如，第二管部件)的长度隔开的多个开口。风口扩散器106的第二管部件可沿着腔室102的侧表面114延伸。在一些实施方式中，风口扩散器106的管部件可大体上平行于腔室102的下部表面112及/或平行于腔室102的上部表面。另外或另一选择是，风口扩散器106的管部件可大体上平行于腔室102的侧表面114。
26.在一些实施方式中，可在管部件内配置以多个开口提供经改善均匀流场。在一些实施方式中，为了提供经改善均匀流场，多个开口可布置有间隔(例如，沿着管部件的长度)以将低压区分散到多个开口中的每一者(例如，在多个开口处具有大体上相等的压力)。举例来说，从多个开口中的开口到邻近开口的间隔可基于从开口到将管部件的长度及/或将管部件耦合到风口的风口扩散器106的额外管部件(例如，第一管部件，未展示)的纵向轴线二等分的平面的距离。在一些实施方式中，当开口距管部件的中心较远或者距到风口的连接处较远时，开口之间的间隔可增加。
27.在一些实施方式中，可以开口形状配置以多个开口提供经改善均匀流场。举例来说，多个开口可为多边形的(例如，六边形的、矩形的、正方形的或三角形的等等)或弯曲的(例如，椭圆形的、圆形的或卵圆形的等等)等等。
28.在一些实施方式中，可以不同大小配置多个开口以提供经改善均匀流场。举例来说，多个开口中的开口的大小可基于从开口到将管部件的长度及/或将管部件耦合到风口的风口扩散器106的额外管部件(例如，第一管部件，未展示)的纵向轴线二等分的平面的距离。在一些实施方式中，当开口距管部件的中心较远或者距到风口的连接处较远时，开口的大小可减小。
29.基于腔室102包含风口扩散器106，腔室102可经配置以在腔室102内提供流体的经改善流场。以此方式，风口扩散器106可减少经由腔室102输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷，可提高包含腔室102的半导体制作设施中的制造合格率及质量，及/或可准许待在半导体制作设施中所处理的半导体晶片上形成的集成电路及/或半导体装置的装置及/或构件大小继续减小。
30.如上文所指示，图1是作为实例而提供。其它实例可能与关于图1所描述的不同。
31.图2a到2c是本文中所描述的实例性风口扩散器106的图式。风口扩散器106可包含管部件202，其具有第一端204及第二端206。管部件202可具有高度h1、宽度w1(例如，在图2b中展示)及长度l1。在一些实施方式中，管部件202可为圆柱形的(例如，h1＝w1)。管部件202
可经配置以在第一端204处将风口扩散器106耦合到风口208。在一些实施方式中，风口208可位于腔室102的表面内。举例来说，风口208可位于腔室102的下部表面112、侧表面114或上部表面内。管部件202可经配置以将流体从风口扩散器106排出到风口208中。
32.在一些实施方式中，管部件202可在第二端206处耦合到风口扩散器106的管部件210。管部件210可大体上垂直于管部件202。管部件210可具有高度h2、宽度w2(例如，在图2c中展示)及长度(l2+l3)。在一些实施方式中，管部件202可为圆柱形的(例如，h1＝w1)。在一些实施方式中，管部件210可与腔室102的下部表面112大体上平行。
33.管部件210可包含沿着管部件210的长度(l2+l3)隔开的多个开口212。在一些实施方式中，多个开口212可位于大体上平行于管部件210的纵向轴线处。多个开口212可经配置以接收从腔室102到管部件210中的流体。多个开口212可包含沿着管部件210的长度隔开的开口212a、212b、212c、212d、212e、212f及/或212g。在一些实施方式中，多个开口212可具有大体上相等的横截面积。在一些实施方式中，多个开口212的横截面积可小于管部件202的第一端204的横截面积，管部件202经配置以将风口扩散器106耦合到风口208。
34.在一些实施方式中，管部件210可在管部件210的纵向端处包含第一开口214及第二开口216。第一开口214及第二开口216可大于多个开口212。举例来说，第一开口214及第二开口216可具有比多个开口212的横截面积大的横截面。在一些实施方式中，第一开口214及/或第二开口216可为椭圆形开口。换句话说，管部件210可具有大体上正交于管部件210的长度的椭圆形横截面。
35.出于参考目的，图2a图解说明将管部件210的长度二等分(例如，将所述长度二等分成l2及l3)的平面218、将管部件210的高度h2大体上二等分的平面220以及管部件202的纵向轴线222。在一些实施方式中，纵向轴线222可大体上位于平面218内。换句话说，管部件210可居中于管部件202的纵向轴线上。管部件210可耦合到大体上位于平面218处的管部件202。
36.在一些实施方式中，多个开口212可关于平面218及/或纵向轴线222对称地布置。举例来说，开口212b可与开口212c对称，开口212d可与开口212e对称，且开口212f可与开口212g关于平面218及/或纵向轴线222而对称。在一些实施方式中，多个开口212可沿着平面220位于管部件210内。
37.如图2a中所展示，开口212b可与平面218及/或纵向轴线222隔开横向距离d1(例如，沿着平面220从开口212b的中心测量)。开口212b可与开口212d隔开横向距离d2。开口212d可与开口212f隔开横向距离d3。在一些实施方式中，d1小于d2及/或d2小于d3。换句话说，多个开口212中的开口(例如，开口212b)与邻近开口(例如，开口212d)之间的间隔可基于开口(例如，开口212b)与管部件202的纵向轴线222及/或与将管部件210的长度二等分的平面218的横向距离(例如，d1)。
38.在一些实施方式中，l2及l3可介于大约9.5厘米(cm)与大约10.5cm之间(例如，基于腔室102的大小)。风口扩散器106的高度(例如，l1+h2)可介于大约7.2cm与8.9cm之间。管部件210的高度h2及/或宽度w2可介于大约2.8cm与3.4cm之间。管部件202的宽度w1及/或长度l1可介于大约1厘米与1.4cm之间。在一些实施方式中，多个开口212可具有介于大约0.5cm与1.2cm之间的横截面积。
39.基于风口扩散器106在管部件210内包含多个开口212，风口扩散器106可经配置以
在腔室102内提供流体的经改善流场。以此方式，风口扩散器106可减少经由腔室102输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷，可提高包含腔室102的半导体制作设施中的制造合格率及质量，及/或可准许待在半导体制作设施中所处理的半导体晶片上形成的集成电路及/或半导体装置的装置及/或构件大小继续减小。
40.如上文所指示，图2a到2c是作为实例而提供。其它实例可与关于图2a到2c所描述的不同。
41.图3a到3e是本文中所描述的额外实例性风口扩散器的图式。如由图3a所展示，多个开口212可为弯曲(例如，椭圆形)开口。如由图3b所展示，多个开口212可为矩形的。如由图3b所展示，多个开口212可为三角形的。其它实例可包含具有与关于图3a到3c所描述的不同的形状的开口。
42.如由图3d所展示，管部件210可具有多边形第一开口214及/或第二开口216。换句话说，管部件210可包含平面化表面，包含举例来说多个开口212位于其上的平面化表面。
43.如由图3e所展示，多个开口212可具有不均匀大小。如所展示，开口212b可大于开口212d及/或开口212d可大于开口212f。在一些实施方式中，多个开口212的大小可基于多个开口与管部件202的平面218及/或纵向轴线222的距离。在一些实施方式中，当开口距管部件202的中心较远或者距风口208的连接处较远(例如，经由管部件202的第二端206)时，大小可减小。在一些实施方式中，配置具有基于多个开口与管部件202的平面218及/或纵向轴线222的距离而减小的大小的多个开口212可具有与配置基于多个开口与管部件202的平面218及/或纵向轴线222的距离的邻近开口之间的间隔的多个开口212类似的效果。
44.如上文所指示，图3a到3e是作为风口扩散器的实例而提供。其它实例可与关于图2a到2c所描述的不同。举例来说，多个开口中的开口可包含一组开口(例如，开口阵列)。举例来说，开口可在距将第二管部件的长度或第一管部件的纵向轴线二等分的平面的相同距离处包含多个开口(例如，经堆叠开口)。在其它实例中，开口可包含居中于距将第二管部件的长度或第一管部件的纵向轴线二等分的平面的所定义距离上的多个开口(例如，经分群开口)。
45.图4是与本文中所描述的一或多个装置相关联的装置400的实例性组件的图式。装置400可对应于与腔室102、输送工具104及/或风口扩散器106相关联的装置及/或控制器。在一些实施方式中，装置及/或控制器可包含一或多个装置400及/或装置400的一或多个组件。如图4中所展示，装置400可包含总线410，处理器420、存储器430、存储组件440、输入组件450、输出组件460及通信组件470。
46.总线410包含使得能够在装置400的组件当中进行有线及/或无线通信的组件。处理器420包含中央处理单元、图形处理单元、微处理器、控制器、微控制器、数字信号处理器、现场可编程门阵列、专用集成电路及/或另一类型的处理组件。处理器420是以硬件、固件或者硬件与软件的组合实施。在一些实施方式中，处理器420包含能够经编程以执行功能的一或多个处理器。存储器430包含随机存取存储器、唯读存储器及/或另一类型的存储器(例如，快闪存储器、磁性存储器及/或光学存储器)。
47.存储组件440存储与装置400的操作有关的信息及/或软件。举例来说，存储组件440可包含硬盘驱动器、磁盘驱动器、光盘驱动器、固态磁盘驱动器、光盘、数字多功能光盘及/或另一类型的非暂时性计算机可读媒体。输入组件450使得装置400能够接收输入，例如
用户输入及/或所感测输入。举例来说，输入组件450可包含触摸屏幕、键盘、小键盘、鼠标、按钮、麦克风、开关、传感器、全球定位系统组件、加速度计、陀螺仪及/或致动器。输出组件460使得装置400能够例如经由显示器、扬声器及/或一或多个发光二极管提供输出。通信组件470使得装置400能够例如经由有线连接及/或无线连接与其它装置通信。举例来说，通信组件470可包含接收器、发射器、收发器、调制解调器、网络适配器及/或天线。
48.装置400可执行本文中所描述的一或多个过程。举例来说，非暂时性计算机可读媒体(例如，存储器430及/或存储组件440)可存储一组指令(例如，一或多个指令、代码、软件代码及/或可编程代码)以供处理器420执行。处理器420可执行所述组指令以执行本文中所描述的一或多个过程。在一些实施方式中，由一或多个处理器420执行所述组指令致使一或多个处理器420及/或装置400执行本文中所描述的一或多个过程。在一些实施方式中，硬连线电路系统可用于代替指令或与指令组合以执行本文中所描述的一或多个过程。因此，本文中所描述的实施方案并不限于硬件电路系统与软件的任何特定组合。
49.图4中所展示的组件数目及布置是作为实例而提供。与图4中所展示的那些组件相比，装置400可包含额外组件、较少组件、不同组件或经不同布置的组件。另外或另一选择是，装置400的一组组件(例如，一或多个组件)可执行描述为由装置400的另一组组件执行的一或多个功能。
50.图5是与风口扩散器相关联的实例性过程500的流程图。在一些实施方式中，图5的一或多个过程框可由风口扩散器(例如，风口扩散器106)执行。在一些实施方式中，图5的一或多个过程框可由与风口扩散器分离或包含风口扩散器的另一装置或一群组装置(例如腔室102、输送工具104、风口扩散器106)及/或与腔室102、输送工具104及/或风口扩散器106相关联的装置及/或控制器执行。另外或另一选择是，图5的一或多个过程框可由装置400的一或多个组件(例如处理器420、存储器430、存储组件440、输入组件450、输出组件460及/或通信组件470)执行。
51.如图5中所展示，过程500可包含经由沿着风口扩散器的第一管部件的长度隔开的多个开口从腔室接收流体(框510)。举例来说，风口扩散器106可经由沿着风口扩散器106的第一管部件210的长度隔开的多个开口212从腔室102接收流体，如上文所描述。在一些实施方式中，第一管部件210耦合到风口扩散器106的第二管部件202。
52.如图5中进一步所展示，过程500可包含将流体从第一管部件提供到风口扩散器的第二管部件(框520)。举例来说，风口扩散器106可将流体从第一管部件210提供到第二管部件202，如上文所描述。在一些实施方式中，第二管部件202在第二管部件202的第一端204处耦合到腔室102的风口208。在一些实施方式中，第二管部件202在第二管部件202的第二端206处耦合到第一管部件210。
53.如图5中进一步所展示，过程500可包含经由第二管部件将流体提供到风口(框530)。举例来说，风口扩散器106可经由第二管部件202将流体提供到风口208，如上文所描述。
54.过程500可包含额外实施方式，例如下文所描述的及/或结合本文中他处所描述的一或多个其它过程的任一单个实施方式或实施方式的任一组合。
55.在第一实施方式中，所述第一管部件在将所述第一管部件的长度二等分的平面处耦合到所述第二管部件。
56.在第二实施方式中，单独地或与所述第一实施方式组合，所述多个开口沿着将所述第一管部件的高度大体上二等分的平面而位于所述第一管部件内。
57.在第三实施方式中，单独地或与所述第一实施方式及所述第二实施方式中的一或多者组合，所述多个开口中的第一开口位于距所述第二管部件的纵向轴线的第一横向距离处，其中所述多个开口中的第二开口位于距所述第一开口的第二横向距离处，且其中所述第二横向距离大于所述第一横向距离。
58.在第四实施方式中，单独地或与所述第一实施方式到所述第三实施方式中的一或多者组合，所述第一管部件具有大体上正交于所述第一管部件的长度的椭圆形横截面。
59.在第五实施方式中，单独地或与所述第一实施方式到所述第四实施方式中的一或多者组合，所述多个开口关于所述第二管部件的纵向轴线对称地布置。
60.在第六实施方式中，单独地或与所述第一实施方式到所述第五实施方式组合，所述第一管部件在第一端处包括第一开口且在第二端处包括第二开口，且其中所述第一开口具有第一横截面积且所述第二开口具有第二横截面积，其中所述第一横截面积及所述第二横截面积大于所述多个开口的横截面积。
61.在第七实施方式中，单独地或与所述第一实施方式到所述第六实施方式中的一或多者组合，所述多个开口的横截面积是大体上相等的。
62.在第八实施方式中，单独地或与所述第一实施方式到所述第七实施方式中的一或多者组合，所述多个开口的横截面积小于所述第二管部件的所述第一端的横截面积。
63.尽管图5展示过程500的实例性框，但在一些实施方式中，与图5中所描绘的那些框相比，过程500可包含额外框、较少框、不同框或经不同布置的框。另外或另一选择是，可并行执行过程500的框中的一或多者。
64.图6是与风口扩散器相关联的实例性过程600的流程图。在一些实施方式中，图6的一或多个过程框可由风口扩散器(例如，风口扩散器106)执行。在一些实施方式中，图6的一或多个过程框可由与风口扩散器分离或包含风口扩散器的另一装置或一群组装置(例如腔室102、输送工具104、风口扩散器106)及/或与腔室102、输送工具104及/或风口扩散器106相关联的装置及/或控制器执行。另外或另一选择是，图6的一或多个过程框可由装置400的一或多个组件(例如处理器420、存储器430、存储组件440、输入组件450、输出组件460及/或通信组件470)执行。
65.如图6中所展示，过程600可包含经由风口扩散器的第一管部件从腔室接收流体，其中第一管部件经配置以经由沿着将第一管部件的高度大体上二等分的平面隔开的多个开口接收流体(框610)。举例来说，风口扩散器106可经由风口扩散器106的第一管部件210从腔室102接收流体，如上文所描述。在一些实施方式中，第一管部件210经配置以经由沿着将第一管部件210的高度h2大体上二等分的平面220隔开的多个开口212接收流体。在一些实施方式中，多个开口212关于第二管部件202的纵向轴线222是大体上对称的。
66.在一些实施方式中，多个开口212中的开口212与邻近开口212之间的间隔是基于开口212与风口扩散器106的第二管部件202的纵向轴线222的横向距离。
67.如图6中进一步所展示，过程600可包含在第二管部件处从第一管部件接收流体(框620)。举例来说，风口扩散器106可在第二管部件202处从第一管部件210接收流体，如上文所描述。在一些实施方式中，第二管部件202在第二管部件202的第一端204处耦合到腔室
102的风口208。在一些实施方式中，第二管部件202在第二管部件202的第二端206处耦合到第一管部件210。
68.如图6中进一步所展示，过程600可包含经由第二管部件将流体提供到风口(框630)。举例来说，风口扩散器106可经由第二管部件202将流体提供到风口208，如上文所描述。
69.过程600可包含额外实施方式，例如下文所描述的及/或结合本文中他处所描述的一或多个其它过程的任一单个实施方式或实施方式的任一组合。
70.在第一实施方式中，所述第一管部件大体上平行于所述腔室的下部表面。
71.在第二实施方式中，单独地或与所述第一实施方式组合，所述第一管部件大体上垂直于所述第二管部件。
72.在第三实施方式中，单独地或与所述第一实施方式及所述第二实施方式中的一或多者组合，所述多个开口包括多边形开口。
73.在第四实施方式中，单独地或与所述第一实施方式到所述第三实施方式中的一或多者组合，所述多边形开口包括六边形开口。
74.尽管图6展示过程600的实例性框，但在一些实施方式中，与图6中所描绘的那些框相比，过程600可包含额外框、较少框、不同框或经不同布置的框。另外或另一选择是，可并行执行过程600的框中的一或多者。
75.基于腔室包含风口扩散器106(例如，如关于图2a到3e所描述)，腔室可经配置以在腔室内提供流体的经改善流场。以此方式，风口扩散器可减少经由腔室输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷，可提高包含腔室的半导体制作设施中的制造合格率及质量，及/或可准许待在半导体制作设施中所处理的半导体晶片上形成的集成电路及/或半导体装置的装置及/或构件大小继续减小。
76.如上文所更详细描述，本文中所描述的一些实施方式提供一种方法。所述方法包含经由沿着风口扩散器的第一管部件的长度隔开的多个开口从腔室接收流体，其中所述第一管部件耦合到所述风口扩散器的第二管部件。所述方法也包含将所述流体从所述第一管部件提供到所述第二管部件，其中所述第二管部件在所述第二管部件的第一端处耦合到所述腔室的风口，且其中所述第二管部件在所述第二管部件的第二端处耦合到所述第一管部件。所述方法进一步包含经由所述第二管部件将所述流体提供到所述风口。
77.如上文所更详细描述，本文中所描述的一些实施方式提供一种方法。所述方法包含经由风口扩散器的第一管部件从腔室接收流体，其中所述第一管部件经配置以经由沿着将所述第一管部件的高度大体上二等分的平面隔开的多个开口接收所述流体。所述多个开口关于所述第一管部件的纵向轴线是大体上对称的，且所述多个开口中的开口与邻近开口之间的间隔是基于所述开口与所述风口扩散器的第二管部件的所述纵向轴线的横向距离。所述方法也包含在所述第二管部件处从所述第一管部件接收所述流体，其中所述第二管部件在所述第二管部件的第一端处耦合到所述腔室的风口，且其中所述第二管部件在所述第二管部件的第二端处耦合到所述第一管部件。所述方法进一步包含经由所述第二管部件将所述流体提供到所述风口。
78.如上文所更详细描述，本文中所描述的一些实施方式提供一种腔室。所述腔室在所述腔室的内部包含输送工具。所述腔室也在所述腔室的所述内部的表面上包含风口。所
述腔室进一步包含包括第一管部件及第二管部件的风口扩散器。所述第一管部件包括沿着所述第一管部件的长度隔开的多个开口，其中所述多个开口经配置以从所述腔室接收流体。所述第二管部件在所述第二管部件的第一端处耦合到所述风口，且所述第二管部件在所述第二管部件的第二端处耦合到所述第一管部件。所述第二管部件经配置以在所述第二端处从所述第一管部件接收所述流体并且在所述第一端处将所述流体提供到所述风口。
79.前述内容概述数个实施例的构件，使得所属领域的技术人员可较佳地理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易地使用本揭露作为设计或修改用于执行与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与所述实施例相同的优点的其它工艺及结构的基础。所属领域的技术人员亦应认识到，此些等效构造并不背离本揭露的精神及范围，且其可在不背离本揭露的精神及范围的情况下在本文中做出各种改变、替换及更改。
80.符号说明
81.100:实例性半导体处理环境
82.102:腔室
83.104:输送工具
84.106:风口扩散器/实例性风口扩散器
85.108:泵口
86.110:半导体处理工具
87.112:下部表面
88.114:侧表面/侧壁
89.116:表面
90.202:管部件/第二管部件
91.204:第一端
92.206:第二端
93.208:风口
94.210:管部件/第一管部件
95.212a:开口
96.212b:开口
97.212c:开口
98.212d:开口
99.212e:开口
100.212f:开口
101.212g:开口
102.214:第一开口/多边形第一开口
103.216:第二开口/多边形第二开口
104.218:平面
105.220:平面
106.222:纵向轴线
107.410:总线
108.420:处理器
109.430:存储器
110.440:存储组件
111.450:输入组件
112.460:输出组件
113.470:通信组件
114.500:实例性过程/过程
115.510:框
116.520:框
117.530:框
118.600:实例性过程/过程
119.610:框
120.620:框
121.630:框
122.d1:横向距离
123.d2:横向距离
124.d3:横向距离
125.h1:高度
126.h2:高度
127.l1:长度
128.l2:长度
129.l3:长度
130.w1:宽度
131.w2:宽度。