显示装置的制作方法

1.本发明的实施方式涉及显示装置。更具体地，本发明的实施方式涉及拼接式显示装置。


背景技术：

2.通常，拼接式显示装置可包括多个显示装置以实现大屏幕。在这种拼接式显示装置中，定位在相邻显示装置之间的边界处的边框可由用户识别，并因此可能降低拼接式显示装置的显示品质。


技术实现要素：

3.本发明的实施方式提供了具有经改善的显示品质的显示装置。
4.本发明的实施方式也提供了制造具有经改善的显示品质的显示装置的方法。
5.显示装置的实施方式包括第一衬底、薄膜晶体管层、第一电路板和第二电路板，第一衬底具有柔性，薄膜晶体管层布置在第一衬底上，其中薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，第一电路板布置在第一衬底下面，第二电路板将第一电路板与薄膜晶体管彼此电连接。在这种实施方式中，第二电路板的一部分布置在第一衬底与薄膜晶体管层之间。
6.在实施方式中，第二电路板的第一端部可布置在第一衬底与薄膜晶体管层之间，并且第二电路板的与第一端部相对的第二端部可布置在第一衬底下面。
7.在实施方式中，显示装置还可包括布置在第一衬底与薄膜晶体管层之间的焊盘电极以及布置在第一衬底与焊盘电极之间的连接线。在这种实施方式中，连接线的第一端部可连接到第二电路板，并且连接线的与第一端部相对的第二端部可连接到焊盘电极。
8.在实施方式中，显示装置还可包括布置在连接线与薄膜晶体管层之间的第二衬底。
9.在实施方式中，与连接线的第一端部连接的第二电路板的第一端部可布置在连接线与第二衬底之间。
10.在实施方式中，显示装置还可包括布置在第一衬底与连接线之间的第一阻挡层以及布置在连接线与第二衬底之间的第二阻挡层。
11.在实施方式中，连接线的第一端部可与第二阻挡层间隔开，并且连接线的第二端部可接触第二阻挡层。
12.在实施方式中，与连接线的第一端部连接的第二电路板的第一端部可布置在连接线与第二阻挡层之间。
13.在实施方式中，第二衬底可包括与连接线的第二端部重叠并具有第一高度的第一部分以及与连接线的第一端部重叠并具有小于第一高度的第二高度的第二部分。
14.在实施方式中，通孔可穿过第二衬底限定为暴露连接线的第二端部的至少一部分。在这种实施方式中，焊盘电极可通过通孔电连接到连接线。
15.在实施方式中，显示装置还可包括布置在薄膜晶体管层上的发光元件层和布置在
发光元件层上的封装层。
16.在实施方式中，显示装置还可包括布置在连接线与薄膜晶体管层之间的发光元件层和布置在连接线与发光元件层之间的封装层。
17.在实施方式中，通孔可穿过封装层限定为暴露连接线的第二端部的至少一部分。在这种实施方式中，焊盘电极可通过通孔电连接到连接线。
18.在实施方式中，第一衬底可包括与连接线的第二端部重叠的第一部分和与连接线的第一端部重叠的第二部分。
19.在实施方式中，第一衬底的第二部分可布置在第一衬底的边缘处。
20.在实施方式中，第一衬底还可包括第三部分，第三部分在第二部分介入其间的情况下与第一部分间隔开，并且第三部分与第二部分间隔开。在这种实施方式中，第二电路板的弯折部分可布置在限定在第一衬底的第二部分与第一衬底的第三部分之间的开口中。
21.在实施方式中，第一电路板的第一端部可连接到第二电路板。显示装置还可包括将第一电路板的与第一端部相对的第二端部固定到第一衬底的下表面的固定构件。
22.在实施方式中，第一衬底与第一电路板的第一端部之间的第一距离可大于第一衬底与第一电路板的第二端部之间的第二距离。
23.制造显示装置的方法的实施方式包括：在载体衬底上提供具有柔性的第一衬底；在第一衬底上提供连接线；在第一衬底中形成贯穿第一衬底的开口；提供覆盖开口和连接线的与开口相邻的第一端部的有机层；提供覆盖有机层和连接线的第二衬底，在第二衬底中形成暴露连接线的与第一端部相对的第二端部的通孔；提供通过通孔电连接到连接线的第二端部的焊盘电极；在第二衬底上提供包括薄膜晶体管的薄膜晶体管层；将第一衬底与载体衬底分离，从而去除有机层；以及在连接线的第一端部上接合与焊盘电极电连接的电路板。
24.在实施方式中，与连接线的第一端部接合的电路板的第一端部可布置在第一衬底与第二衬底之间，并且电路板的与第一端部相对的第二端部可布置在第一衬底下面。
25.在实施方式中，第一衬底可包括与连接线的第二端部重叠的第一部分和与连接线的第一端部重叠的第二部分。在这种实施方式中，接合电路板可包括：在第一衬底的第一部分固定到第二衬底的情况下将第一衬底的第二部分从第二衬底剥离之后接合电路板。
26.在实施方式中，有机层可暴露连接线的第二端部。
27.在实施方式中，去除有机层可包括：使用溶剂溶解有机层。
28.制造显示装置的方法的实施方式包括：提供包括具有柔性的第一衬底和布置在第一衬底上的连接线的下部结构；提供包括包含薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的焊盘电极的薄膜晶体管层的上部结构；以焊盘电极与连接线的第一端部重叠的方式将上部结构与下部结构彼此组合；以及将与焊盘电极电连接的电路板在连接线的与第一端部相对的第二端部上接合。
29.在实施方式中，与连接线的第二端部接合的电路板的第一端部可布置在第一衬底与上部结构之间，并且电路板的与第一端部相对的第二端部可布置在第一衬底下面。
30.在实施方式中，第一衬底可包括与连接线的第一端部重叠的第一部分和与连接线的第二端部重叠的第二部分。在这种实施方式中，接合电路板可包括：在第一衬底的第一部分固定到上部结构的情况下将第一衬底的第二部分从上部结构剥离之后接合电路板。
31.在实施方式中，提供下部结构可包括：在第一载体衬底上提供第一衬底；在第一衬底上提供连接线；形成穿过第一衬底的开口；以及将导电粘合构件接合到连接线的第一端部。
32.在实施方式中，制造显示装置的方法还可包括：在接合电路板之前，将第一衬底与第一载体衬底分离。
33.在实施方式中，提供上部结构可包括：在第二载体衬底上提供第二衬底；形成穿过第二衬底的通孔；提供覆盖通孔的焊盘电极；以及在焊盘电极上提供薄膜晶体管层。在这种实施方式中，将上部结构与下部结构彼此组合可包括：在将第二衬底与第二载体衬底分离之后，将上部结构与下部结构彼此组合。
34.在实施方式中，形成上部结构可包括：在第二载体衬底上提供第二衬底；在第二衬底上提供薄膜晶体管层；在薄膜晶体管层上提供封装层；形成穿过封装层的通孔；以及形成覆盖通孔的焊盘电极。在这种实施方式中，将上部结构与下部结构彼此组合可包括：在翻转上部结构以使得焊盘电极定位在薄膜晶体管层下面之后将上部结构与下部结构彼此组合。
35.根据本发明的显示装置的实施方式可包括布置在衬底层下面的电路板。电路板可通过布置在衬底层内部的连接线连接到焊盘电极。相应地，可减小显示装置的死区。在这种实施方式中，当显示装置为包括多个显示装置的拼接式显示装置时，可防止或减小包括在拼接式显示装置中的多个显示装置之中相邻的显示装置之间的边界的外部可见性。相应地，可改善拼接式显示装置的显示品质。
36.在根据本发明的制造显示装置的方法的实施方式中，电路板的接合工艺可在下衬底的接合电路板的接合区域从上衬底剥离的状态下执行。相应地，可在电路板的接合工艺期间防止或减少施加到接合区域的热量或压力传递到显示装置的内部，以使得可改善显示装置的显示品质，并且可改善显示装置的可靠性。
附图说明
37.通过参照附图进一步详细描述本发明的实施方式，本发明的以上和其它的特征将变得更加显而易见，在附图中：
38.图1是示出根据实施方式的拼接式显示装置的平面视图；
39.图2是示出根据实施方式的显示装置的框图；
40.图3是示出根据实施方式的显示装置的平面视图；
41.图4是沿图3的线i-i'截取的剖面视图；
42.图5是沿图3的线ii-ii'截取的剖面视图；
43.图6是示出包括在图3的显示装置中的第一衬底的实施方式的仰视图；
44.图7是示出图6的替代性实施方式的仰视图；
45.图8是示出图6的另一替代性实施方式的仰视图；
46.图9是图5的区域“a”的放大剖面视图；
47.图10是示出沿图3的线ii-ii'截取的替代性实施方式的剖面视图；
48.图11至图18是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图；
49.图19是示出图17的替代性实施方式的剖面视图；
50.图20是示出图17的另一替代性实施方式的剖面视图；
51.图21是示出根据替代性实施方式的显示装置的剖面视图；
52.图22至图29是示出根据替代性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图；
53.图30是示出根据另一替代性实施方式的显示装置的剖面视图；
54.图31是图30的区域“b”的放大剖面视图；以及
55.图32至图38是示出根据另一替代性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
具体实施方式
56.现在，将在下文中参照示出了各种实施方式的附图对本发明更加全面地描述。然而，本发明可以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将为彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本发明的范围。在整个说明书中，相似的附图标记是指相似的元件。
57.将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，该元件能直接在另一元件上，或者居间元件可在其间。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在居间元件。
58.将理解，虽然措辞“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些措辞限制。这些措辞仅用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一元件、部件、区、层或者部分区分开。因此，以下讨论的第一“元件”、“部件”、“区”、“层”或“部分”能被称作第二元件、部件、区、层或部分，而不背离本文中的教导。
59.本文中所使用的专业用语仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。除非内容另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，从而包括“至少一个”。例如，除非上下文另有清楚指示，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“或(or)”意味着“和/或(and/or)”。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还将理解，当措辞“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”或者“包括(include)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、区、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。
60.此外，在本文中可使用诸如“下/下部(lower)”或“底/底部(bottom)”和“上/上部(upper)”或“顶/顶部(top)”的相对措辞来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中所描绘的取向之外，相对措辞还旨在涵盖装置的不同取向。在实施方式，当多个图中的一个中的装置被翻转时，被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随后被取向在其它元件的“上”侧上。因此，示例性措辞“下”能取决于图的特定取向而涵盖“下”和“上”的取向这两者。相似地，当多个图中的一个中的装置被翻转时，被描述为在其它元件“下方(below)”或“之下(beneath)”的元件将随后被取向在其它元件“上方”。因此，示例性措辞“下方(below)”或“之下(beneath)”能涵盖上方和下方的取向。
61.考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约(about)”或者“近似(approximately)”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受的偏差的范围内。例如，“约(about)”能意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％
内。
62.除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非在本文中明确地如此限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或者过于正式的含义来解释。
63.本文中参照作为理想化实施方式的示意性图示的剖面图示对实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中所描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示出的特定的区的形状，而是将包括由例如制造而导致的形状的偏差。例如，被示出或被描述为平坦的区通常可具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可被倒圆。因此，图中所示的区本质上为示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状，并且不旨在限制权利要求书的范围。
64.在下文中，将参照附图对本发明的实施方式进行详细描述。
65.图1是示出根据实施方式的拼接式显示装置的平面视图。
66.参照图1，显示装置的实施方式可为包括多个显示装置的拼接式显示装置td。多个显示装置中的每个可显示单独的图像或一个图像的对应部分。多个显示装置可分别包括相同结构、相同尺寸或相同类型的显示面板，但是实施方式不限于此。
67.在实施方式中，多个显示装置可沿第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2以矩阵形式排列。在一个实施方式中，例如，如图1中所示，拼接式显示装置td可包括在平面视图中以3
×
3的形状排列的第一显示装置10a至第九显示装置10i。第一显示装置10a至第九显示装置10i可分别显示第一图像至第九图像。用户可观察组合了第一图像至第九图像的图像。然而，实施方式不限于此，并且拼接式显示装置td可包括2至8个、或者10个或更多个显示装置。
68.图2是示出根据实施方式的显示装置的框图。具体地，图2的显示装置10可示出图1的第一显示装置10a至第九显示装置10i中的一个的实施方式。
69.参照图2，显示装置10的实施方式可包括显示面板dp和驱动器。驱动器可包括驱动控制器con、栅极驱动器gdv和数据驱动器ddv。
70.显示面板dp可包括像素px、栅极线gl和数据线dl。像素px可布置在显示图像的显示区域中。像素px可电连接到栅极线gl和数据线dl。在一个实施方式中，例如，像素px可沿第一方向dr1和第二方向dr2以矩阵形式排列。在一个实施方式中，例如，第二方向dr2可垂直于第一方向dr1。像素px中的每个可包括薄膜晶体管和发光元件。发光元件可生成光。发光元件可为无机发光二极管或有机发光二极管。
71.栅极线gl和数据线dl可彼此交叉。在一个实施方式中，例如，栅极线gl中的每个通常可在第二方向dr2上延伸，并且多个栅极线gl可在第一方向dr1上排列。数据线dl中的每个通常可在第一方向dr1上延伸，并且多个数据线dl可在第二方向dr2上排列。
72.驱动控制器con可基于从外部装置提供的输入图像数据idat和输入控制信号ctrl来生成栅极控制信号gctrl、数据控制信号dctrl和输出图像数据odat。在一个实施方式中，例如，输入图像数据idat可为包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据的rgb数据。输入控制信号ctrl可包括主时钟信号和输入数据使能信号。输入控制信号ctrl还可包括垂直同步信号和水平同步信号。
73.栅极驱动器gdv可基于从驱动控制器con提供的栅极控制信号gctrl来生成栅极信号。在一个实施方式中，例如，栅极控制信号gctrl可包括垂直起始信号和栅极时钟信号。栅极驱动器gdv可将栅极信号顺序地输出到包括在显示面板dp中的栅极线gl。
74.数据驱动器ddv可基于从驱动控制器con提供的数据控制信号dctrl和输出图像数据odat来生成数据信号。在一个实施方式中，例如，数据控制信号dctrl可包括输出数据使能信号、水平起始信号和负载信号。数据驱动器ddv可将数据信号输出到包括在显示面板dp中的数据线dl。
75.在实施方式中，栅极驱动器gdv和数据驱动器ddv中的每个可实现为集成电路(“ic”)。栅极驱动器gdv和数据驱动器ddv中的每个可包括ic芯片、其上安装有ic芯片的衬底、其上安装有ic芯片的膜或类似物。
76.图3是示出根据实施方式的显示装置的平面视图。图4是沿图3的线i-i'截取的剖面视图。图5是沿图3的线ii-ii'截取的剖面视图。具体地，图3的显示装置10可示出图1的第一显示装置10a至第九显示装置10i中的一个的实施方式。
77.参照图3至图5，显示装置10的实施方式可包括衬底层100、薄膜晶体管层200、发光元件层300、封装层400、保护膜500和驱动器600。
78.衬底层100可包括第一衬底110、第二衬底120、第一阻挡层131、第二阻挡层132和连接线140。
79.第一衬底110可为透明绝缘衬底。第一衬底110可为柔性且可弯折的。在一个实施方式中，例如，第一衬底110可包括聚酰亚胺(“pi”)、聚醚砜(“pes”)、聚丙烯酸酯(“par”)、聚醚酰亚胺(“pei”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“pen”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)、聚苯硫醚(“pps”)、聚碳酸酯(“pc”)、醋酸丙酸纤维素(“cap”)或类似物。
80.连接线140可布置在第一衬底110上。连接线140可包括诸如金属的导电材料。连接线140可电连接薄膜晶体管与驱动器600。在一个实施方式中，例如，第二电路板620可连接到连接线140的第一端部141，并且焊盘电极pd可连接到连接线140的与第一端部141相对的第二端部142。
81.第二衬底120可布置在第一衬底110和连接线140上。第二衬底120可布置在连接线140与薄膜晶体管层200之间。在一个实施方式中，例如，第二衬底120可包括与第一衬底110基本上相同的材料。
82.第一阻挡层131和第二阻挡层132可布置在第一衬底110与第二衬底120之间。第一阻挡层131可布置在第一衬底110与连接线140之间。第一阻挡层131可包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或类似物的无机绝缘材料。第一阻挡层131可改善第一衬底110与连接线140之间的粘合力。
83.第二阻挡层132可布置在连接线140与第二衬底120之间。第二阻挡层132可包括无机绝缘材料。第二阻挡层132可改善第二衬底120与连接线140之间的粘合力。
84.薄膜晶体管层200可布置在衬底层100上。薄膜晶体管层200可包括与焊盘电极pd电连接的至少一个薄膜晶体管。发光元件层300可布置在薄膜晶体管层200上。发光元件层300可包括与薄膜晶体管电连接的至少一个发光元件。封装层400可布置在发光元件层300上。保护膜500可布置在封装层400上。稍后将参照图9详细描述薄膜晶体管层200、发光元件层300和封装层400。
85.焊盘电极pd可布置在第一衬底110与薄膜晶体管层200之间。焊盘电极pd可布置在连接线140上。在实施方式中，连接线140可布置在第一衬底110与焊盘电极pd之间。焊盘电极pd可电连接到连接线140和薄膜晶体管。焊盘电极pd可包括诸如金属的导电材料。
86.在实施方式中，第一通孔th1可在第二衬底120中限定为与连接线140的第二端部142重叠。第一通孔th1可限定为在第二衬底120和第二阻挡层132的厚度方向上穿过第二衬底120和第二阻挡层132。第一通孔th1可暴露连接线140的第二端部142的至少一部分。焊盘电极pd可布置在第二衬底120上，并且可通过第一通孔th1电连接到连接线140的第二端部142。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可直接接触连接线140。
87.在实施方式中，焊盘电极pd可延伸到第一通孔th1中。在一个实施方式中，例如，如图5中所示，焊盘电极pd可覆盖第一通孔th1的侧表面和底表面。
88.在实施方式中，填充构件fm可布置在第一通孔th1内部。填充构件fm可接触焊盘电极pd。填充构件fm可通过填充第一通孔th1的内部空间来补偿阶梯差。在一个实施方式中，例如，填充构件fm可包括容易填充第一通孔th1的内部空间的有机材料。
89.驱动器600可包括第一电路板610、第二电路板620和驱动集成电路。
90.第一电路板610可布置在第一衬底110下面。第二电路板620可电连接第一电路板610与连接线140。在这种实施方式中，第一电路板610可通过第二电路板620、连接线140和焊盘电极pd电连接到薄膜晶体管。
91.第二电路板620的第一端部621可连接到连接线140。在一个实施方式中，例如，第二电路板620的第一端部621可通过导电粘合构件150接合到连接线140的第一端部141(可通过导电粘合构件150附接到连接线140的第一端部141)。在一个实施方式中，例如，导电粘合构件150可为各向异性导电膜(“acf”)。
92.第二电路板620的一部分可定位在第一衬底110与薄膜晶体管层200之间。在一个实施方式中，例如，第二电路板620的第一端部621可定位在第一衬底110与薄膜晶体管层200之间。第二电路板620的第一端部621可定位在连接线140与第二衬底120之间。第二电路板620的第一端部621可定位在连接线140与第二阻挡层132之间。
93.第二电路板620的与第一端部621相对的第二端部622可连接到第一电路板610。在一个实施方式中，例如，第二电路板620的第二端部622可通过导电粘合构件(未示出)接合到第一电路板610的第一端部611。在一个实施方式中，例如，第一电路板610的第二端部612可固定在第一衬底110的下表面上，但是实施方式不限于此。
94.第二电路板620(例如，第二电路板620的第二端部622)可弯折到第一衬底110下面。在一个实施方式中，例如，第二电路板620可具有可弯折部分623。第二电路板620的可弯折部分623可限定在第二电路板620的第一端部621和第二端部622之间。第二电路板620的第二端部622可通过第二电路板620的可弯折部分623而弯折到第一衬底110下面。在这种实施方式中，第二电路板620的第一端部621可定位在第一衬底110与第二衬底120之间，并且第二电路板620的第二端部622可定位在第一衬底110下面。
95.虽然未在图中示出，但是驱动集成电路可安装在第一电路板610和/或第二电路板620上。在一个实施方式中，例如，图2的驱动控制器con可安装在第一电路板610上。在一个实施方式中，例如，图2的栅极驱动器gdv和数据驱动器ddv可安装在第二电路板620上。然而，实施方式不限于此。
96.图6是示出包括在图3的显示装置中的第一衬底的实施方式的仰视图。特别地，图6可示出包括在图3的显示装置10中的第一衬底110的倒置状态。
97.参照图3至图6，在实施方式中，第一衬底110可包括第一部分111、第二部分112和第三部分113。
98.第一衬底110的第一部分111可与焊盘电极pd重叠。在这种实施方式中，第一衬底110的第一部分111可与连接线140的第二端部142重叠。第一衬底110的第一部分111可固定到第二衬底120。在这种实施方式中，第一衬底110的第一部分111可不从第二衬底120剥离(或与第二衬底120分离)。
99.第一衬底110的第二部分112可在从第一衬底110的第一部分111起的第一方向dr1上定位。第一衬底110的第二部分112可与第二电路板620的第一端部621重叠。在实施方式中，第一衬底110的第二部分112可与连接线140的第一端部141重叠。在这种实施方式中，第二电路板620的第一端部621可接合到第一衬底110的第二部分112。
100.第一衬底110的第二部分112可从第二衬底120剥离。在一个实施方式中，例如，当施加外力时，第一衬底110的第二部分112可在向下方向上(例如，在与第三方向dr3相反的方向上)弯折。在这种实施方式中，如图17中所示，第一衬底110的第二部分112可相对远离第二衬底120。在一个实施方式中，例如，当移除外力时，第一衬底110的第二部分112可恢复到其原始状态。在这种实施方式中，在向下方向上弯折的第一衬底110的第二部分112可在向上方向上(例如，在第三方向dr3上)展平。
101.第一衬底110的第一部分111和第二部分112可一体地形成为单个整体单元。在这种实施方式中，即使第一衬底110的一部分弯折并且第二部分112从第二衬底120剥离，第一衬底110也可通过固定到第二衬底120的第一衬底110的第一部分111而不从第二衬底120完全剥离。
102.在一个实施方式中，例如，如图6中所示，第一衬底110可具有在第二方向dr2上排列的多个第二部分112。第一衬底110的每个第二部分112可与对应的驱动器(例如，图3的驱动器600)重叠。在这种实施方式中，第一衬底110的分别与驱动器重叠的部分可从第二衬底120剥离。
103.第一衬底110的第三部分113可在从第一衬底110的第二部分112起的第一方向dr1上定位。在实施方式中，第一衬底110的第三部分113可在第一衬底110的第二部分112介入其间的情况下与第一衬底110的第一部分111间隔开。第一衬底110的第三部分113可固定到第二衬底120。在实施方式中，第一衬底110的第三部分113可不从第二衬底120剥离。
104.在实施方式中，第一衬底110的第三部分113可在第一方向dr1上与第一衬底110的第二部分112间隔开。第一开口op1可形成在第一衬底110的第二部分112与第一衬底110的第三部分113之间。在实施方式中，第一开口op1可限定为第一衬底110的第三部分113与第一衬底110的第二部分112间隔开的空间。
105.在一个实施方式中，例如，如图5中所示，第二电路板620的可弯折部分623可定位在第一开口op1中。在实施方式中，第一开口op1可容纳第二电路板620的可弯折部分623。在这种实施方式中，第一衬底110的第二部分112可通过第一开口op1而容易从第二衬底120剥离。
106.图7是示出图6的替代性实施方式的仰视图。
107.参照图3、图4、图5和图7，在实施方式中，第一衬底110的第二部分112可定位在第一衬底110的边缘(例如，第一方向dr1的长边)处。在这种实施方式中，第一衬底110的第三部分113可被省略。在这种实施方式中，第二电路板620的可弯折部分623可定位在第一衬底110外部。
108.图8是示出图6的另一替代性实施方式的仰视图。
109.参照图3、图4、图5和图8，在实施方式中，第一衬底110可具有在第二方向dr2上延伸的第二部分112。第一衬底110的第二部分112可与在第二方向dr2上排列的多个驱动器600重叠。在这种实施方式中，第一衬底110的在排列有多个驱动器600的方向上延伸的部分可从第二衬底120剥离。在图8中，第二部分112示出为定位在第一衬底110的边缘处，但是替代性地，第二部分112可定位在第一衬底110内部，如图6中所示。
110.返回参照图3至图5，在实施方式中，第二衬底120可包括第一部分121和第二部分122。
111.第二衬底120的第一部分121可与焊盘电极pd重叠。在实施方式中，第二衬底120的第一部分121可与连接线140的第二端部142重叠。第二衬底120的第一部分121可具有在第三方向dr3上的第一高度h1。
112.第二衬底120的第二部分122可在从第二衬底120的第一部分121起的第一方向dr1上定位。第二衬底120的第二部分122可与第二电路板620的第一端部621重叠。在实施方式中，第二衬底120的第二部分122可与连接线140的第一端部141重叠。第二衬底120的第二部分122可具有在第三方向dr3上的第二高度h2。
113.在实施方式中，第二衬底120可具有大致平坦的上表面。在这种实施方式中，第一高度h1可大于第二高度h2。在这种实施方式中，在第二衬底120的第一部分121的下表面与第二衬底120的第二部分122的下表面之间可出现阶梯差。
114.第二阻挡层132可在第二衬底120的下表面下面覆盖第二衬底120。在一个实施方式中，例如，第二阻挡层132可沿第二衬底120的轮廓具有基本上均匀的厚度。
115.在实施方式中，连接线140的第一端部141可与第二阻挡层132间隔开。连接线140的第二端部142可接触第二阻挡层132。在一个实施方式中，例如，连接线140的第一端部141可接触导电粘合构件150。
116.由于第二衬底120的第一部分121的下表面与第二衬底120的第二部分122的下表面之间的阶梯差，连接线140的第一端部141与第二阻挡层132之间可限定有第二开口op2。在实施方式中，第二开口op2可限定为第二阻挡层132与连接线140间隔开的空间。第二电路板620的第一端部621可定位在第二开口op2中。
117.图9是图5的区域“a”的放大剖面视图。
118.参照图5和图9，在实施方式中，薄膜晶体管层200可包括薄膜晶体管tft、缓冲层210、栅极绝缘层220、层间绝缘层230、第一钝化层240和第一平坦化层250。薄膜晶体管tft可包括有源层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。
119.缓冲层210可布置在衬底层100上。在一个实施方式中，例如，缓冲层210可布置在第二衬底120上。缓冲层210可覆盖焊盘电极pd。缓冲层210可包括无机绝缘材料。缓冲层210可防止或减少异物从衬底层100渗透到有源层act中。
120.有源层act可布置在缓冲层210上。在一个实施方式中，例如，有源层act可包括硅
半导体、氧化物半导体或类似物。硅半导体可包括非晶硅、多晶硅或类似物。有源层act可包括源区域、漏区域和沟道区域。源区域和漏区域中的每个可掺杂有杂质。沟道区域可布置在源区域与漏区域之间。
121.栅极绝缘层220可布置在缓冲层210上。栅极绝缘层220可覆盖有源层act。栅极绝缘层220可包括无机绝缘材料。
122.栅电极ge可布置在栅极绝缘层220上。栅电极ge可与有源层act的沟道区域重叠。栅电极ge可包括金属、合金、导电金属氧化物、导电金属氮化物、透明导电材料或类似物。在一个实施方式中，例如，栅电极ge可包括银(ag)、含银合金、钼(mo)、含钼合金、铝(al)、含铝合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、氮化铬(crn)、钛(ti)、钽(ta)、铂(pt)、钪(sc)、氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)或类似物。
123.层间绝缘层230可布置在栅极绝缘层220上。层间绝缘层230可覆盖栅电极ge。层间绝缘层230可包括无机绝缘材料。
124.源电极se和漏电极de可布置在层间绝缘层230上。源电极se和漏电极de可分别通过接触孔连接到有源层act的源区域和漏区域。源电极se和漏电极de中的每个可包括金属、合金、导电金属氧化物、导电金属氮化物、透明导电材料或类似物。有源层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de可共同限定薄膜晶体管tft。
125.数据线dl可布置在层间绝缘层230上。数据线dl可包括金属、合金、导电金属氧化物、导电金属氮化物、透明导电材料或类似物。数据线dl可通过限定在缓冲层210、栅极绝缘层220和层间绝缘层230中的接触孔电接触焊盘电极pd。数据线dl可通过焊盘电极pd接收由数据驱动器ddv生成的数据信号。在一个实施方式中，例如，数据线dl可电连接到源电极se，并且可将数据信号传输到源电极se。
126.虽然在图9中示出了数据线dl接触焊盘电极pd的实施方式，但是焊盘电极pd可接触栅极线、电力传输线、初始化电压线或类似物。栅极线、电力传输线和初始化电压线中的每个可布置在缓冲层210上、栅极绝缘层220上或层间绝缘层230上。
127.第一钝化层240可覆盖薄膜晶体管tft。第一钝化层240可保护薄膜晶体管tft。
128.第一平坦化层250可布置在第一钝化层240上。第一平坦化层250可具有基本上平坦的上表面，而不在薄膜晶体管tft周围生成阶梯差。第一平坦化层250可包括有机绝缘材料。在一个实施方式中，例如，第一平坦化层250可包括光致抗蚀剂、聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酰类树脂、环氧类树脂或类似物。
129.发光元件层300可布置在薄膜晶体管层200上。在实施方式中，发光元件层300可包括发光单元emu、第一坝310、第二坝320、波长转换部wlc、第二钝化层330、第二平坦化层340、阻光层350、滤色器层cf和第三钝化层360。发光单元emu可包括第一电极ae、第二电极ce和发光元件ed。虽然在图9中示出了一个发光区域la，但是第一发光区域至第三发光区域可重复地布置在显示装置10中。第一发光区域至第三发光区域可分别发射具有彼此不同颜色的光。在一个实施方式中，例如，第一发光区域可发射红色光，第二发光区域可发射绿色光，并且第三发光区域可发射蓝色光。在实施方式中，如图9中所示，阻光区域ba可具有相对宽的宽度。替代性地，阻光区域ba可具有相对窄的宽度。
130.第一坝310和第二坝320可布置在第一平坦化层250上。可穿过第二坝320限定开口以暴露发光区域la。在一个实施方式中，例如，在平面视图中第二坝320可围绕发光区域la。
在这种实施方式中，发光区域la可由第二坝320限定。第二坝320可包括有机绝缘材料。第二坝320还可包括阻光材料以防止相邻发光区域la之间的颜色混合。
131.第一坝310可布置在第二坝320的开口中。在实施方式中，第一坝310可与发光区域la重叠。第一坝310和第二坝320中的每个可包括有机绝缘材料。
132.第一电极ae可布置在第一平坦化层250上。第一电极ae可与发光区域la重叠并且覆盖第一坝310。第一电极ae可通过限定在第一钝化层240和第一平坦化层250中的接触孔电连接到漏电极de。
133.第二电极ce可布置在第一平坦化层250上。第二电极ce可与发光区域la重叠并且覆盖第一坝310。在一个实施方式中，例如，第二电极ce可接收施加到像素的公共电压。第一电极ae和第二电极ce可通过覆盖彼此相邻的第一电极ae的一部分和第二电极ce的一部分的绝缘层而彼此绝缘。
134.发光元件ed可在第一电极ae与第二电极ce之间布置在第一平坦化层250上。发光元件ed可布置在绝缘层上。发光元件ed的一端可连接到第一电极ae，并且发光元件ed的另一端可连接到第二电极ce。在一个实施方式中，例如，发光元件ed可包括具有彼此相同的材料的有效层以发射相同波长带的光或相同颜色的光。在一个实施方式中，例如，发光元件ed可发射具有在约440纳米(nm)至480nm的范围内的峰值波长的蓝色光。
135.当发光区域la为第一发光区域或第二发光区域时(例如，当发光区域la发射红色光或绿色光时)，波长转换部wlc可布置在发光单元emu上。波长转换部wlc可由第二坝320围绕。波长转换部wlc可包括基础树脂br、散射体sct和波长移位器wls。
136.基础树脂br可包括具有相对高的透光率的材料。基础树脂br可由透明有机材料形成。在一个实施方式中，例如，基础树脂br可包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)类树脂、酰亚胺类树脂或类似物。
137.散射体sct可具有与基础树脂br不同的折射率，并且可与基础树脂br形成光学界面。
138.波长移位器wls可将入射光的峰值波长转换或移位为预定峰值波长。在一个实施方式中，例如，波长移位器wls可将蓝色光转换成红色光或绿色光并且发射经转换的光。波长移位器wls可包括量子点、量子棒或磷光体。量子点可为响应于电子的从导带至价带的跃迁而发射特定颜色的光的颗粒材料。
139.由波长移位器wls发射的光可具有约45nm或更小、约40nm或更小、或者约30nm或更小的半峰全宽。相应地，可改善显示装置10的颜色再现性。
140.当发光区域la为第三发光区域时(例如，当发光区域la发射蓝色光时)，透射部可布置在发光单元emu上。透射部可由第二坝320围绕。透射部可包括基础树脂br和散射体sct，并且可不包括波长移位器wls。透射部可在不转换波长的情况下透射从发光元件ed发射的蓝色光。
141.第二钝化层330可覆盖波长转换部wlc和第二坝320。第二钝化层330可保护波长转换部wlc和第二坝320。
142.第二平坦化层340可布置在第二钝化层330上。第二平坦化层340可具有基本上平坦的上表面，而不在波长转换部wlc周围生成阶梯差。第二平坦化层340可包括有机绝缘材料。
143.阻光层350可布置在第二平坦化层340上。阻光层350可与第二坝320重叠。开口可穿过阻光层350限定为与发光区域la重叠。
144.滤色器层cf可在第二平坦化层340上布置在发光区域la中。滤色器层cf可布置在阻光层350的开口中。在一个实施方式中，例如，在平面视图中滤色器层cf可由阻光层350围绕。滤色器层cf可选择性地透射具有特定颜色的光并且阻挡或吸收具有与特定颜色不同的颜色的光。
145.第三钝化层360可覆盖滤色器层cf和阻光层350。第三钝化层360可保护滤色器层cf和阻光层350。
146.封装层400可布置在第三钝化层360上。在一个实施方式中，例如，封装层400可包括至少一个无机层以防止氧气或湿气渗透到发光元件层300和薄膜晶体管层200中。另外，封装层400可包括至少一个有机层以保护发光元件层300和薄膜晶体管层200免受诸如灰尘的异物的影响。
147.在实施方式中，驱动器600可布置在衬底层100下面。驱动器600可通过布置在衬底层100内部的连接线140连接到焊盘电极pd。相应地，可减小显示装置10的死区。在这种实施方式中，可显著减小包括在拼接式显示装置td中的多个显示装置10(例如，图1的第一显示装置10a至第九显示装置10i)之中相邻的显示装置10之间的边界的外部可见性。相应地，可改善拼接式显示装置td的显示品质。
148.在实施方式中，包括在显示装置10中的衬底层100可包括第一衬底110和第二衬底120。第一衬底110的第一部分111可固定到第二衬底120，并且第一衬底110的第二部分112可从第二衬底120剥离。第二电路板620可在第一衬底110的第二部分112上(即，在连接线140的第一端部141上)接合。在实施方式中，如图17中所示，第二电路板620到连接线140的接合工艺可在第一衬底110的第二部分112从第二衬底120剥离的状态下执行。相应地，显示装置10可在接合工艺期间防止或减少因施加到接合区域(即，第一衬底110的第二部分112)的热量或压力而对第二衬底120、布置在第二衬底120上的薄膜晶体管和发光元件造成的损坏。在这种实施方式中，由于在第一衬底110的第二部分112从第二衬底120剥离的状态下执行接合工艺，因此可使用具有各种尺寸的接合设备。在这种实施方式中，显示装置10可减小或最小化接合有第二电路板620的区域的正面可见度。
149.图10是示出沿图3的线ii-ii'截取的替代性实施方式的剖面视图。
150.参照图10，在实施方式中，显示装置10还可包括布置在第一衬底110下面的固定构件180。固定构件180可将第一电路板610的第二端部612固定到第一衬底110的下表面。
151.在实施方式中，固定构件180可将第一电路板610固定到第一衬底110的下表面，以使得第一衬底110的第二部分112从第二衬底120剥离的状态可被保持。
152.在一个实施方式中，例如，第一衬底110与第一电路板610的第一端部611之间的第一距离d1可大于第一衬底110与第一电路板610的第二端部612之间的第二距离d2。
153.在这种实施方式中，固定构件180可通过第一电路板610拉动接合到第一电路板610的第二电路板620以及连接线140的接合到第二电路板620的第一端部141，以使得第二衬底120与连接线140(例如，连接线140的第一端部141)之间的间隙可为相对大的。相应地，可最小化对连接线140造成的损坏。
154.图11至图18是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。更具体地，
图11至图18示出了制造以上参照图3至图6描述的显示装置的实施方式的方法的实施方式。
155.参照图11，可在载体衬底900上提供或形成第一衬底110。第一衬底110可包括具有柔性以能够弯折的材料或由其形成。在一个实施方式中，例如，第一衬底110可使用聚酰亚胺形成。
156.可在第一衬底110上提供或形成第一阻挡层131。在一个实施方式中，例如，第一阻挡层131可使用无机绝缘材料形成。
157.可在第一衬底110上提供或形成连接线140。连接线140可形成在第一阻挡层131上。连接线140可使用诸如金属的导电材料形成。
158.参照图12，可在第一衬底110中形成第一开口op1。第一开口op1可形成为在第一衬底110和第一阻挡层131的厚度方向上穿过第一衬底110和第一阻挡层131。在一个实施方式中，例如，第一开口op1可形成为与连接线140的第一端部141相邻。第一开口op1可通过诸如干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺、激光钻孔工艺或类似工艺的各种工艺形成。
159.参照图13，可在第一衬底110上提供或形成有机层160。有机层160可覆盖第一开口op1和连接线140的一部分。在一个实施方式中，例如，有机层160可覆盖连接线140的与第一开口op1相邻的第一端部141。有机层160可暴露连接线140的第二端部142。
160.在实施方式中，有机层160可使用可溶于水、有机溶剂或类似物中的有机材料形成。有机层160可使用与第一衬底110和第二衬底120不同的材料形成。有机层160可通过诸如光刻工艺、喷墨印刷工艺或类似工艺的各种工艺形成。
161.可在第一衬底110上提供或形成第二阻挡层132。第二阻挡层132可覆盖第一阻挡层131、连接线140和有机层160。第二阻挡层132可使用无机绝缘材料形成。在一个实施方式中，例如，第二阻挡层132可使用与第一阻挡层131基本上相同的材料形成。
162.可在第二阻挡层132上提供或形成第二衬底120。第二衬底120可覆盖第二阻挡层132、连接线140和有机层160。在一个实施方式中，例如，第二衬底120可具有基本上平坦的上表面。在一个实施方式中，例如，第二衬底120可使用与第一衬底110基本上相同的材料形成。
163.参照图14，可在第二衬底120中形成第一通孔th1。第一通孔th1可形成为在第二衬底120和第二阻挡层132的厚度方向上穿过第二衬底120和第二阻挡层132。第一通孔th1可与连接线140的第二端部142重叠。第一通孔th1可暴露连接线140的第二端部142的至少一部分。第一通孔th1可通过诸如干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺、激光钻孔工艺或类似工艺的各种工艺形成。
164.参照图15，可在第二衬底120上提供或形成焊盘电极pd。焊盘电极pd可通过第一通孔th1电连接到连接线140的第二端部142。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可直接接触连接线140的第二端部142。焊盘电极pd可使用诸如金属的导电材料形成。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可延伸到第一通孔th1中。在这种实施方式中，焊盘电极pd可覆盖第一通孔th1的侧表面和底表面。
165.在实施方式中，可通过用有机材料填充第一通孔th1的内部来形成填充构件fm。填充构件fm可接触焊盘电极pd。填充构件fm可通过填充第一通孔th1的内部空间来补偿阶梯差。在替代性实施方式中，填充构件fm可被省略。
166.可在第二衬底120和焊盘电极pd上顺序地提供或形成薄膜晶体管层200、发光元件
层300、封装层400和保护膜500。
167.参照图16，可将载体衬底900与第一衬底110分离。
168.在将载体衬底900与第一衬底110分离之后，可去除有机层160。在一个实施方式中，例如，有机层160可使用溶解构成有机层160的有机材料的溶剂来去除。在一个实施方式中，例如，溶剂不损坏除了有机层160以外的部件(例如，第一衬底110、第二衬底120、连接线140或类似物)。在这种实施方式中，溶剂可具有相对于构成有机层160的有机材料的高选择性。随着有机层160被去除，第二开口op2可形成在连接线140的第一端部141与第二阻挡层132之间。
169.参照图17，可从第二衬底120剥离第一衬底110的第二部分112。在这种情况下，第一衬底110的第一部分111可对于第二衬底120而保持在固定状态下。在一个实施方式中，例如，第一衬底110的第二部分112可通过外力在向下方向上弯折。在这种实施方式中，布置在第一衬底110的第二部分112上的第一阻挡层131和连接线140(例如，连接线140的第一端部141)可与第一衬底110一起在向下方向上弯折。
170.可将第二电路板620接合到连接线140。在一个实施方式中，例如，第二电路板620的第一端部621可通过导电粘合构件150接合到连接线140的第一端部141。在这种实施方式中，在将导电粘合构件150和第二电路板620的第一端部621布置在连接线140的第一端部141上之后，可通过施加热量和压力来将第二电路板620接合到连接线140。第二电路板620可通过连接线140和焊盘电极pd电连接到布置在薄膜晶体管层200中的薄膜晶体管。
171.如上所述，在制造显示装置10的方法的实施方式中，可通过在第一衬底110的第一部分111固定到第二衬底120的情况下从第二衬底120剥离第一衬底110的第二部分112来将第二电路板620接合到连接线140。相应地，可在将第二电路板620接合到连接线140的接合工艺期间有效地防止或减少因施加到接合区域(即，第一衬底110的第二部分112)的热量或压力而对第二衬底120、布置在第二衬底120上的薄膜晶体管和发光元件造成的损坏。在这种实施方式中，由于在第一衬底110的第二部分112从第二衬底120剥离的状态下执行了接合工艺，因此可使用具有各种尺寸的接合设备。
172.参照图18，可将第一衬底110的第二部分112恢复到其原始状态。也就是说，可在向上方向上移动在向下方向上弯折的第一衬底110的第二部分112。在一个实施方式中，例如，第一衬底110的第二部分112可因停止施加外力而恢复到其原始状态。
173.当第一衬底110的第二部分112恢复到其原始状态时，第二电路板620可弯折。也就是说，第二电路板620的第一端部621可定位在第一衬底110与第二衬底120之间，并且第二电路板620的第二端部622可通过第二电路板620的可弯折部分623而在向下方向上弯折为定位在第一衬底110下面。
174.可将第一电路板610接合到第二电路板620。第一电路板610的第一端部611可通过导电粘合构件(未示出)接合到第二电路板620的第二端部622。
175.在实施方式中，将第一电路板610接合到第二电路板620的接合工艺可在第一衬底110的第二部分112恢复其原始状态之前或之后执行。在实施方式中，虽然未在附图中示出，但是布置在第一衬底110下面的第一电路板610可通过布置在第一衬底110的下表面下面的固定构件或下保护膜而固定到第一衬底110的下表面。在一个实施方式中，例如，下保护膜可完全布置在显示装置10下面，以保护显示装置10。
176.图19是示出图17的替代性实施方式的剖面视图。图20是示出图17的另一替代性实施方式的剖面视图。特别地，图19和图20可示出将第二电路板620接合到连接线140的接合工艺。
177.参照图19，在实施方式中，当执行接合工艺时，辅助结构170可布置在第二衬底120与连接线140之间。辅助结构170可在接合工艺期间保持第一衬底110的第二部分112从第二衬底120剥离的状态。图19示出了辅助结构170具有三角形剖面形状的实施方式，但是实施方式不限于此。在一个实施方式中，例如，辅助结构170可具有各种剖面形状，诸如四边形、其它多边形、圆形或椭圆形、或类似形状。
178.在一个实施方式中，例如，可在接合工艺完成之后去除辅助结构170。在这种实施方式中，当接合工艺完成时，可通过去除辅助结构170来将第一衬底110的第二部分112恢复到其原始状态。
179.参照图20，在替代性实施方式中，下保护膜501可布置在第一衬底110的第三部分113下面。当执行接合工艺时，下保护膜501的端部可布置在第二衬底120与连接线140之间。下保护膜501的端部可在接合工艺期间保持第一衬底110的第二部分112从第二衬底120剥离的状态。
180.在一个实施方式中，例如，可在接合工艺完成之后不去除下保护膜501。下保护膜501可保护第一衬底110。布置在第二衬底120与连接线140之间的下保护膜501的端部可防止对连接线140造成的损坏。在一个替代性实施方式中，例如，可在接合工艺完成之后去除下保护膜501。
181.图21是示出根据替代性实施方式的显示装置的剖面视图。具体地，图21可对应于图5。图21中所示的相同或相似的元件已用与以上用于描述图3至图6中所示的显示装置的实施方式的附图标记相同的附图标记来标记，并且其任何重复的详细描述将在下文中被省略或简化。
182.参照图21，显示装置11的实施方式可包括下部结构1000、上部结构2000和驱动器600。
183.下部结构1000可包括第一衬底1110、第一阻挡层1131、连接线1140、第一导电粘合构件1151、第二导电粘合构件1152和粘合层1180。
184.第一衬底1110可为透明绝缘衬底。第一衬底1110可为柔性且可弯折的。
185.连接线1140可布置在第一衬底1110上。连接线1140可包括诸如金属的导电材料。第二电路板620可连接到连接线1140的第一端部1141，并且焊盘电极pd可连接到连接线1140的与第一端部1141相对的第二端部1142。
186.第一阻挡层1131可布置在第一衬底1110与连接线1140之间。第一阻挡层1131可包括无机绝缘材料。第一阻挡层1131可改善第一衬底1110与连接线1140之间的粘合力。
187.第一导电粘合构件1151可布置在连接线1140的第二端部1142上。第一导电粘合构件1151的下表面可直接接触连接线1140的第二端部1142的上表面。第一导电粘合构件1151的上表面可直接接触焊盘电极pd的下表面。
188.第二导电粘合构件1152可布置在连接线1140的第一端部1141上。第二导电粘合构件1152的下表面可直接接触连接线1140的第一端部1141的上表面。第二导电粘合构件1152的上表面可直接接触第二电路板620的第一端部621的下表面。
189.粘合层1180可布置在第一阻挡层1131与上部结构2000之间。粘合层1180可将下部结构1000与上部结构2000彼此粘合。粘合层1180可不与第一导电粘合构件1151和第二导电粘合构件1152重叠。在一个实施方式中，例如，粘合层1180可布置在第一衬底1110的第一部分1111和第三部分1113上。在这种实施方式中，在平面视图中粘合层1180可布置成围绕第一衬底1110的第二部分1112。
190.粘合层1180的下表面可直接接触第一阻挡层1131的上表面。粘合层1180的上表面可直接接触包括在上部结构2000中的第二衬底2120的下表面。粘合层1180可为有机粘合层，诸如光学透明粘合剂(“oca”)膜、光学透明树脂(“ocr”)、压敏粘合剂(“psa”)膜或类似物。有机粘合层可包括粘合材料，诸如聚氨酯、聚丙烯酸、涤纶、聚环氧、聚乙烯醋酸酯或类似物。
191.上部结构2000可包括第二衬底2120、焊盘电极pd、薄膜晶体管层2200、发光元件层2300、封装层2400和保护膜2500。
192.第二衬底2120可布置在下部结构1000上。在一个实施方式中，例如，第二衬底2120可包括与第一衬底1110基本上相同的材料。
193.第二通孔th2可在第二衬底2120中限定为与连接线1140的第二端部1142重叠。第二通孔th2可限定为在第二衬底2120的厚度方向上穿过第二衬底2120。第二通孔th2可暴露连接线1140的第二端部1142的至少一部分。焊盘电极pd可布置在第二衬底2120上，并且可通过第二通孔th2电连接到连接线1140的第二端部1142。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可通过第一导电粘合构件1151电连接到连接线1140。
194.薄膜晶体管层2200、发光元件层2300、封装层2400和保护膜2500可顺序地布置在第二衬底2120上。在这种实施方式中，薄膜晶体管层2200、发光元件层2300和封装层2400可分别与以上参照图9描述的实施方式的薄膜晶体管层200、发光元件层300和封装层400基本上相同或相似。因此，其任何重复的详细描述将被省略或简化。
195.图22至图29是示出根据替代性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。具体地，图22至图29示出了制造以上参照图21描述的显示装置的实施方式的方法的实施方式。
196.参照图22至图29，在用于制造显示装置11的方法的替代性实施方式中，与以上参照图11至图18描述的用于制造显示装置10的方法的实施方式不同，下部结构1000和上部结构2000可分别或单独形成并且然后组合在一起。
197.在一个实施方式中，例如，图22至图26的下部视图可示出下部结构1000的制造方法，并且上部视图可示出上部结构2000的制造方法。首先，将参照图22至图26描述制造下部结构1000的方法。
198.参照图22，可在第一载体衬底911上提供或形成第一衬底1110。第一衬底1110可包括具有柔性以能够弯折的材料或由其形成。在一个实施方式中，例如，第一衬底1110可使用聚酰亚胺形成。
199.参照图23，可在第一衬底1110上提供或形成第一阻挡层1131。在一个实施方式中，例如，第一阻挡层1131可使用无机绝缘材料形成。
200.参照图24，可在第一衬底1110上提供或形成连接线1140。连接线1140可形成在第一阻挡层1131上。连接线1140可使用诸如金属的导电材料形成。
201.参照图25，可在第一衬底1110中形成第三开口op3。第三开口op3可形成为在第一
衬底1110和第一阻挡层1131的厚度方向上穿过第一衬底1110和第一阻挡层1131。在一个实施方式中，例如，第三开口op3可形成为与连接线1140的第一端部1141相邻。第三开口op3可通过诸如干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺、激光钻孔工艺或类似工艺的各种工艺形成。
202.参照图26，可在连接线1140的第二端部1142上布置第一导电粘合构件1151。第一导电粘合构件1151的下表面可直接接触连接线1140的第二端部1142的上表面。
203.可在第一阻挡层1131上布置粘合层1180。粘合层1180可不与第一导电粘合构件1151重叠。在一个实施方式中，例如，粘合层1180可布置在第一衬底1110的第一部分1111和第三部分1113上。在这种实施方式中，在平面视图中粘合层1180可布置成围绕第一衬底1110的第二部分1112。粘合层1180的下表面可直接接触第一阻挡层1131的上表面。
204.在这种实施方式中，下部结构1000可形成在第一载体衬底911上。下部结构1000可包括具有柔性的第一衬底1110和布置在第一衬底1110上的连接线1140。
205.接着，将再次参照图22至图26描述制造上部结构2000的方法。
206.参照图22，可在第二载体衬底912上提供或形成第二衬底2120。在一个实施方式中，例如，第二衬底2120可使用与第一衬底1110基本上相同的材料形成。
207.参照图23，可在第二衬底2120中形成第二通孔th2。第二通孔th2可形成为在第二衬底2120的厚度方向上穿过第二衬底2120。第二通孔th2可暴露第二载体衬底912的至少一部分。第二通孔th2可通过诸如干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺、激光钻孔工艺或类似工艺的各种工艺形成。
208.参照图24，可在第二衬底2120上提供或形成焊盘电极pd。焊盘电极pd可使用诸如金属的导电材料形成。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可延伸到第二通孔th2中。在这种实施方式中，焊盘电极pd可覆盖第二通孔th2的侧表面和底表面。焊盘电极pd可直接接触通过第二通孔th2暴露的第二载体衬底912的上表面。
209.参照图25和图26，可在第二衬底2120和焊盘电极pd上顺序地提供薄膜晶体管层2200、发光元件层2300、封装层2400和保护膜2500。
210.在这种实施方式中，上部结构2000可提供或形成在第二载体衬底912上。上部结构2000可包括薄膜晶体管层2200，而薄膜晶体管层2200包括至少一个薄膜晶体管和与薄膜晶体管电连接的焊盘电极pd。
211.参照图26和图27，可将第二载体衬底912与上部结构2000分离或者从上部结构2000去除第二载体衬底912。可将第二载体衬底912与第二衬底2120分离或者从第二衬底2120去除第二载体衬底912。随着第二载体衬底912被分离，可暴露与第二通孔th2重叠的焊盘电极pd的下表面。
212.上部结构2000可组合到下部结构1000。上部结构2000可布置在下部结构1000上，以使得焊盘电极pd可与连接线1400的第二端部1142重叠。在这种实施方式中，上部结构2000可布置在下部结构1000上，以使得焊盘电极pd的暴露的下表面可直接接触第一导电粘合构件1151的上表面。连接线1140的第一端部1141可与第二衬底2120间隔开。第四开口op4可形成在连接线1140的第一端部1141与第二衬底2120之间。在这种实施方式中，第四开口op4可由彼此间隔开的第二衬底2120与连接线1140之间的空间限定。
213.参照图28，可从上部结构2000剥离第一衬底1110的第二部分1112。在这种实施方式中，第一衬底1110的第一部分1111可对于上部结构2000而保持在固定状态下。在一个实
施方式中，例如，第一衬底1110的第二部分1112可通过外力在向下方向上弯折。在这种实施方式中，布置在第一衬底1110的第二部分1112上的第一阻挡层1131和连接线1140(例如，连接线1140的第一端部1141)可与第一衬底1110一起在向下方向上弯折。
214.可将第二电路板620接合到连接线1140。在一个实施方式中，例如，第二电路板620的第一端部621可通过第二导电粘合构件1152接合到连接线1140的第一端部1141。在这种实施方式中，在将第二导电粘合剂1152和第二电路板620的第一端部621布置在连接线1140的第一端部1141上之后，可通过施加热量和压力来将第二电路板620接合到连接线1140。第二电路板620可通过连接线1140和焊盘电极pd电连接到布置在薄膜晶体管层2200中的薄膜晶体管。
215.在如上所述的制造显示装置11的方法的实施方式中，可通过在第一衬底1110的第一部分1111固定到上部结构2000的情况下从上部结构2000剥离第一衬底1110的第二部分1112来将第二电路板620接合到连接线1140。相应地，可在将第二电路板620接合到连接线1140的接合工艺期间有效地防止或减少因施加到接合区域(即，第一衬底1110的第二部分1112)的热量或压力而对布置在上部结构2000中的薄膜晶体管和发光元件造成的损坏。在这种实施方式中，由于在第一衬底1110的第二部分1112从上部结构2000剥离的状态下执行了接合工艺，因此可使用具有各种尺寸的接合设备。
216.参照图29，可将第一衬底1110的第二部分1112恢复到其原始状态。在这种实施方式中，可在向上方向上移动在向下方向上弯折的第一衬底1110的第二部分1112。在一个实施方式中，例如，第一衬底1110的第二部分1112可因停止施加外力而恢复到其原始状态。
217.当第一衬底1110的第二部分1112恢复到其原始状态时，第二电路板620可弯折。在这种实施方式中，第二电路板620的第一端部621可定位在第一衬底1110与上部结构2000之间，并且第二电路板620的第二端部622可通过第二电路板620的可弯折部分623而在向下方向上弯折为定位在第一衬底1110下面。
218.可将第一电路板610接合到第二电路板620。第一电路板610的第一端部611可通过导电粘合构件(未示出)接合到第二电路板620的第二端部622。
219.图30是示出根据另一替代性实施方式的显示装置的剖面视图。具体地，图30可对应于图21。除了上部结构3000以外，图30中的显示装置与图21中所示的显示装置基本上相同。图30中所示的相同或相似的元件已用与以上用于描述图21中所示的显示装置的实施方式的附图标记相同的附图标记来标记，并且其任何重复的详细描述将在下文中被省略或简化。
220.参照图30，显示装置12的实施方式可包括下部结构1000、上部结构3000、第二载体衬底922和驱动器600(例如，驱动器600可包括第一电路板610和第二电路板620)。
221.在这种实施方式中，第五开口op5可限定在下部结构1000的第一衬底1110中。
222.上部结构3000可包括封装层3400、焊盘电极pd、发光元件层3300、薄膜晶体管层3200和第二衬底3120。
223.封装层3400可布置在下部结构1000上。封装层3400可布置在第一衬底1110与发光元件层3300之间。封装层3400可布置在连接线1140与发光元件层3300之间。
224.第六开口op6可限定在连接线1140的第一端部1141与封装层3400之间。第三通孔th3可在封装层3400中限定为与连接线1140的第二端部1142重叠。第三通孔th3可限定为在
封装层3400的厚度方向上穿过封装层3400。第三通孔th3可暴露连接线1140的第二端部1142的至少一部分。
225.焊盘电极pd可布置在连接线1140与封装层3400之间。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可通过第一导电粘合构件1151接合到连接线1140的第二端部1142。焊盘电极pd可通过第三通孔th3电连接到布置在发光元件层3300中的发光元件和布置在薄膜晶体管层3200中的薄膜晶体管。
226.发光元件层3300、薄膜晶体管层3200、第二衬底3120和第二载体衬底922可顺序地布置在封装层3400上。发光元件层3300可布置在连接线1140与薄膜晶体管层3200之间。
227.图31是图30的区域“b”的放大剖面视图。具体地，图31可对应于图9。图31中所示的相同或相似的元件已用与以上用于描述图9中所示的显示装置的实施方式的附图标记相同的附图标记来标记，并且其任何重复的详细描述将在下文中被省略或简化。
228.参照图30和图31，在实施方式中，薄膜晶体管层3200可布置在第二衬底3120下面。薄膜晶体管层3200可包括顺序地布置在第二衬底3120下面的缓冲层3210、有源层act、栅极绝缘层3220、栅电极ge、层间绝缘层3230、源电极se、漏电极de、数据线dl、第一钝化层3240和第一平坦化层3250。有源层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de可共同限定薄膜晶体管tft。数据线dl可电连接到源电极se。
229.发光元件层3300可布置在薄膜晶体管层3200下面。发光元件层3300可包括顺序地布置在第一平坦化层3250下面的阻光层3310、滤色器层cf、第二钝化层3320、第一桥接图案brp1、第二桥接图案brp2、第二平坦化层3330、第一坝3340、第一电极ae、第二电极ce、发光元件ed、第二坝3350、波长转换部wlc、第三钝化层3360、第一导电图案cp1和第二导电图案cp2。
230.在实施方式中，第一导电图案cp1可接触焊盘电极pd。第一导电图案cp1可通过限定在第二坝3350中的开口接触第一桥接图案brp1。第一桥接图案brp1可通过形成在第一钝化层3240、第一平坦化层3250、阻光层3310和第二钝化层3320中的接触孔接触数据线dl。数据线dl可电连接到源电极se。第一电极ae可通过限定在第二平坦化层3330中的接触孔接触第二桥接图案brp2。第二桥接图案brp2可通过限定在第一钝化层3240、第一平坦化层3250、阻光层3310和第二钝化层3320中的接触孔接触漏电极de。相应地，焊盘电极pd可电连接到薄膜晶体管tft和发光单元emu。
231.第二导电图案cp2可在波长转换部wlc下面布置成与发光区域la重叠。第二导电图案cp2可为用于引导由发光元件ed生成并在显示装置12的图像显示方向(例如，第三方向dr3)上穿过波长转换部wlc的光的引导构件。由第二导电图案cp2在第三方向dr3上引导的光可通过滤色器层cf和第二衬底3120发射到显示装置12的外部。第二导电图案cp2可包括具有恒定反射率的导电材料。在一个实施方式中，例如，第二导电图案cp2可包括不透明金属。
232.在一个实施方式中，例如，第二导电图案cp2可布置在与第一导电图案cp1相同的层中。第二导电图案cp2可包括与第一导电图案cp1基本上相同的材料，并且可在相同的工艺期间与第一导电图案cp1基本上同时(或同步)形成。
233.图32至图38是示出根据另一替代性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。图32至图38示出了制造以上参照图30和图31描述的显示装置的实施方式的方法的实施方
式。
234.除了制造上部结构3000的方法以外，图32至图38中所示的制造显示装置12的方法可与以上参照图22至图29描述的制造显示装置11的方法基本上相同或相似。图32至图38中所示的相同或相似的元件已用与以上用于描述图22至图29中所示的制造显示装置的方法的实施方式的附图标记相同的附图标记来标记，并且其任何重复的详细描述将在下文中被省略或简化。
235.参照图32，可在第二载体衬底922上提供或形成第二衬底3120。第二载体衬底922可在上部结构3000的制造工艺中确保结构稳定性。在一个实施方式中，例如，第二载体衬底922可为玻璃衬底。在一个实施方式中，例如，第二衬底3120可使用与第一衬底1110基本上相同的材料形成。
236.可在第二衬底3120上顺序地提供或形成薄膜晶体管层3200、发光元件层3300和封装层3400。
237.参照图33，可在封装层3400中形成第三通孔th3。第三通孔th3可形成为在封装层3400的厚度方向上穿过封装层3400。第三通孔th3可暴露导电图案(例如，图31的第一导电图案cp1)的至少一部分。第三通孔th3可通过诸如干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺、激光钻孔工艺或类似工艺的各种工艺形成。
238.参照图34，可在封装层3400上提供或形成焊盘电极pd。焊盘电极pd可使用诸如金属的导电材料形成。在一个实施方式中，例如，焊盘电极pd可延伸到第三通孔th3中。在这种实施方式中，焊盘电极pd可覆盖第三通孔th3的侧表面和底表面。焊盘电极pd可直接接触通过第三通孔th3暴露的导电图案的上表面。
239.在这种实施方式中，可在第二载体衬底922上提供或形成上部结构3000。上部结构3000可包括薄膜晶体管层3200，而薄膜晶体管层3200包括至少一个薄膜晶体管和与薄膜晶体管电连接的焊盘电极pd。
240.参照图34和图35，可翻转形成的上部结构3000。在这种实施方式中，上部结构3000可被翻转，以使得焊盘电极pd可定位在薄膜晶体管层3200下面。
241.参照图36，可将上部结构3000组合到下部结构1000。上部结构3000可布置在下部结构1000上，以使得焊盘电极pd可与连接线1400的第二端部1142重叠。在这种实施方式中，上部结构3000可布置在下部结构1000上，以使得焊盘电极pd的下表面可直接接触第一导电粘合构件1151的上表面。
242.参照图37，可从上部结构3000剥离第一衬底1110的第二部分1112。在这种情况下，第一衬底1110的第一部分1111可对于上部结构3000而保持在固定状态下。在一个实施方式中，例如，第一衬底1110的第二部分1112可通过外力在向下方向上弯折。在这种实施方式中，布置在第一衬底1110的第二部分1112上的第一阻挡层1131和连接线1140(例如，连接线1140的第一端部1141)可与第一衬底1110一起在向下方向上弯折。
243.可将第二电路板620接合到连接线1140。在一个实施方式中，例如，第二电路板620的第一端部621可通过第二导电粘合构件1152接合到连接线1140的第一端部1141。在这种实施方式中，在将第二导电粘合剂1152和第二电路板620的第一端部621布置在连接线1140的第一端部1141上之后，可通过施加热量和压力来将第二电路板620接合到连接线1140。第二电路板620可通过连接线1140和焊盘电极pd电连接到布置在薄膜晶体管层3200中的薄膜
晶体管。
244.在一个实施方式中，例如，在显示装置12的制造工艺完成之后，可不去除第二载体衬底922。第二载体衬底922可用作窗。诸如偏光器、触摸感测层和类似物的各种功能层可布置在第二载体衬底922与第二衬底3120之间。在一个替代性实施方式中，例如，在显示装置12的制造工艺完成之后，可去除第二载体衬底922。
245.在制造显示装置12的方法的实施方式中，可在不将第二载体衬底922与上部结构3000分离的情况下组合上部结构3000和下部结构1000。在这种实施方式中，随着上部结构3000被翻转，第二载体衬底922可覆盖显示装置12的上部。相应地，显示装置12的上部可在显示装置12的制造工艺中由第二载体衬底922保护而无需附接单独的保护膜。相应地，可减少用于显示装置12的制造工艺的载体衬底或保护膜的数量，并且可减小制造成本。
246.本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将为彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本发明的概念。
247.尽管已参照本发明的实施方式对本发明进行了特定示出和描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由随附权利要求书限定的本发明的精神或范围的情况下，其中可在形式和细节上进行各种改变。