技术特征：
1.一种填充间隙的方法，该方法包括：-向反应室提供衬底，该衬底包括间隙；-在衬底上沉积可转化层；以及-将衬底暴露于活性物质，从而将可转化层的至少一部分转化成间隙填充流体；其中间隙填充流体至少部分地填充间隙。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述可转化层的至少一部分转化成间隙填充流体包括液化可转化层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可转化层包括可挥发元素，并且其中，将可转化层的至少一部分转化成间隙填充流体包括：-使可挥发元素挥发并形成挥发蒸汽；以及-冷凝挥发蒸汽，从而形成间隙填充流体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括固化所述间隙填充流体，从而用固化材料填充所述间隙。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述活性物质包括氟。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述可转化层选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物。7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述可转化层包括金属氧化物，所述金属氧化物包括金属和氧，并且其中，在衬底上沉积金属氧化物包括一个或多个金属氧化物沉积子循环，金属氧化物沉积子循环包括：-金属前体脉冲，其包括将衬底暴露于金属前体，该金属前体包括所述金属；以及-氧反应物脉冲，其包括将衬底暴露于氧反应物，该氧反应物包括所述氧。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，包括多个再沉积循环，再沉积循环包括在衬底上沉积可转化层和将衬底暴露于所述活性物质的步骤。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括将所述间隙填充流体转化成转化材料的步骤。10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述间隙填充流体转化成所述转化材料的步骤包括将衬底暴露于直接等离子体的步骤。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述直接等离子体是直接氧等离子体。12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述直接等离子体是直接氮等离子体。13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法，包括多个转化循环，转化循环包括：-将衬底暴露于所述活性物质；以及-将所述间隙填充流体转化成转化材料。14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，包括多个超级循环，超级循环包括：-在衬底上沉积可转化层；-将衬底暴露于所述活性物质；以及-将所述间隙填充流体转化成转化材料。15.根据权利要求7至14中任一项所述的方法，其中，所述金属氧化物包括氧化钛，并且其中，所述金属包括钛。16.根据权利要求6至15中任一项所述的方法，其中，所述金属前体选自卤化物、卤氧化
物和有机金属化合物。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述金属前体包括β-二酮酸钛。18.一种场效应晶体管，包括栅极触点，该栅极触点包括根据根据权利要求1至17中任一项所述的方法形成的层。19.一种金属触点，包括通过根据权利要求1至17中任一项所述的方法沉积的层。20.一种系统，包括：反应室；包括金属前体的前体气体源；包括沉积反应物的沉积反应物气体源；布置用于提供活性物质的活性物质源；布置用于提供转化反应物的转化反应物源；以及控制器，其中控制器配置为控制进入反应室的气流，以通过根据权利要求1至17中任一项所述的方法在衬底上形成层。
技术总结
公开了用于填充间隙的方法和系统。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
技术研发人员：R.H.J.沃乌尔特 T.布兰夸特 V.波雷 Y.徐
受保护的技术使用者：ASMIP私人控股有限公司
技术研发日：2022.03.30
技术公布日：2022/10/17