具光阻挡层的微发光二极管显示面板的制作方法

本发明关于一种微发光二极管技术，特别关于一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板。

背景技术：

1、微发光二极管显示器(micro light emitting diode display, μled)是一种将微发光二极管作为显示器的光发射元件的新世代显示器。此技术是将led薄膜化、微小化、阵列化至单一led尺寸仅在1~10μm等级，再将μled批量式移转至电路基板上，进行表面粘着后，与电路基板上的电极与电晶体、上电极、保护层等共同构成微发光二极管显示器所需的μled面板。

2、μled具有自发光、低功耗、响应时间快、高亮度、超高对比、广色域、广视角、 超轻薄、使用寿命长与适应各种工作温度的诸多优异特性，相较于 lcd 与 oled，μled的技术规格具有压倒性的优势。

3、然而，μled于晶粒巨量移转并贴合至含电极的基板10之后，在个别晶粒发光过程中会有侧向混光与基板反射的问题，这两个状况均可能会导致像素不清晰、对比度降低等问题。因此，先前技术已采取黑矩阵（black matrix）的制作，来解决此一技术问题。

4、然而，在实际量产的过程，晶粒巨量移转的过程，难免有歪斜或晶粒摆设不均匀的问题，这导致了晶粒巨量移转过程良率无法提高。因为，若预先制作好黑矩阵，再进行巨量移转时，若晶粒摆设歪斜时，就必须进行晶粒重新校准。此外，在后续的维修上，亦可能反过来因为黑矩阵的隔绝，而造成更换晶粒不易的问题。

5、此外，黑矩阵的制作采用曝光显影的方法，必须预先准备光罩，当发生巨量移转过程时的晶粒歪斜问题时，光罩的准确性反而会导致量产良率过低的进一步问题。

6、因此，如何以提高量产良率、解决可能歪斜的晶粒摆置，进而制作出合适的黑矩阵结构，成为μled技术发展的一个重要研发方向。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，提供一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，运用激光直写曝光（laser direct imaging, ldi）与显影工艺来制作μled之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μled之间空隙的黑矩阵层，进而解决μled的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。

2、本发明提供一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，形成于该基板上，定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一光阻挡层，以黑色负型光阻形成于各所述微发光二极管之间的间隔，该光阻挡层构成数个像素区，以定义各所述像素；其中，该光阻挡层运用激光直写曝光技术以一实体虚拟光罩制作，并且，各所述像素区中的部分，对应于各所述微发光二极管的粘着状态而对应呈歪斜状态。

3、可选地，该光阻挡层的厚度介于10~60微米之间，高于该电极层与该微发光二极管层所加起来的厚度。

4、可选地，各所述微发光二极管与该光阻挡层的间距小于1微米。

5、可选地，更包含：一量子点层，形成于该像素区中；该量子点层、该电极层与该微发光二极管层所加起来的厚度小于该光阻挡层的厚度。

6、可选地，该量子点层用涂布或滴灌、喷墨、点胶的方式形成。

7、可选地，各所述微发光二极管与该光阻挡层的间距小于3微米。

8、本发明运用激光直写曝光（laser direct imaging, ldi）与显影工艺来制作μled之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μled之间空隙的黑矩阵层，进而解决μled的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。

技术特征：

1.一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该光阻挡层的厚度介于10~60微米之间，高于该电极层与该微发光二极管层所加起来的厚度。

3.如权利要求1所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，各所述微发光二极管与该光阻挡层的间距小于1微米。

4.如权利要求2所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，更包含：

5.如权利要求4所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该量子点层用涂布或滴灌、喷墨、点胶的方式形成。

6.如权利要求1所述的具光阻挡层的微发光二极管显示面板，其特征在于，各所述微发光二极管与该光阻挡层的间距小于3微米。

技术总结
一种具光阻挡层的微发光二极管显示面板，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，形成于该基板上，定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一光阻挡层，以黑色负型光阻形成于各所述微发光二极管之间的间隔，该光阻挡层构成数个像素区，以定义各所述像素；其中，该光阻挡层运用激光直写曝光技术以一实体虚拟光罩制作，并且，各所述像素区中的部分，对应于各所述微发光二极管的粘着状态而对应呈歪斜状态。运用激光直写曝光与显影工艺来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的工艺中的晶粒歪斜、量率不高等技术问题，进而达到高良率、降低工艺成本等特殊技术功效。

技术研发人员：许铭案
受保护的技术使用者：许铭案
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15