一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件的制作方法

1.本发明涉及功率器件技术领域，具体为一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件。


背景技术：

2.功率器件即输出功率比较大的电子元器件，是电子元件和电子器件的总称，是功率放大器。功率放大是利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。
3.功率器件在工作过程中，当漏极端电压过大时会造成功率器件击穿，为了对功率器件进行保护，需要功率器件具备超低比导通电阻特性。因而需要功率器件有较长的漂移层，而较长的漂移层又会导致高压功率器件整体尺寸较大，不便于功率器件安装使用的问题。
4.为了功率器件具备超低比导通电阻特性，且避免漂移层过长导致功率器件整体尺寸过大，不便于安装使用的问题，故而我们提出了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件来解决以上的问题。


技术实现要素：

5.为解决上述功率器件在工作过程中，当漏极端电压过大时会造成功率器件击穿，为了对功率器件进行保护，需要功率器件具备超低比导通电阻特性。因而需要功率器件有较长的漂移层，而较长的漂移层又会导致高压功率器件整体尺寸较大，不便于功率器件安装使用的问题，实现以上功率器件具备超低比导通电阻特性，且避免漂移层过长导致功率器件整体尺寸过大，不便于安装使用的目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体和基体层，所述基体层位于所述硅片主体的内部；
6.所述硅片主体的内部开设有漂移层，所述漂移层位于所述基体层的底部，所述漂移层内部含有游离的电子，所述漂移层的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层的底部开设有扩容槽，所述漂移层的底部固定安装有衬底，所述硅片主体的内部开设有沟槽，所述沟槽位于所述漂移层的上方，所述衬底的底部固定安装有漏极金属层，所述基体层的顶部固定安装有源极金属层。
7.进一步的，所述漂移层上下侧壁为平行状，所述扩容槽与所述漂移层连接部分开设有圆弧过度段，通过扩容槽增大漂移层的长度，且避免硅片主体尺寸过大的问题，同时，扩容槽上开设的圆弧过度段，便于对扩容槽内部进行电镀的效果。
8.进一步的，所述漂移层为圆弧状，所述漂移层左右两侧口径大于漂移层内部口径，通过增大漂移层两侧口径，方便对漂移层内壁进行电镀的效果。
9.进一步的，所述扩容槽为圆弧状，位于所述漂移层底壁的左右两侧，通过合理设计扩容槽位置，方便对扩容槽内壁进行镀膜的效果，扩容槽内壁也镀膜有氧化硅物质。
10.本发明提供了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件。具备以下有益效果：
11.1、该具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，通过在漂移层内壁开设扩容槽，从而增大漂移层的面积，且硅片主体尺寸并不会增大，实现了功率器件具备超低比导通电阻特性的前提下，保证硅片主体尺寸不变大的效果。
12.2、该具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，通过设置漂移层两侧口径大于漂移层中间位置口径，方便对漂移层进行镀膜处理，同时，将漂移层上开设的扩容槽设置在漂移层靠近左右两侧口径处，方便对扩容槽进行氧化硅镀膜处理的效果。
附图说明
13.图1为本发明平行漂移层功率器件的结构示意图；
14.图2为本发明曲形漂移层功率器件的结构示意图。
15.图中：1、硅片主体；2、基体层；3、漂移层；31、扩容槽；4、衬底；5、沟槽；6、漏极金属层；7、源极金属层。
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
17.该具有超低比导通电阻特性的高压功率器件的实施例如下：
18.实施例一：
19.请参阅图1，一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体1和基体层2，基体层2位于硅片主体1的内部；
20.硅片主体1的内部开设有漂移层3，漂移层3位于基体层2的底部，漂移层3内部含有游离的电子，漂移层3的内壁电镀有氧化硅，漂移层3的底部开设有扩容槽31，漂移层3上下侧壁为平行状，扩容槽31与漂移层3连接部分开设有圆弧过度段，通过扩容槽31增大漂移层3的长度，且避免硅片主体1尺寸过大的问题，同时，扩容槽31上开设的圆弧过度段，便于对扩容槽31内部进行电镀的效果，漂移层3的底部固定安装有衬底4，硅片主体1的内部开设有沟槽5，沟槽5位于漂移层3的上方，衬底4的底部固定安装有漏极金属层6，基体层2的顶部固定安装有源极金属层7。
21.工作原理，通过在漂移层3内壁开设扩容槽31，从而增大漂移层3的面积，且硅片主体1尺寸并不会增大，实现了功率器件具备超低比导通电阻特性的前提下，保证硅片主体1尺寸不变大的效果，同时，通过设置漏极金属层6与源极金属层7，降低了硅片主体1被击穿的可能性。
22.实施例二：
23.请参阅图2，一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体1和基体层2，基体层2位于硅片主体1的内部；
24.硅片主体1的内部开设有漂移层3，漂移层3为圆弧状，漂移层3左右两侧口径大于
漂移层3内部口径，通过增大漂移层3两侧口径，方便对漂移层3内壁进行电镀的效果，漂移层3位于基体层2的底部，漂移层3内部含有游离的电子，漂移层3的内壁电镀有氧化硅，漂移层3的底部开设有扩容槽31，扩容槽31为圆弧状，位于漂移层3底壁的左右两侧，通过合理设计扩容槽31位置，方便对扩容槽31内壁进行镀膜的效果，扩容槽31内壁也镀膜有氧化硅物质，漂移层3的底部固定安装有衬底4，硅片主体1的内部开设有沟槽5，沟槽5位于漂移层3的上方，衬底4的底部固定安装有漏极金属层6，基体层2的顶部固定安装有源极金属层7。
25.工作原理：通过设置漂移层3两侧口径大于漂移层3中间位置口径，方便对漂移层3进行镀膜处理，同时，将漂移层3上开设的扩容槽31设置在漂移层3靠近左右两侧口径处，方便对扩容槽31进行氧化硅镀膜处理的效果。
26.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体(1)和基体层(2)，所述基体层(2)位于所述硅片主体(1)的内部；其特征在于：所述硅片主体(1)的内部开设有漂移层(3)，所述漂移层(3)位于所述基体层(2)的底部，所述漂移层(3)内部含有游离的电子，所述漂移层(3)的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层(3)的底部开设有扩容槽(31)，所述漂移层(3)的底部固定安装有衬底(4)，所述硅片主体(1)的内部开设有沟槽(5)，所述沟槽(5)位于所述漂移层(3)的上方，所述衬底(4)的底部固定安装有漏极金属层(6)，所述基体层(2)的顶部固定安装有源极金属层(7)。2.根据权利要求1所述的一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，其特征在于：所述漂移层(3)上下侧壁为平行状，所述扩容槽(31)与所述漂移层(3)连接部分开设有圆弧过度段。3.根据权利要求1所述的一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，其特征在于：所述漂移层(3)为圆弧状。4.根据权利要求3所述的一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，其特征在于：所述漂移层(3)左右两侧口径大于漂移层(3)内部口径。5.根据权利要求4所述的一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，其特征在于：所述扩容槽(31)为圆弧状，位于所述漂移层(3)底壁的左右两侧。

技术总结
本发明涉及功率器件技术领域，且公开了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体和基体层，所述基体层位于所述硅片主体的内部，所述硅片主体的内部开设有漂移层，所述漂移层位于所述基体层的底部，所述漂移层的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层的底部开设有扩容槽，所述漂移层的底部固定安装有衬底，所述硅片主体的内部开设有沟槽，所述衬底的底部固定安装有漏极金属层，所述基体层的顶部固定安装有源极金属层。通过在漂移层内壁开设扩容槽，从而增大漂移层的面积，且硅片主体尺寸并不会增大，实现了功率器件具备超低比导通电阻特性的前提下，保证硅片主体尺寸不变大的效果。的效果。的效果。


技术研发人员：蔡小五 池敏
受保护的技术使用者：南京文采工业智能研究院有限公司
技术研发日：2022.04.15
技术公布日：2022/8/12