技术特征：
1.一种半导体芯片的散热垫，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。2.根据权利要求1所述的散热垫，其中，第一绝缘层和第二绝缘层均延伸至半导体基底的下表面。3.根据权利要求1所述的散热垫，其中，第一绝缘层包括氧化物。4.根据权利要求1所述的散热垫，其中，第二绝缘层包括氮化硅。5.根据权利要求1所述的散热垫，所述散热垫还包括位于第二绝缘层与散热芯之间的第三绝缘层。6.根据权利要求5所述的散热垫，其中，第三绝缘层包括氧化物。7.根据权利要求1所述的散热垫，所述散热垫还包括位于散热芯与散热头之间的种子层。8.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：半导体基底，包括位于半导体基底的下表面处的沟槽；贯穿硅过孔，竖直延伸穿过半导体基底；散热芯，位于沟槽中，散热芯被构造为接收从贯穿硅过孔产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其中，第一绝缘层和第二绝缘层均延伸至半导体基底的下表面。10.根据权利要求8所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括位于第二绝缘层与散热芯之间的第三绝缘层。11.根据权利要求8所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括位于散热芯与散热头之间的种子层。12.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，种子层延伸至散热头的侧表面。13.根据权利要求8所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括在贯穿硅过孔上从半导体基底的下表面突出的头部。14.根据权利要求13所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括位于贯穿硅过孔与头部之间的种子层。15.根据权利要求8所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括位于半导体基底的下表面上且围绕贯穿硅过孔和散热头的第四绝缘层。16.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：提供在其中包括贯穿硅过孔的半导体基底；
在半导体基底的下表面处与贯穿硅过孔相邻地形成沟槽；在半导体基底的下表面和沟槽的内表面上顺序地形成第一绝缘层和第二绝缘层；在第二绝缘层上形成导电层，以用导电层填充沟槽；去除导电层的一部分，直到使第二绝缘层的位于半导体基底的下表面处的部分暴露，以在沟槽中形成散热芯；在散热芯和贯穿硅过孔上形成种子层；以及从种子层形成连接到散热芯的散热头和连接到贯穿硅过孔的头部。17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括在第二绝缘层上形成第三绝缘层。18.根据权利要求17所述的方法，其中，去除导电层的一部分的步骤包括去除第三绝缘层的位于半导体基底的下表面上的部分。19.根据权利要求16所述的方法，其中，形成种子层的步骤包括在散热头的侧表面上和头部的侧表面上形成种子层。20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括在半导体基底的下表面上形成第四绝缘层，使得第四绝缘层围绕贯穿硅过孔和散热头。
技术总结
提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。位于第一绝缘层与散热芯之间。位于第一绝缘层与散热芯之间。
技术研发人员：崔智旻 李全一 李钟旼 李周益
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.05.09
技术公布日：2023/3/17