技术特征：
1.一种硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤一、氮气气氛下，将硅片送入扩散管中，完成进舟；步骤二、对所述扩散管进行抽真空，于300℃～700℃条件下通入卤化氢气体对所述硅片进行清洗，所述卤化氢为hbr或hi；步骤三、对所述扩散管进行抽真空，通入氧气和掺杂源进行磷掺杂或硼掺杂；步骤四、对所述扩散管进行抽真空，然后于n2气氛下进行降温，出舟，得磷掺杂或硼掺杂的硅片。2.如权利要求1所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述卤化氢气体的流量为500sccm～2000sccm。3.如权利要求1所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述清洗的时间为5min～15min。4.如权利要求1所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述抽真空形成的真空度为80mba～150mba。5.如权利要求1所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述磷掺杂的工艺条件为：氧气流量为100sccm～500sccm，磷源的流量为200sccm～1000sccm，温度为750℃～900℃，通源时间为15min～25min，推进时间为15min～30min。6.如权利要求1所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述硼掺杂的工艺条件为：氧气流量为300sccm～800sccm，硼源的流量为100sccm～500sccm，温度为900℃～1050℃，通源时间为8min～20min，推进时间为30min～100min。7.如权利要求1～6任一项所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述扩散管侧壁中部对称分布设有第一进气管和第二进气管用于通入卤化氢气体，侧壁下部和上部分别设有用于通卤化氢气体的第三进气管和第四进气管，所述第三进气管和第四进气管呈中心对称分布。8.如权利要求7所述的所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述第一进气管、第二进气管、第三进气管和第四进气管的进气流量比为1.5～2.5:1.5～2.5:0.5～1.5:0.5～1.5。9.如权利要求8所述的所述的硅片磷或硼掺杂的方法，其特征在于：所述第一进气管、第二进气管、第三进气管和第四进气管的进气流量比为2:2:1:1。
技术总结
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅片磷或硼掺杂的方法。所述方法包括以下步骤：氮气气氛下，将硅片送入扩散管中，完成进舟；对所述扩散管进行抽真空，于300℃～700℃条件下通入卤化氢气体对所述硅片进行清洗，所述卤化氢为HBr或HI；对所述扩散管进行抽真空，通入氧气和掺杂源进行磷掺杂或硼掺杂；对所述扩散管进行抽真空，然后于N2气氛下进行降温，出舟，得磷掺杂或硼掺杂的硅片。本发明在扩散管中利用卤化氢气体对硅片进行清洗，将清洗与掺杂在同一系统内完成，从根本上解决了硅片在磷扩散或硼扩散前沾污空气中杂质的问题。磷扩散或硼扩散前沾污空气中杂质的问题。磷扩散或硼扩散前沾污空气中杂质的问题。
技术研发人员：马红娜
受保护的技术使用者：英利能源发展有限公司
技术研发日：2022.06.24
技术公布日：2022/9/26