一种无基板光源快速制造方法与流程

1.本发明属于发光芯片制造技术领域，特别涉及一种无基板光源快速制造方法。


背景技术：

2.发光二极管自诞生以来，经过了60年的发展已经在人们的生活中得到了普遍的运用。为了满足巨量的市场需求，人们对发光二极管封装工艺的研究也越来越深入。尤其在照明领域，发光二极管的需求是最大的，因此，发光二极管的封装工艺需要足够简单与高效才能满足巨量的市场需求。
3.传统的发光二极管封装工艺主要是将倒装芯片封装在基板上。通过在基板上焊接发光倒装芯片的导线，并在基板内灌封带有荧光粉的封装胶，最后将基板切成单颗进行测试和包装。该封装工艺的主要缺点在于工艺流程为复杂，生产效率低且成本高。
4.如今发光二极管主流技术是放弃基板，放弃焊接导线，利用倒装芯片本身的正负极点作为焊盘，直接在倒装芯片本身上贴附荧光粉形成新的发光二极管封装体，并将此新封装体进行测试和包装。但是现有的无基板芯片制造工艺中，不仅工艺加工较为复杂，需要进行巨量转移，而且对设备依赖性较强，需要多种设备配合工作，在实际生产过程中，导致效率低，生产成本大。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种无基板光源快速制造方法，放弃了基板和焊接导线，利用倒装芯片本身的正负极点作为焊盘，直接在倒装芯片本身上贴附荧光粉形成新的发光二极管封装体，不仅提高了生产效率，降低损耗，而且保证了高精度，减少了对设备的依赖性，无需固晶机，焊线机，测试机，包装机等传统的封装设备，工艺更佳简单。
6.本发明的具体技术方案如下：一种无基板光源快速制造方法，具体步骤如下：s1：将若干倒装芯片以一定间距阵列排布在蓝膜i上，且所述倒装芯片的发光面贴覆在蓝膜i上；s2：将载有阵列排布的倒装芯片的蓝膜i使用翻模机转贴在uv膜i上，此时，倒装芯片的发光面朝上，电极面朝下贴附在uv膜i；s3：使用围坝胶在uv膜i的四周形成围坝；s4：在围坝内倒入白色硅胶，使之均匀填充在各倒装芯片之间直至与围坝的顶面齐平，并使用烤箱烘烤固化；s5：使用研磨设备研磨白色硅胶上表面以及围坝顶面直至白色硅胶上表面以及围坝顶面与倒装芯片的发光面齐平，并露出倒装芯片的发光面；s6：在载有倒装芯片的发光面和白色硅胶表面喷涂粘接剂，并将荧光胶片贴附在倒装芯片和白色硅胶表面，并用治具压平，排出气泡后送入烤箱烘烤固化；s7：使用紫外光照射uv膜i使其脱落，并将脱落后带有荧光胶片的倒装芯片翻转后
贴附在uv膜ii上，此时，荧光胶片贴附在uv膜ii上，倒装芯片的电极面朝上；s8：使用切割机沿倒装芯片两两之间的间距中心线均匀切割，形成多个独立的发光二极管封装体；s9：将切割后的发光二极管封装体贴附在蓝膜ii上，此时，倒装芯片的电极面朝下贴附在蓝膜ii上，uv膜ii朝上，随后采用紫外光照射uv膜ii使其脱落，并挑出四周的废料，即得到封装完成的光源。
7.优选地，所述蓝膜i上排列分布的倒装芯片的最长主波长与最短主波长的差≤2.5nm；倒装芯片的最高发光强度与最低发光强度相差≤5%。
8.优选地，所述蓝膜i上排列分布的倒装芯片的最长主波长与最短主波长的差为1nm。
9.优选地，倒装芯片的最高发光强度与最低发光强度相差2%。
10.优选地，所述围坝的坝体的高度为0.18mm。
11.优选地，所述步骤s6中的粘结剂为透明硅胶。
12.有益效果：本发明公开了一种无基板光源快速制造方法，具有如下优点：（1）本发明预先筛选了倒装芯片的光强度和波长，不仅保证了封装后发光二极管的光效一致性高，而且无需测试，简化了工艺，降低了成本；（2）本发明直接在阵列排布的倒装芯片上封装，无需将倒装芯片一颗一颗进行转移和重新排列，提高了生产效率；（3）本发明中切割工艺将封装后的倒装芯片切开，并保留在载膜上，无需包装可直接贴片使用，进一步简化了生产工艺，提高了生产效率。
13.（4）本发明无需固晶机，焊线机，测试机，包装机等传统的封装设备，降低了工艺对设备的依赖性，降低了生产成本，工艺更加简单。
附图说明
14.图1为步骤s1中的正面结构示意图；图2为步骤s2中的正面结构示意图；图3为步骤s3中的正面结构示意图；图4为步骤s3中的横截面结构示意图；图5为步骤s4中的正面结构示意图；图6为步骤s4中的横截面结构示意图；图7为步骤s5中的正面结构示意图；图8为步骤s5中的横截面结构示意图；图9为步骤s6中的正面结构示意图；图10为步骤s6中的横截面结构示意图；图11为步骤s7中的正面结构示意图；图12为步骤s7中的横截面结构示意图；图13为步骤s8中的正面结构示意图；图14为步骤s9中的正面结构示意图；图15为步骤s9中的横截面结构示意图；
图16为实施例1的产品结构示意图。
15.图中：蓝光倒装芯片1、蓝膜i2、uv膜i3、围坝4、白色硅胶5、粘接剂6、荧光胶片7、uv膜ii8、蓝膜ii9。
具体实施方式
16.下面结合附图对本发明作若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
17.实施例1本实施例1中采用的倒装芯片为蓝光倒装芯片，其具体制备步骤如下：s1：将若干蓝光倒装芯片1按设计要求间距以阵列排布在蓝膜i2上，且所述蓝光倒装芯片1的发光面贴覆在蓝膜i2上，如图1所示，其中，所述蓝膜i上排列分布的蓝光倒装芯片1的最长主波长与最短主波长的差为1nm，蓝光倒装芯片1的最高发光强度与最低发光强度相差2%；s2：使用翻模机将载有阵列排布的蓝光倒装芯片1的蓝膜i2转贴在uv膜i3上，此时，蓝光倒装芯片1的发光面朝上，电极面朝下贴附在uv膜i3上，且各蓝光倒装芯片1之间的间距保持不变,如图2所示；s3：使用围坝胶在uv膜i的四周形成围坝4，且围坝4的坝体高度为0.18mm，略高于蓝光倒装芯片1的高度0.15mm，如图3和图4所示；s4：在围坝4内倒入白色硅胶5，使之均匀填充在各蓝光倒装芯片1之间直至包覆蓝光倒装芯片1，且与围坝4的顶面齐平，并使用烤箱烘烤固化，如图5和6所示。其中，硅胶的硬度要求在shore d 50以上。
18.s5：使用研磨设备研磨白色硅胶5以及围坝4，直至白色硅胶5厚度以及围坝4高度均为0.15mm，与蓝光倒装芯片1的发光面齐平，此时，蓝光倒装芯片1表面的白色硅胶5均已磨掉，并凸显在白色硅胶中，由于蓝光倒装芯片1的发光面为坚硬的al2o3，在研磨过程中不受影响，如图7和8所示。
19.s6：在蓝光倒装芯片1和白色硅胶5的表面喷涂粘接剂6，并将荧光胶片7贴附在蓝光倒装芯片1和白色硅胶5表面，并用治具压平，排出气泡后送入烤箱烘烤固化，如图9和10所示，其中，粘接剂以透明硅胶；本发明中的治具为现有技术，可用于胶片压平，排出气泡的工具即可。
20.s7：使用紫外光照射uv膜i3使其脱落，并将脱落后带有荧光胶片7的蓝光倒装芯片1翻转后贴附在uv膜ii8上，此时，荧光胶片7贴附在uv膜ii8上，蓝光倒装芯片1的电极面朝上，如图11和12所示；s8：使用切割机沿蓝光倒装芯片两两之间的间距中心线均匀切割，形成多个独立的发光二极管封装体，如图13所示；s9：将切割后的发光二极管封装体贴附在蓝膜ii9上，此时，蓝光倒装芯片1的电极面朝下贴附在蓝膜ii9上，uv膜ii8朝上，随后采用紫外光照射uv膜ii8使其脱落，并挑出四周的废料，如图14和15所示,即得到封装完成的光源，如图16所示。
21.本发明中，蓝光倒装芯片可根据实际生产需求的间距阵列排布在蓝膜i上。
22.以上所述仅是本实用说明，为本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域
的普通技术人员来脱离本发明的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。