技术特征：
1.一种p型hbc电池结构，其特征在于：它包括p型硅衬底（1），所述p型硅衬底（1）的背面中部设有一块p型重掺杂区（2），所述p型硅衬底（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层（3），所述p型硅衬底（1）的背面的非晶硅本征层（3）的外侧设有n型非晶硅掺杂层（4），所述p型硅衬底（1）的正面的非晶硅本征层（3）的外侧设有sin
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减反膜（5）；所述n型非晶硅掺杂层（4）的外侧设有tco导电膜（6）；所述tco导电膜（6）的外侧设有若干n型ag电极（7），所述tco导电膜（6）上设有一个槽口，槽口的深度贯穿tco导电膜（6）和n型非晶硅掺杂层（4），使得p型重掺杂区（2）的底部裸露，所述p型重掺杂区（2）的底部连接p型ag电极（8），使用p型低温银浆料和p型重掺杂区（2）的铝浆料实现欧姆接触。2.根据权利要求1所述的一种p型hbc电池结构，其特征在于：所述p型重掺杂区（2）的宽度为20~60微米，高度为1~20微米。3.根据权利要求1所述的一种p型hbc电池结构，其特征在于：所述n型ag电极（7）使用n型低温银浆与tco导电膜（6）形成连接。4.根据权利要求1所述的一种p型hbc电池结构，其特征在于：所述槽口宽度大于p型重掺杂区（2）的宽度。5.一种权利要求1所述的p型hbc电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下内容：步骤一、硅片清洗：选取p型硅片，对其进行制绒、清洗处理；硅片经高效清洗后制绒，硅片的正面形成绒面层；步骤二、印刷铝浆：在硅片的背面单面印刷，浆料为铝浆，印刷的位置为电池的p型重掺杂区；步骤三、高温烧结：将上述印刷后的硅片放入炉体中，在炉体中进行烧结，铝浆与硅片基体形成欧姆接触，形成p型重掺杂区域；步骤四、硅片清洗：将上述烧结后的硅片高效清洗，烧结后的铝浆依然裸漏于硅片表面，铝浆的厚度确保能和低温银浆形成接触；步骤五、双面本征层及n型非晶硅掺杂层镀膜：通过pecvd技术在电池片的正背面上均分别镀上本征非晶硅薄膜，形成非晶硅本征层；通过pecvd技术在电池片的背面镀上n型非晶硅掺杂层；步骤六、减反膜制备：通过pecvd方法在电池片的正面镀上sin
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减反膜；步骤七、tco导电膜沉积：通过采用pvd设备技术在电池片上镀透明的tco导电膜；步骤八、激光开槽 ：在电池片背面的p型重掺杂区的底部激光开槽，激光消融tco导电膜、n型非晶硅掺杂层及非晶硅本征层，将铝浆料裸露在硅片表面；步骤九、电极印刷及烧结：通过丝网印刷工艺分别在电池背面印刷p型银浆和n型银浆，p型和n型的浆料均为低温银浆料；通过低温烧结后，n型低温银浆与tco膜层形成连接；通过低温烧结后，p型低温银浆料和铝浆料实现欧姆接触；
步骤十、分选测试：通过分选测试挑选需电池片。6.根据权利要求5所述的一种p型hbc电池结构的制备方法，其特征在于：步骤二中铝浆印刷浆料的宽度为20~60微米，高度为1~20微米。7.根据权利要求5所述的一种p型hbc电池结构的制备方法，其特征在于：步骤三中在炉体中的烧结温度为300～900℃。8.根据权利要求5所述的一种p型hbc电池结构的制备方法，其特征在于：步骤五中非晶硅本征层的膜层厚度为5~10nm，n型非晶硅掺杂层的厚度为5~15nm。9.根据权利要求5所述的一种p型hbc电池结构的制备方法，其特征在于：步骤八中激光开槽的宽度为100微米。10.根据权利要求5所述的一种p型hbc电池结构的制备方法，其特征在于：步骤八中将铝浆料裸露在硅片表面高度为5微米。
技术总结
本发明涉及的一种P型HBC电池结构及其制备方法，它包括P型硅衬底，所述P型硅衬底的背面中部设有一块P型重掺杂区，所述P型硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述P型硅衬底的背面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，所述P型硅衬底的正面的非晶硅本征层的外侧设有SiN
技术研发人员：杨飞 倪志春 连维飞 刘松民 张景洋
受保护的技术使用者：江苏爱康科技股份有限公司
技术研发日：2022.07.28
技术公布日：2022/9/22