1.本公开一般涉及集成电路，并且更特别地，涉及用于减少半导体管芯与封装衬底之间的互连中的缺陷的方法和设备。
背景技术：
2.在许多集成电路封装中，一个或多个半导体管芯被机械且电耦合到下层封装衬底。通常，通过将在管芯的表面上制作的金属凸块与封装衬底的面对的表面上的对应焊盘和/或凸块对准并且连接来实现管芯到下层衬底的耦合。随着集成电路及其相关联的封装在大小方面继续减小，与第一级互连相关联的凸块和/或焊盘也需要在大小方面减小。
附图说明
3.图1示出了包括电耦合到封装衬底的两个示例半导体管芯的示例集成电路（ic）封装，所述封装衬底电耦合到电路板。
4.图2是基于桥凸块的阵列的平面视图或顶视图的扫描电子显微镜（sem）图像的图示，其示出了第一桥凸块上的锡已朝向第二桥凸块204移位。
5.图3是基于图2的第一桥凸块和第二桥凸块的横截面视图的sem图像的图示。
6.图4是基于两个凸块的横截面视图的sem图像的图示，在所述两个凸块中锡芯吸（wicking）相对于凸块之一发生。
7.图5示出了半导体管芯和管芯要附连到的下层衬底之间的翘曲的示例模式。
8.图6是封装衬底的一部分的平面视图，该部分具有跨衬底的表面606分布的芯凸块的阵列和桥凸块的阵列。
9.图7是根据本文所公开的教导已修改的图6的示例封装衬底的平面视图。
10.图8示出了通过根据本文所公开的教导所构造的虚设凸块而附连到封装衬底的示例管芯。
11.图9-图12示出了在与示例管芯附连之前的图8的封装衬底的制造工艺中的各种阶段。
12.图13是示出制作图8的封装衬底直到图12中示出的完成阶段的示例方法的流程图。
13.图14是基于具有铜/镍基部的凸块的sem图像的图示，所述铜/镍基部具有不同形状。
14.图15是根据本文所公开的教导的基于回流工艺之前的六边形芯凸块的sem图像的图示，其示出锡在形状上大致是六边形的。
15.图16是根据本文所公开的教导的基于回流工艺之前的六边形桥凸块的sem图像的图示，其示出锡在形状上大致是六边形的。
16.图17是基于回流工艺之后的六边形凸块的sem图像的图示，其示出尽管锡是球形的或球状的，但是下层铜/镍基部保持大致六边形形状。
17.图18示出了在铜和镍的六边形基部上的锡的两个示例轮廓。
18.图19示出了在不同的圆形和六边形凸块上的电镀锡的比较面积和体积。
19.图20示出了以六边形网格所布置的六边形凸块的示例阵列，其中每个凸块处于第一示例取向。
20.图21示出了以六边形网格所布置的六边形凸块的示例阵列，其中每个凸块处于第二示例取向。
21.图22示出了基于与圆形凸块的阵列的平面视图并置的方形凸块的阵列的平面视图的sem图像的图示。
22.图23是示出根据本文所公开的教导的制作具有非圆形凸块的示例衬底的示例方法的流程图。
23.图24-图26示出了根据本文所公开的教导的具有不同高度的凸块的制造工艺中的各种阶段，所述不同高度在空间上跨下层衬底的表面而变化。
24.图27示出了具有跨封装中的两个单独示例管芯所限定的单独凸块高度分布的示例封装。
25.图28示出了具有跨封装中的两个单独示例管芯所限定的单个凸块高度分布的示例封装。
26.图29是示出根据本文所公开的教导的制作具有凸块的衬底的示例方法的流程图，所述凸块具有不同高度。
27.图不一定按比例绘制。相反，在图中可以放大层或区的厚度。尽管图示出了具有清晰线条和边界的层和区，但是这些线条和/或边界中的一些或全部可以是理想化的。实际上，边界和/或线条可能是难以觉察的、混合的和/或不规则的。通常，贯穿（一个或多个）图和伴随的书面描述将会使用相同的附图标记来指相同或相似的部分。如本文中所使用的，除非另有说明，否则术语“在
……
之上”描述两个部分相对于地球的关系。如果第二部分具有在地球和第一部分之间的至少一个部分，则第一部分在第二部分之上。同样地，如本文中所使用的，当与第二部分相比第一部分更靠近地球时，第一部分在第二部分的“下面”。如上所述，在下列中的一种或多种情况下第一部分可以在第二部分之上或者在第二部分的下面：其间有其它部分、其间没有其它部分、其中第一部分和第二部分接触、或者第一部分和第二部分彼此没有直接接触。尽管上述内容，在半导体装置的情况下，“在
……
之上”并不参考地球，而是相反参考在其上形成有集成电路的组件的基础半导体衬底（例如半导体晶片）的体区。具体地，如本文中所使用的，当与第二组件相比第一组件离半导体衬底的体区更远时，集成电路的第一组件在第二组件“之上”。如在本专利中所使用的，声明任何部分（例如层、膜、区域、区或板）以任何方式在另一部分上（例如被定位在另一部分上、位于另一部分上、被设置在另一部分上或者被形成在另一部分上等），指示引用的部分或者与另一部分接触或者引用的部分在另一部分之上，其中一个或多个中间部分位于其间。如本文中所使用的，除非另有说明，否则连接引用（例如被附着、被耦合、被连接和被接合）可以包括通过连接引用所引用的元件之间的中间构件和/或那些元件之间的相对移动。照这样，连接引用不一定暗示两个元件被直接地相互连接和/或以固定关系被相互连接。如在本文所使用的，声明任何部分与另一部分“接触”被定义为指在两个部分之间不存在中间部分。
28.除非另有明确声明，否则在本文中使用诸如“第一”、“第二”、“第三”等的描述符而
不会归因于或者以其它方式指示优先级、物理顺序、列表中的排列和/或以任何方式排序的任何含义，而是仅仅被用作标签和/或任意名称来区分元件以便于理解公开的示例。在一些示例中，描述符“第一”可被用来指详细描述中的元件，而在权利要求中可以利用诸如“第二”或“第三”的不同描述符指相同的元件。在这种情况下，应当理解，这样的描述符仅仅被用于清楚地标识可能例如以其它方式共享相同名称的那些元件。如在本文所使用的，“近似”和“大约”指由于制造公差和/或其它现实世界缺陷引起的可能是不精确的尺寸。
具体实施方式
29.图1示出了经由凸块或焊球104的阵列（例如球栅阵列）被电耦合到电路板102的示例集成电路（ic）封装100。在一些示例中，除了焊球104之外或者代替焊球104，ic封装100还可以包括引脚和/或焊盘，以使能封装100到电路板102的电耦合。在这个示例中，封装100包括被安装到封装衬底110并且被封装盖或模制化合物112围住的两个半导体（例如硅）管芯106、108。虽然图1的示例ic封装100包括两个管芯106、108，但是在其它示例中，封装100可以具有仅一个管芯或者多于两个管芯。
30.如所示示例中所示出的，管芯106、108中的每一个都经由凸块114的对应的阵列被电且机械耦合到封装衬底110。管芯106、108和封装衬底110之间的电连接（例如凸块114）有时被称为第一级互连。相比之下，ic封装100和电路板102之间的电连接（例如焊球104）有时被称为第二级互连。在一些示例中，管芯106、108中的一者或两者可以被堆叠在一个或多个其它管芯的顶部上。在这样的示例中，管芯106、108通过第一级互连的第一集合被耦合到下层管芯，并且下层管芯可以经由与下层管芯相关联的第一级互连的单独的集合被连接到封装衬底110。因此，如本文中所使用的，第一级互连是指管芯和封装衬底之间或者管芯和下层管芯之间的凸块。
31.如图1所示，第一级互连的凸块114包括与芯凸块116和桥凸块118对应的两种不同类型的凸块。如本文中所使用的，芯凸块116指管芯106、108上的、电信号通过其在管芯106、108和ic封装100外部的组件之间传递的凸块。因此，如所示示例中所示出的，物理连接到衬底110的内表面120的芯凸块116经由衬底110内的内部互连或迹线124被电耦合到衬底110的外表面122上的焊球104。如在本文中所使用的，桥凸块118指管芯106、108上的、电信号通过其在封装100内的管芯106、108中的不同管芯之间传递的凸块。因此，如所示示例中所示出的，第一管芯106的桥凸块118经由嵌入在封装衬底110中的互连桥126被电耦合到第二管芯108的桥凸块118。如图1中所表示的，芯凸块116通常大于桥凸块118。
32.与第一级互连相关联的凸块114通过一系列不同的工艺来制造，所述工艺在组装诸如图1的封装100的ic封装时可能导致潜在的缺陷。特别地，凸块114最初通过光刻工艺形成，通过所述光刻工艺将干膜抗蚀剂施加到凸块114要被形成于的表面。干膜抗蚀剂被图案化有对应于单独凸块的位置的开口，并且然后执行电镀工艺以通过要用作凸块114的金属来填充开口。通常，用于凸块114的电镀的金属包括与衬底（在其上正形成凸块114）内的金属互连电接触的铜层。此后，将镍阻挡层添加到铜上，并且然后将锡层添加到镍上。
33.一旦将锡添加到干膜抗蚀剂的开口中，就通过剥离工艺去除抗蚀剂。在剥离工艺期间，干膜抗蚀剂可以以可引起锡层如图2和图3中所示出那样移位或剪切的方式膨胀。具体地，图2是基于桥凸块阵列的平面或顶视图的扫描电子显微镜（sem）图像的图示，其中第
一桥凸块202上的锡已朝向第二桥凸块204移位。图3是基于图2的第一桥凸块202和第二桥凸块204的横截面视图的sem图像的图示。如在图2和图3中的第一桥凸块202上所示出的，锡的移位是不期望的，因为它可能与邻近凸块（例如，第二桥凸块204）的锡产生非预期的桥或连接。尽管图2和图3的第一桥凸块202上的锡不一直延伸到第二桥凸块204，但锡在第一桥凸块202上的移位仍然是有问题的，因为其增加了锡在后续处理步骤期间可能与邻近第二桥凸块204合并或接触的可能性。
34.由于桥凸块和芯凸块之间在大小方面的差异，如图2和图3中示出的锡的移位对于桥凸块118比对于芯凸块116更常见地发生。也就是说，芯凸块116通常足够大以承受在剥离工艺期间由干膜抗蚀剂的膨胀产生的剪切力。相比之下，通常比芯凸块116小得多的桥凸块118在剥离工艺期间更易于被移位。例如，凸块移位通常仅发生在具有小于50μm的直径的凸块上，并且随着凸块的大小减小到低于具有小于50μm的直径而变得更差。为了参考，一些桥凸块具有小于大约20μm的直径。此外，对于具有相对高的凸块高度与凸块直径纵横比的桥凸块118，锡的移位尤其是有问题的。然而，由于存在制造可以以较小间距间隔的较小大小的凸块的驱动力，高的凸块高度与凸块直径纵横比正变得更常见。特别地，虽然凸块的临界尺寸（例如直径）和间隔减小，但锡的总体积不是成比例地减小，因为需要阈值量的锡来在管芯和下层衬底之间产生可靠的接合。因此，减小凸块的大小同时维持锡的相同体积引起对于较高的凸块高度与凸块直径纵横比，锡的电镀高度较高。如下面更充分讨论的，本文公开的示例通过制造邻近操作凸块的保护性虚设凸块来减少凸块移位的顾虑。
35.在去除干膜抗蚀剂之后的回流工艺期间，第一级互连的凸块114中的另一潜在缺陷源发生。具体地，回流工艺涉及应用热以使锡在适当位置熔化。锡的表面张力通常引起锡在下层铜和镍层（其由于其较高熔点而不熔化）的顶部上形成成球形的形状。在图4左侧的第一凸块402上示出了锡的成球形体积的期望形成，所述锡用作将管芯106、108附连到衬底110的焊料球。然而，在一些实例中，可能发生芯吸，其中熔化的锡从凸块的铜/镍基部的边缘流走并流到下层衬底的表面上。这种不期望的芯吸效应由在图4右侧的第二凸块404示出。锡的此类芯吸可能导致以类似于如上面所讨论的锡在抗蚀剂剥离工艺期间移位时的方式的凸块的非预期桥接。此外，即使锡不一直延伸到邻近凸块（如图4中的情况），芯吸也可能对管芯106、108到封装衬底110的接合造成问题。具体地，如图4中示出的，第二凸块404中的锡的高度显著低于第一凸块402中的锡，使得当管芯106、108和衬底110要被接合在一起时，第二凸块404中的锡将更难以到达相配表面。
36.芯吸的可能性是由电镀锡的高度与直径比（h/d比）驱动的。也就是说，随着锡在回流之前的高度（例如，如图3中示出的）相对于镍-锡界面的直径而增加，芯吸的可能性也增加。因此，通过产生具有更高纵横比的凸块来向下缩放凸块间距和凸块大小的努力导致芯吸变成更可能发生的挑战。如下面更充分讨论的，本文公开的示例通过制造具有能够比标准圆形凸块保持锡的更大体积的不同形状的凸块来减少芯吸的顾虑。
37.第一级互连的凸块114中的另一潜在缺陷源可能从管芯106、108和/或下层衬底110中的翘曲出现。在衬底110和/或管芯106、108中的每个的制造期间，由于材料在被加热时的热膨胀系数（cte）的失配和/或由于金属电镀工艺期间的铜密度变化，可能出现翘曲。翘曲还可以在热压接合（tcb）工艺期间出现，在所述工艺期间，管芯106、108和/或封装衬底110被加热并压在一起以使得相面对的表面上的对应凸块和/或焊盘能够接合。
38.理想地，管芯106、108和封装衬底110的相面对的表面上的凸块和/或焊盘中的每个将是共面的，使得所有对应凸块和/或焊盘在它们被压在一起时同时彼此接触。然而，管芯106、108和/或衬底110中的翘曲导致一些凸块和/或焊盘相对于凸块和/或焊盘的平均位置更高或向外突出，而其它凸块相对于凸块和/或焊盘的平均位置更低或凹陷。由于共面性的这种缺乏，当在tcb工艺期间将管芯106、108附连到衬底110时，管芯106、108和/或衬底110上的相对于其它凸块向外突出的凸块将首先接触相配表面上的相配凸块和/或焊盘，而在接合可能之前，管芯106、108和/或衬底110上的其它凸块将需要被压得更靠近在一起。确保所有凸块正确接合所需的力可能导致向外突出的凸块被压溃（以可能使压溃凸块的锡朝向邻近凸块扩散的方式），由此导致邻近凸块的不期望桥接。这种问题发生的可能性随着凸块间距向下缩放而增加，因为锡必须行进的距离更短（当锡在产生不期望桥之前变形时）。此外，管芯106、108和衬底110的相面对的表面上离得最远（因为它们相对于其它凸块凹陷）的凸块和/或焊盘可能不被压得足够靠近以在tcb工艺期间产生可靠的接合。
39.管芯和封装衬底（或其它下层管芯）在tcb工艺期间可能翘曲的常见方式是通过如图5中示出的两个组件的外边缘远离彼此弯曲或变弯。也就是说，当管芯502对着下层衬底504被压时，组件的相面对的表面将翘曲以形成类凸起表面。出于解释的目的，图5的所示示例中的翘曲被夸大。如示出的，管芯502的中心是远离衬底504的第一距离506，而管芯502的外边缘是显著大于第一距离506的第二距离508。如图5中展示的翘曲可能导致管芯502和/或衬底504的中心附近的压溃凸块以及外边缘附近的不与相配表面上的对应凸块和/或焊盘正确接合的凸块。如下面更充分讨论的，本文公开的示例通过将凸块制造成具有使由所讨论的凸块覆盖的区域在空间上变化的不同高度以补偿跨相同区域的预期翘曲来减少可能从衬底翘曲出现的非共面凸块的影响。因此，在图5的所示示例中，位于管芯502和关联衬底504的中心附近的凸块将更短，因此它们向外突出得比它们以其它方式会向外突出得更少，而位于边缘附近的凸块将更高，以达到针对正确接合所需的附加距离。
40.图6是具有跨衬底600的表面606分布的芯凸块602的阵列和桥凸块604的阵列的封装衬底600的一部分的平面视图。如图6中示出的，表面606包括开放空间608（在其中不存在凸块（芯凸块602或桥凸块604））。更特别地，在此示例中，开放空间608与桥凸块604的阵列的外边缘或周边邻近。与桥凸块的整个阵列关联的区域在本文中被称为桥凸块域。通常，在用于去除在形成凸块602、604时曾使用的干膜抗蚀剂的剥离工艺期间，在从开放空间608去除抗蚀剂之前，将首先在凸块602、604之间的间隙空间中去除抗蚀剂。一旦从凸块602、604之间去除抗蚀剂，开放空间608中的抗蚀剂就可以膨胀并推动紧邻的凸块602、604。如果力足够强，则凸块602、604上的电镀锡可以如上面结合图2和图3示出和描述的那样来移位或剪切。
41.如上面注释的，由于开放空间608中的抗蚀剂的膨胀，通常发生凸块移位。因此，凸块移位通常影响紧邻开放空间608的凸块（如图2中示出的）。进一步地，移位的方向通常远离邻近开放空间608并朝向桥凸块域的内部区域（也在图2中示出）。因此，在图6的所示示例中，沿桥凸块域的外边缘或周边的桥凸块604（例如，由图6中的阴影表示的桥凸块604）在剥离工艺期间有被移位的风险。值得注意的是，仅桥凸块604而不是芯凸块602有被移位的风险，因为芯凸块602足够大以承受由膨胀抗蚀剂所产生的力。
42.图7是根据本文公开的教导已修改的图6的示例封装衬底600的平面视图。更特别
地，在图7的所示示例中，虚设桥凸块702（通过“x”表示）的阵列邻近操作桥凸块604的外边缘或周边而定位，以便填充图6中示出的开放空间608。如在此上下文中使用的，当用于描述不同类型的凸块时，术语“操作”用于与术语“虚设”形成对照。具体地，“操作”凸块是预期为电信号提供传导路径的凸块。换句话说，“操作”凸块是当包含凸块的ic封装在操作中要被使用时经由电气电路而与关联组件互连的凸块。操作凸块可以备选地称为活动凸块。重要的是，术语“活动凸块”或“操作凸块”的使用不要求凸块通过向包含凸块的关联ic封装提供的功率而活动地处于操作中。相反，如本文所使用的，这些术语旨在指示在关联ic封装被正确地连线、供电、和在使用中的情况下，此类凸块能够传送电功率和/或信号。与上面的定义相对照，“虚设”凸块不电耦合到任何组件，并且因此不能够在操作中被使用。相反，“虚设”凸块用于保护“操作”凸块免于在干膜抗蚀剂剥离工艺期间移位。
43.在图7的所示示例中，虚设桥凸块702大致上填充图6中示出的开放空间608。然而，在一些示例中，只要开放空间608中的任何其余部分通过至少一行虚设桥凸块702而与操作桥凸块604分离，开放空间608中的至少一部分就可以保留。以这种方式，如果其余开放空间中的抗蚀剂膨胀并使邻近凸块移位，则被移位的凸块将被限于虚设桥凸块702，从而保护操作桥凸块604。此外，虚设凸块702可以提供改进跨操作桥凸块604的电镀均匀性（例如，相对凸块厚度变化（rbtv））的附加益处。特别地，跨凸块域阵列的凸块电镀不总是引起所有凸块的完全均匀电镀高度。相反，凸块域的边缘或外周边附近的凸块的电镀高度通常略微比凸块的其余部分更短。通过添加围绕操作桥凸块604的虚设桥凸块702，与操作桥凸块604有关的电镀的任何变薄较不可能发生。
44.在图7的所示示例中，虚设桥凸块702具有与操作桥凸块604相同的大小和形状，并且被布置为与操作桥凸块604的包装（packing）几何形状（例如，六边形包装）对准并作为其延伸或延续。然而，在其它示例中，虚设桥凸块702可以是与操作桥凸块604不同的大小（更大或更小），可以是与操作桥凸块604不同的形状（例如，非圆形），和/或可以以不同的方式布置（例如，虚设凸块可以沿桥凸块域的所有边以直线布置，而不是对应于如图7中示出的六边形包装的交错对准）。进一步地，邻近桥凸块域的特定边缘放置的虚设桥凸块的行的数量可以是任何适合的数量（例如，1、2、3等），并且可以取决于衬底上的操作凸块的设计和位置以及开放空间608的大小和位置。换句话说，在一些示例中，在不同位置处在远离桥凸块域延伸的不同线上布置不同数量的虚设凸块702。
45.此外，在一些示例中，虚设桥凸块702与操作桥凸块604的不同之处在于，虚设桥凸块702被构造成比操作桥凸块604更短。如上面所讨论的，随着凸块的高度与直径纵横比增加，凸块移位变成更大顾虑。因此，通过减少虚设桥凸块702的高度，在仍为操作桥凸块604提供保护的同时，在此类凸块上的电镀锡的移位变得更不可能。比操作桥凸块604更短的虚设桥凸块702还使虚设桥凸块702与管芯间隔开更远（在管芯被附连到封装衬底600时）。这在图8的横截面视图中示出。具体地，图8示出了附连到封装衬底804的示例管芯802。在此示例中，管芯802经由芯凸块808和操作桥凸块810而被电耦合到封装衬底804的内部互连806。进一步地，如在所示示例中示出的，虚设桥凸块812邻近封装衬底804上的操作桥凸块810而定位以便位于封装衬底804的表面816的开放空间814与操作桥凸块810之间。如本文所使用的，开放空间是表面816上没有凸块的任何空间，其延伸至少对应于操作桥凸块810的间距的距离。
46.在此示例中，虚设桥凸块812经由延伸通过衬底804的钝化层820的铜通孔、互连、或焊盘818而在适当位置锚定到封装衬底804。然而，如图8中示出的，与虚设桥凸块812关联的铜通孔、互连、或焊盘818未电耦合到衬底804内的其它互连，并且因此未电耦合到任何其它组件（在封装中或在其外部）。进一步地，如图8的所示示例中示出的，虚设桥凸块812的高度小于操作桥凸块810的高度，从而在虚设凸块812与管芯802之间提供附加空间。也就是说，如所示示例中示出的，虚设凸块812具有较短的高度，使得它们不形成在管芯802和封装衬底804之间延伸整个距离的连接。
47.在一些示例中，通过图9-图12中详细描述的两阶段电镀工艺来实现操作桥凸块810和虚设桥凸块812的不同高度。具体地，图9示出了图8的封装衬底804的上部分，封装衬底804被制造直到在用作衬底804的各种凸块808、810、812的基部的下层铜上形成镍阻挡层的点。图10示出了被添加到已经被图案化有开口的衬底804的表面的干膜抗蚀剂1000，所述开口已经通过第一锡电镀工艺来填充。在一些示例中，在此第一电镀工艺中添加的锡的量限定了虚设桥凸块812的高度（以及芯凸块808的高度）。如图11中示出的，添加第二干膜抗蚀剂层1102以覆盖芯凸块808和虚设桥凸块812，跟着是第二锡电镀工艺以增加操作桥凸块810的高度。图12示出了在已通过剥离工艺去除干膜抗蚀剂层之后的封装衬底。在此示例中，因为虚设凸块812邻近操作桥凸块810而定位，所以在剥离工艺期间开放空间814中的抗蚀剂的任何膨胀都不影响操作桥凸块810。
48.图13是示出制作图8的封装衬底804直至图12中示出的完成阶段的示例方法的流程图。尽管参考图13中示出的流程图描述了制作的示例方法，但备选地可以使用许多其它方法。例如，可以改变框的执行顺序，和/或可以组合、划分、重新布置、省略、消除、和/或以任何其它方式实现所描述的框中的一些框。
49.在框1302，示例过程从制造衬底804直到钝化层820开始。在框1304，示例方法包括添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）用于操作桥凸块810和虚设凸块812的铜焊盘，虚设凸块812邻近操作桥凸块810的外边缘。在框1306，示例方法包括将镍阻挡层添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）到铜焊盘。在完成框1306之后的制造点对应于如图9中示出的封装衬底804。
50.在框1308，所述方法包括在衬底804的表面816上添加第一干膜抗蚀剂层1002。在框1310，所述方法包括图案化第一干膜抗蚀剂层1002以形成用于操作桥凸块810和虚设凸块812的开口。在框1312，所述方法包括在暴露的镍阻挡层上在开口中添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）锡。在框1312完成之后的制造点对应于如图10中示出的衬底804。
51.在框1314，所述方法包括在第一干膜抗蚀剂层1002之上添加第二干膜抗蚀剂层1102。在框1316，所述方法包括图案化第二干膜抗蚀剂层1102以形成用于操作桥凸块810的开口，同时使虚设凸块812被覆盖。在框1318，所述方法包括在操作桥凸块810的暴露的锡上在开口中添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）额外的锡。添加到操作桥凸块810的额外的锡引起被添加到操作桥凸块810的相对于虚设凸块812的附加高度。在完成框1318之后的制造点对应于如图11中示出的封装衬底804。在框1320，所述方法包括去除第一干膜抗蚀剂层1002和第二干膜抗蚀剂层1102。由于包括虚设凸块812，干膜抗蚀剂1002、1102的任何膨胀将不引起操作桥凸块810上的锡的任何移位。一旦抗蚀剂层已被去除，图13的示例过程就结束，并且可以通过例如附连图8中示出的管芯802来进一步处理所完成的封装衬底
804（如图12中示出的）。
52.已经结合封装衬底600、804上的虚设凸块702、812的实现描述了图6-图13的讨论。然而，在其它示例中，衬底600、804对应于单独管芯被附连到其上的下层管芯，而不是封装的衬底。进一步地，在一些示例中，虚设凸块可以备选地邻近附连到下层衬底的单独管芯（例如，图8的管芯802）上的操作桥凸块而实现，而不是在下层衬底（无论是封装衬底还是下层管芯）上制造虚设凸块。进一步地，在一些示例中，下层衬底和所附连的管芯两者都包括围绕对应操作桥凸块的虚设凸块。更特别地，在一些示例中，虚设凸块是在下层衬底上还是在附连的管芯上形成取决于哪个组件还是两个组件包括电镀锡。也就是说，在一些示例中，仅下层衬底或管芯中的一个包括通过将锡电镀到铜/镍基部而形成的凸块，而其它组件包括用于凸块或焊盘的铜/镍基部而没有将任何锡添加到其。在此类示例中，仅具有电镀锡的组件有移位凸块的风险，并且因此是在其上可能需要虚设凸块的唯一组件。
53.如上面结合图4所讨论的，当在管芯和/或对应封装衬底上制造凸块时可能发生的一个潜在缺陷是锡芯吸缺陷。芯吸涉及在锡回流工艺期间凸块的锡从凸块的铜/镍基部的边缘落下。芯吸发生的可能性与凸块的电镀锡（例如，在回流之前）的高度与直径（h/d）比相关。也就是说，随着h/d比增加，芯吸的可能性也增加。因此，避免芯吸的努力有时涉及设计规则的改变，其通过减少电镀锡的高度来减少h/d比。然而，鉴于要求间距的向下缩放和凸块的关联大小的设计约束，此类努力不再可行。更特别地，减少直径减小的凸块的h/d比必需涉及凸块中包括的锡的总体积的减少。减小锡的体积可能负面影响通过此类锡形成的焊接点的可靠性。然而，实验性测试已示出，当与圆基部相比时，在具有不同于（如典型的）圆的形状的凸块的基部中形成下层铜和镍层可以在铜/镍基部上维持锡的更大体积。附加地或备选地，可以在具有较小直径的非圆基部上维持与在圆基部上相同的锡体积，从而使能所有凸块直径更小以实现比使用圆基部将可能的间距更小的间距。
54.图14示出了基于具有铜/镍基部的凸块（其具有不同形状）的sem图像的说明。更特别地，图14中示出的图示是六边形凸块、八边形凸块、和圆形凸块的倾斜视图，所述凸块被切割成两半以示出相应凸块的横截面。进一步地，图14中示出的图示中的不同图示包括在两个不同方向上切割的凸块，所述两个不同方向包括平行于凸块所在的衬底的表面（例如，图1的内表面120）的第一方向和平行于凸块所在的衬底的表面（例如，图1的内表面120）的第二方向。在此示例中，在第一方向上跨凸块测量的凸块的第一尺寸对应于最短尺寸（从六边形凸块和八边形凸块的一个边到相对边），并且在第二方向上跨凸块测量的凸块的第二尺寸对应于最长方向（从六边形凸块和八边形凸块的一个角到相对角）。如本文使用的，正多边形（例如六边形或八边形）的最短横截面尺寸在本文中称为多边形的内径或较小直径。相比之下，多边形的最长横截面方向在本文中也称为多边形的外径或较大直径。正多边形的内径和外径之间在大小方面的差异取决于边的数量以及顶点或角的对应数量。例如，八边形的内径比八边形的外径小7%以上，而六边形的内径比六边形的外径小13%以上。因此，本文所公开的示例凸块可以具有不同的横截面尺寸，所述不同的横截面尺寸取决于横截面的角度而变化相对显著的余量（例如，超过5%）。
55.值得注意的是，在图14中切割的凸块在回流工艺之后。结果，虽然下层铜/镍层具有如上面注释的不同形状，但是在每种情况下锡大致是球形的或球状的。锡的球形或球状形状起因于锡的表面张力（当锡在回流工艺期间熔化时）。在回流工艺之前，锡也具有对应
于下层铜/镍基部的形状。例如，图15是基于回流工艺之前的六边形芯凸块的平面或顶视图的sem图像的图示，其示出锡在形状上大致是六边形的。类似地，图16是基于回流工艺之前的六边形桥凸块的平面或顶视图的sem图像的图示，其示出锡在形状上大致是六边形的。图17是基于回流工艺之后的六边形凸块的倾斜视图的sem图像的图示，其示出尽管锡是球形的或球状的，但下层铜/镍基部保持大致六边形形状。
56.虽然回流之后锡的形状大致是球形的或球状的，但是球形形状的特定轮廓受下层基部的形状影响。这在图18中图解地示出。特别地，图18示出了在铜1806和镍1808的六边形基部1804上的锡1802的两个示例轮廓。图18中示出的两个轮廓对应于凸块的两个不同横截面视图，包括沿六边形基部1804的最短尺寸1812所取的第一横截面1810（例如，在六边形基部1804的相对边之间延伸）以及沿六边形基部1804的最长尺寸1816所取的第二横截面1814（例如，在六边形基部1804的相对角之间延伸）。如在所示示例中示出的，锡1802相对于第一横截面1810中的六边形基部1804的侧壁的角度1818小于锡1802相对于第二横截面1814中的六边形基部1804的侧壁的角度1820。换句话说，相比锡1802凸出（overhang）六边形基部1804的角，锡1802的轮廓在六边形基部1804的每个边的中点1822处凸出六边形基部1804的侧壁更大程度。这是预期的，因为如图18中示出的，具有对应于六边形基部1804的内径的直径的锡1802的完全球形液滴将延伸到六边形边的中点1822，但是保持与六边形基部1804的角间隔开并在其内。相比之下，在具有圆形铜/镍基部的典型凸块中，锡的完全球形液滴将沿基部的整个圆周延伸到圆形基部的边缘。结果，沿圆形基部的整个圆周的任何点都可以是引起芯吸开始的相对高风险的位置，在芯吸中，熔化的锡从凸块基部的边缘落下。然而，对于图18中示出的六边形基部1804，芯吸最高风险的位置被减少到对应于六边形基部1804的边的中点1822的六个点。
57.六边形基部相对于标准圆形基部的优点在图19中进一步详细描述，图19比较了不同的成六边形的凸块相对于类似大小的圆形凸块。在图19中，四个图1902、1904、1906、1908中的每个中的阴影面积表示锡的电镀面积。因此，第一图1902和最后图1908对应于圆形凸块，而第二图和第三图表示六边形凸块。出于解释的目的，第一图1902的圆形凸块是参考凸块，其它三个图中的每个与其比较。因此，如图1中示出的，电镀锡的面积与锡的体积的比被归一化为1。图19的第二图1904中的虚线圆是与第一图1902中的参考圆形凸块相同大小，并且被提供用于比较的目的。如第二图1904中示出的，六边形的内径等于第一图1902中示出的参考圆形凸块的直径。因为六边形凸块的此临界尺寸等于参考圆的直径，所以由第二图1904表示的六边形凸块可以通过与对于参考圆形凸块将可能的相同间距来分布。然而，如在所示示例中示出的，电镀锡的面积延伸超过参考圆的圆周（例如，在六边形的角处），使得更大量的锡可以被包括在凸块上。更特别地，如图19中指示的，在第二图中电镀锡的面积与锡的体积的比是1.1（相对于参考圆形凸块）。因此，通过使用六边形凸块代替圆形凸块，可以实现以恒定间距的凸块的面积与体积比增加10%。
58.如上面描述的，存在减少凸块的大小和凸块的对应间距或间隔的持续努力。第三图1906表示相对于第二图1904的六边形凸块在大小方面已减少的六边形凸块。更特别地，第三图1906的六边形凸块在大小方面被减少使得其外径等于第一图1902的参考圆形凸块的直径，并且第一图1902的参考圆形凸块在第三图1906中由虚线圆表示。如在所示示例中示出的，这种在大小方面的减少引起电镀锡的面积与锡的体积的比为0.827。相比之下，第
四图1908表示圆形凸块，其相对于第一图1902的参考圆形凸块在大小方面已经减少了与第三图1906的六边形凸块在大小方面减少的程度相同的程度。也就是说，如在所示示例中示出的，第四图1908的圆形凸块具有对应于第三图1906的六边形凸块（如由第四图1908中的虚线六边形所表示的）的内径的直径。由于第四图1908中的圆形凸块具有与第三图1906的六边形凸块相同的临界尺寸，这些凸块可以以类似的间距分布（以第一图1902和第二图1904的凸块可以以相同间距而被间隔的相同方式）。然而，如图19中指示的，对于由第四图1908表示的圆形凸块，电镀锡的面积和锡的体积的比为0.75。因此，尽管图19的第三图1906和第四图1908两者中的凸块在大小方面减少了相同的量，但是第三图1906的六边形凸块的面积与体积比比第四图1908的圆形凸块大大约10%。换句话说，六边形凸块提供了以给定间距实现比通过标准圆形凸块而可能的锡体积更高的锡体积的能力。备选地，相对于具有相同锡体积的圆形凸块而可能的情况，六边形凸块可以针对减少的间距而被设计成稍微更小。
59.参考图20，六边形凸块可以以与圆形凸块相同的间距而被间隔的原因变得明白，所述圆形凸块具有对应于六边形凸块的最短尺寸（例如，内径）的直径。特别地，图20示出了以六边形网格布置的六边形凸块2002的示例阵列，其中凸块2002中的邻近凸块之间的最短距离2004在邻近六边形凸块2002的相面对的边之间在垂直于相面对的边的方向延伸。在一些示例中，凸块的形状被设计成匹配凸块的包装几何形状。例如，在所示示例中，凸块的形状（六边形）匹配凸块的阵列的包装几何形状（六边形）。作为另一示例，对于正方形包装几何形状，可以实现正方形形状的凸块。在其它示例中，形状不匹配包装几何形状。在图2的所示示例中，邻近凸块2002之间的最短距离2004是将在相同大小的邻近圆形凸块之间的相同距离，使得凸块在两种情况下可以具有类似的间距。图21示出了以六边形网格布置的六边形凸块2102的另一示例阵列，其中凸块2102的邻近凸块之间的最短距离2104在邻近六边形凸块2102的角之间延伸。换句话说，图21中的给定凸块的角指向最靠近的邻近凸块的角，而图20中的给定凸块的角指向最靠近的邻近凸块之间。值得注意的是，图21中的六边形凸块2102之间的最短距离2104小于图20中的六边形凸块2002之间的最短距离2004。结果，图21的六边形凸块2102的大小可能需要略微小于图20的六边形凸块2002的大小。然而，图21的六边形凸块2102的大小不应该需要与通过相同最短距离2104间隔的圆形凸块一样小。进一步地，图21的六边形凸块2102的间隔应该需要与圆形凸块的间隔一样远，所述圆形凸块被定尺寸具有对应于六边形凸块2102的外径的直径。图21的六边形凸块2102的较小大小和/或较小间隔是可能的，因为如上面结合图18示出和描述的，在六边形凸块2102的角处的锡比中点1822更少地凸出下层铜/镍基部。结果，锡的芯吸的最有可能的点在中点1822处，它们在图21中比在图20中被间隔开更远。
60.尽管图18-图21示出了成六边形的凸块，但是凸块可以以非圆形的任何适合的形状形成（使用标准光刻图案化），以实现本文公开的益处中的一些。此类非圆形形状包括具有至少一个直边的形状。在一些示例中，非圆形形状对应于具有多个直边的多边形（例如，三角形、正方形、五边形、六边形、八边形等）。更特别地，在一些示例中，多边形对应于正多边形（例如，其中每个边为相同长度并且在每个角的角度相同的多边形）。在一些示例中，不同形状可以用于管芯和/或对应封装衬底上的不同凸块。在一些示例中，不同形状可以对应于单个凸块阵列内的不同凸块（例如，凸块在六边形和三角形之间交替）。在其它示例中，不
同形状可以对应于相异阵列中的凸块（例如，芯凸块阵列具有第一形状，而桥凸块阵列具有第二不同形状）。简而言之，可以以任何适合的方式来设计与以下项关联的设计要求：凸块的形状（其中每个凸块视情况相同或不同）以实现与凸块的间距和/或间隔、如此间隔的凸块的取向、临界（最短）尺寸（例如，在圆形凸块的上下文中的直径和在六边形凸块的上下文中在相对边之间的距离）、最长尺寸（例如，在六边形凸块中的角之间的距离）、铜/镍基部的界面面积、和锡电镀体积。
61.以上参数可以被选择和/或设计成相对于具有相比较大小的圆形凸块减少芯吸的风险。附加地或备选地，以上参数可以被选择和/或设计成相对于具有相比较大小的圆形凸块增加给定间距的锡体积。附加地或备选地，以上参数可以被选择和/或设计成减少凸块的大小，同时相对于具有相比较大小的圆形凸块维持相同的锡体积。在一些此类示例中，也可以维持较小凸块之间的间距以在邻近凸块之间提供更多空间（从而减少在凸块之间形成连接性桥的可能性）。在其它示例中，凸块的较小大小可以使能凸块的间距的减少。附加地或备选地，以上参数可以被选择和/或设计成减少凸块高度，同时维持相同的体积（从而减少h/d比，这进而减少了在干膜抗蚀剂剥离期间凸块移位的可能性）。
62.实现具有多边形形状的凸块的另一优点是减少数量的边（相对于与具有无限数量的边的多边形相当的圆），是此类凸块具有更高的光学分辨率。非圆形形状的较高分辨率起因于此类形状不从所有方向给出集中的光（如具有圆形形状的情况）的事实。这在图22中示出，其中在左边的图像是基于光致抗蚀剂的sem图像的图示，其使用正方形形状示出20μm的分辨率，而在右边的图像是基于光致抗蚀剂的sem图像的图示，其使用圆形形状示出仅23μm的分辨率。
63.图23是示出制作具有如上面结合图14-图22描述的非圆形凸块的衬底（例如，图1的封装衬底110）的示例方法的流程图。尽管参考图23中示出的流程图描述了示例制作方法，但备选地可以使用许多其它方法。例如，可以改变框的执行顺序，和/或可以组合、划分、重新布置、省略、消除、和/或以任何其它方式实现所描述的框中的一些框。
64.在框2302，示例过程从制造衬底110直到包括到下层对应凸块的铜通孔的钝化层开始。在一些示例中，铜通孔在形状上是圆形的（例如，延伸通过钝化层的圆形接线柱）。在框2304，所述方法包括图案化钝化层上的干膜抗蚀剂以形成具有与铜通孔对准的非圆形形状的开口。如上面讨论的，开口的形状可以是任何适合的形状。在一些示例中，不同形状可以用于衬底110上的凸块中的不同凸块。进一步地，在一些示例中，除了非圆形形状之外，封装衬底可以包括圆形形状。在框2306，示例方法包括在开口中添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）铜。在框2308，示例方法包括将镍阻挡层添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）到铜焊盘以形成用于凸块的非圆形基部。在框2310，示例方法包括将锡添加到铜/镍基部。在一些示例中，通过类似的电镀沉积工艺来完成锡的添加，使得锡将采取与下层铜/镍基部相同的非圆形形状。然而，在框2312，所述方法包括回流锡以在管芯附连之前形成凸块的最终形状。也就是说，通过回流工艺，锡将熔化并由于熔化的锡的表面张力而转变成大致球形或球状形状。然而，铜/镍基部将保持非圆形形状。此后，图23的示例方法结束，并且最终产品可以用于进一步处理（例如，通过附连关联的管芯）。
65.尽管图23的方法通过封装衬底上非圆形凸块的制造来描述，但是所述方法可以类似地应用于管芯上凸块的制造。更一般地，关于非圆形凸块的制造的图14-图23的讨论适用
于任何类型的凸块。因此，芯凸块和桥凸块两者都可以被制造有非圆形形状。进一步地，已结合封装衬底100上的非圆形凸块的实现描述了图14-图23的讨论。然而，在其它示例中，可以在下层管芯（单独管芯被附连到其上）上制造非圆形凸块，而不是在封装的衬底上形成非圆形凸块。进一步地，在一些示例中，非圆形凸块可以备选地在附连到下层衬底的单独管芯（例如，图1的管芯106、108）上形成，而不是在下层衬底（无论是封装衬底还是下层管芯）上制造非圆形凸块。进一步地，在一些示例中，下层衬底和附连的管芯两者包括非圆形凸块。在一些此类示例中，两个对接组件上的对应凸块和/或焊盘的形状匹配。在其它示例中，对接组件上的凸块和/或焊盘中的相配凸块和/或焊盘可以相对于彼此具有不同的形状。进一步地，在一些示例中，结合图14-图23公开的教导可以与结合图6-图13公开的教导组合。也就是说，在一些示例中，结合图6-图13讨论的虚设凸块可以具有如结合图14-图23讨论的非圆形形状。
66.如上面结合图5所讨论的，当在管芯和/或对应封装衬底（或下层管芯）上制造凸块时可能发生的一个潜在缺陷是由于管芯和/或衬底中的翘曲而导致的缺乏跨凸块阵列的共面性。在一些实例中，此类翘曲单独起因于制造管芯和/或衬底。附加地或备选地，当下层衬底和管芯上的凸块和/或焊盘被接合在一起时，此类翘曲可能在tcb工艺期间出现。在一些示例中，在可以预计翘曲的性质的情况下，管芯和/或封装衬底上的凸块被制造成具有不同的高度，所述不同的高度补偿管芯和/或衬底上由于翘曲而向外突出或向内凹陷的区域。更特别地，在一些示例中，通过制造具有不同直径或宽度的凸块来实现凸块的不同高度。
67.图24-图26示出了具有不同高度的凸块的制造工艺中的三个阶段。特别地，图24示出了衬底的钝化层2402，在其中电镀铜之前，钝化层已经被光刻图案化以形成一系列开口2404。在一些示例中，衬底对应于图1的封装100的衬底110。图24示出了干膜抗蚀剂2406（在钝化层2402上），其已经被图案化有与钝化层2402中的开口2404对准的一系列开口2408。在此示例中，钝化层中的所有三个开口2404的直径或宽度是相同大小。相比之下，干膜抗蚀剂2406中的开口2408中的每个的直径或宽度具有与其它两个开口2408不同的大小。更特别地，在此示例中，最左边的开口2408具有三个中最小的直径，最右边的开口2408具有三个中最大的直径，其中中心开口2408具有在另外两个之间的直径。
68.电镀工艺（通过其将铜、镍、和锡添加到开口2404、2408中）控制添加的材料的体积。也就是说，开口2404、2408中的每个将被电镀有大约相同量的铜、大约相同量的镍、和大约相同量的锡。由于添加到每个开口2404、2408中的金属的体积或量是恒定的，所以开口2404、2408的直径或宽度的改变影响每个金属层的厚度或高度。更特别地，较小直径的开口将引起较高的电镀高度，而较大直径将引起较短的电镀高度。这在图25中示出，其示出了铜2502填充钝化层2402的开口2404并向上延伸到干膜抗蚀剂中的开口2408中。在此示例中，由于最左边开口的直径较小，因此相比其它开口，铜2502在最左边开口2408中延伸到更大的高度。在开口2408中的每个中，镍阻挡层2504被添加到铜2502。如在所示示例中示出的，由于每个开口的不同直径，镍阻挡层2504的厚度对于最左边开口2408最大，并且对于最右边开口2408最小。最后，在镍阻挡层2504上添加锡2506，其中锡2506的厚度或高度基于每个开口2408的不同直径而在每个开口2408之间不同。图26示出了在去除干膜抗蚀剂2406之后所得到的三个不同高度的凸块。值得注意的是，不仅凸块的总体高度（相对于钝化层2402的上表面）不同，而且由于凸块的基部中铜和镍的不同厚度，镍阻挡层2504和锡2506之间的界
面2602的高度也跨不同凸块而在高度方面变化。
69.基于调制开口2408的直径或宽度来调整凸块的高度的优点是其仅涉及用于图案化开口的掩模的重新设计，而不影响其它制造处理操作。例如，如本文所公开的调整开口的直径或大小使得电镀操作能够被独立地控制并且如它们在过去被执行那样来执行，包括与用于桥凸块的电镀高度相比用于芯凸块的特定电镀高度。
70.在图24-图26的所示示例中，钝化层2402中的开口2404具有一致的直径或宽度。然而，在其它示例中，钝化层2402中的开口2404也可以从一个开口2404到另一个而不同。在一些此类示例中，开口2404之间的差异程度与干膜抗蚀剂2406中的开口2408的大小差异成比例。在其它示例中，钝化层2402中的开口2404的大小以独立于干膜抗蚀剂2406中的开口2408的不同大小的方式而不同。进一步地，在图24-28的所示示例中，开口2404、2408的中心轴线以一致的间距而被间隔开。然而，在其它示例中，邻近凸块之间的间距可以在衬底上的不同位置处不同，以取决于凸块的直径或宽度是更大还是更小来提供凸块之间的更多或更少空间（以产生对应的更短或更高凸块）。
71.如在所示示例中示出的，通过调整或调制每个开口的大小（其可以通过已知光刻技术来准确控制），可能的是跨凸块阵列（例如，特定凸块域）在空间上限定不同凸块高度，以跨衬底的区域（对应于凸块阵列的区域）补偿封装衬底和/或对应管芯中的预期形式的翘曲。跨封装衬底和/或管芯的区域在空间上调制凸块的高度还可以补偿其它类型的已知缺陷。也就是说，更一般地，通过上面讨论的有不同大小的开口来调整电镀高度可以补偿任何已知单元和/或管芯级总失效面积（gfa），以改进电镀均匀性（例如，增加跨凸块的共面性）。进一步地，所述工艺可以用于生成补偿其它已知gfa的凸块的共面性中的预期不均匀性。例如，已知封装衬底的外边缘附近的金属电镀比封装的中心附近的电镀更薄，从而导致不期望的阻焊剂通孔深度变化，并且导致用于激光钻孔的余量减少。封装衬底的外边缘附近的凸块可以被设计有更小的直径或宽度，以产生补偿那些区域中的较薄电镀的较高凸块。
72.值得注意的是，图26中示出的凸块的高度不对应于回流之后每个凸块的最终高度，因为如上面描述的，回流工艺引起锡2506由于熔化状态中锡的表面张力而重新成形为球形或球状形状。因此，每个开口2408的特定直径应该鉴于回流工艺期间锡的重新成形来设计。此外，回流之后锡的高度可以基于下层铜/镍基部的形状（例如，如典型凸块中的圆形或如结合图14-图23所描述的非圆形）而不同。因此，凸块的形状是另一设计考量，其可以被调整以改变不同凸块相对于其它凸块的高度。
73.图24-图26中示出的直径或宽度的特定差异以及凸块高度的对应差异通过说明的方式来提供，而不一定表示实际凸块。供参考，在典型凸块中，钝化层2402上方的铜2502的厚度为大约7μm，镍阻挡层2504的厚度为大约3μm，并且锡的厚度（在回流之前）是从大约15μm至20μm的任何厚度。进一步地，在许多情况下，与图24-图26中示出的情况不同，从一个凸块到下一邻近凸块在高度方面的差异可能相对小，因为封装衬底和/或管芯中的翘曲跨衬底和/或管芯的表面通常是平缓的而不是陡峭的。然而，当跨衬底和/或管芯的整个表面比较时，凸块高度的可变性可能相对显著。例如，在一些实验性工作中，封装上从最小直径到最大直径的凸块直径或宽度的总差异是大约13μm（例如，凸块直径在大小方面从大约57μm到70μm变化），导致封装上从最高凸块到最低凸块的凸块高度的总差异是大约8μm。因此，在此示例中，凸块的直径或宽度的变化超过最小直径的20%。在其它示例中，甚至更大的变化
是可能的（例如，不同凸块的高度变化超过最小直径凸块的25%、30%、35%等）。在其它示例中，也可以实现更小的变化（例如，不同凸块的高度变化超过最小直径凸块的5%、10%、15%等）。
74.如上面讨论的，图5表示常见方式，管芯502和关联封装衬底504中的每个可以以所述常见方式翘曲。具体地，管芯502和衬底504两者远离彼此弯曲或变弯，使得它们之间的最靠近点在管芯502的中心附近，其中当你向外朝向管芯502的边缘移动并且进一步外向移动到管芯502的角时，管芯502和衬底504之间的距离增加。基于此观察，可能的是，通过如本文所公开那样跨管芯502和/或衬底504的表面修改凸块的高度来补偿此类翘曲。
75.更特别地，在图27中示出了具有在封装衬底2706上的两个单独管芯2702、2704的示例封装2700的占用面积。在管芯2702、2704中的每个内（或管芯的对应区域或阴影）的是以每个相应管芯2702、2704的中心点2708、2710为中心的同心圆或环的阵列，其限定了互连管芯2702、2704和封装衬底2706的凸块的宽度（和/或对应高度）的分布。更特别地，在此示例中，最内的圆内的区域和在所述圆的邻近圆之间限定的成环形区域限定了对应于具有不同高度的凸块的不同区域2712。也就是说，在一些示例中，每个环状区域2712内的每一个凸块被设计和制造成具有相同的直径或宽度，并且因此具有相同的高度。然而，每个环状区域2712中的凸块的宽度（和对应的高度）不同于其它区域2712中的宽度（和对应的高度）。更特别地，为了补偿图5中表示的翘曲，最内区域2712（对应于中心圆内的区域）具有最大直径凸块，其中在径向向外方向上移动的每个连续区域2712具有凸块（其具有比紧接在前的区域2712中更小的直径）。因此，与管芯2702、2704的角关联的区域具有最小直径凸块。跨管芯2702、2704的区域的凸块的不同直径引起最短的凸块在中心点2708、2710附近，其中凸块随着距中心点2708、2710的距离增加而逐渐变得更高。换句话说，在此类示例中，对于沿从中心点2708、2710径向向外延伸的线布置的每个连续凸块，基部的宽度逐渐减小。相比之下，除了沿所述线的两个或更多个紧邻凸块可能具有相同的宽度之外，对于沿所述线布置的连续凸块，由离散分布所限定的基部的宽度也逐渐减小。
76.图27的所示示例表示具有离散区域的离散分布，在所述离散区域中凸块被设置有相同的直径，并且因此具有相同的高度。在其它示例中，每个凸块的直径（和对应的高度）可以被单独地限定。例如，在一些示例中，在空间上跨与每个管芯2702、2704关联的区域来限定凸块大小（例如，直径和/或对应的高度）的基本上连续的梯度或连续的分布，而不是以离散分布来限定环状区域2712。在此类示例中，每个凸块具有相对于环绕其的紧邻凸块稍微不同的尺寸，其取决于相对于针对每个管芯2702、2704的区域所限定的梯度或分布的每个凸块的特定位置。
77.用于限定凸块尺寸的离散区域和/或连续分布不需要是圆形的，而是可以是任何适合的形状，并且可以跨管芯2702、2704的区域而不同和/或基于要由所得到的不同凸块高度补偿的翘曲的特定性质而从一个管芯到另一个管芯不同。在图27中限定了在空间上跨管芯2702、2704的凸块高度的调制或调整的分布跨管芯2702、2704的整个区域延伸。在其它示例中，可以针对管芯2702、2704的特定区域（诸如特定凸块域（例如，芯凸块域的一个分布和桥凸块域的单独分布）和/或管芯的任何其它适合部分）来限定不同分布，其限定凸块的不同大小和对应高度。进一步地，在一些示例中，可以相对于大于管芯2702、2704的区域（例如，下层封装衬底2706的区域）来限定分布，其限定凸块的大小。也就是说，在一些示例中，
跨封装衬底2706的表面限定大于管芯2702、2704中任一个的分布，而不是每个管芯2702、2704具有由管芯的占用面积的分布所限定的凸块。图28中示出了此类分布的示例。如在图28的所示示例中示出的，所述分布环绕对应于封装衬底2706的中心的单个中心点2802旋转，并且跨两个管芯2702、2704的区域径向向外延伸。值得注意的是，尽管相对于衬底2706的区域来限定图28中示出的分布，但是仅在管芯2702、2704的区域内表示所述分布，因为管芯2702、2704的区域是凸块将位于的唯一区域。
78.图29是示出制作具有凸块的封装衬底（例如，图1的封装衬底110）的示例方法的流程图，所述凸块具有不同高度以补偿封装衬底110和/或对应管芯中的预期翘曲。尽管参考图29中示出的流程图描述了示例制作方法，但备选地可以使用许多其它方法。例如，可以改变框的执行顺序，和/或可以组合、划分、重新布置、省略、消除、和/或以任何其它方式实现所描述的框中的一些框。
79.在框2902，示例过程从制造衬底110直到具有用于铜焊盘的开口（例如，图24的开口2404）的钝化层（例如，图24的钝化层2402）开始。在框2904，所述方法包括添加具有图案化开口（例如，图24的开口2408）的干膜抗蚀剂（例如，图24的干膜抗蚀剂2406），所述图案化开口具有基于衬底110上相对于预期翘曲的位置而不同的尺寸。在一些示例中，给定位置的开口的特定尺寸由跨封装衬底110中的一些或全部延伸的分布所限定。更特别地，在一些示例中，所述分布是由对应于特定尺寸的离散区域（诸如图27的环状区域2712）所限定的离散分布。在其它示例中，所述分布被限定为跨封装衬底110的相关区域的连续分布。在框2906，示例方法包括在开口2404、2408中添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）铜。在框2908，示例方法包括将镍阻挡层添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）到铜。在框2910，示例方法包括将锡添加（例如，经由电镀或其它适合的沉积工艺）到镍阻挡层。由于开口的尺寸跨衬底110而不同，并且基本一致体积的材料被添加到每个开口，所以锡相对于钝化层2402的上表面的所得到的高度跨衬底110也将不同。在框2912，所述方法包括回流锡以在管芯附连之前形成凸块的最终形状。虽然对于任何给定的凸块，回流之前和之后的锡的高度可能不同，但是基于回流之前的电镀锡的不同高度，每个凸块的最终高度也将相对于其它凸块而不同。此后，图29的示例方法结束，并且最终产品可以用于进一步处理（例如，通过附连关联的管芯）。
80.尽管相对于封装衬底上的凸块的制造来描述图29的方法，但是所述方法可以类似地适用于管芯上的凸块的制造。此外，关于制造具有不同高度的凸块以补偿翘曲的图24-图29的讨论适用于任何类型的凸块。因此，芯凸块和桥凸块两者都可以被制造有非圆形形状。进一步地，已经结合在封装衬底110上实现具有在空间上变化的直径的凸块阵列描述了图24-图29的讨论。然而，在其它示例中，可以在下层管芯（单独的管芯被附连到其上）上实现在空间上变化的凸块直径，而不是在封装的衬底上形成具有在空间上变化的直径的凸块阵列。进一步地，在一些示例中，此类凸块可以备选地在被附连到下层衬底的单独管芯（例如，图1的管芯106、108）上形成，而不是在下层衬底（无论是封装衬底还是下层管芯）上制造在空间上变化的凸块直径。进一步地，在一些示例中，下层衬底和所附连管芯两者都包括跨关联衬底和/或管芯的区域而变化的凸块。进一步地，在一些示例中，结合图24-图29所公开的教导可以与结合图6-图23所公开的教导组合。因此，在一些示例中，虚设凸块的直径（如结合图6-图13所讨论的）可以跨衬底（在其上形成虚设凸块）而变化。进一步地，在一些示例
中，在直径方面不同的凸块可以在形状上是圆形的（如在现有技术中典型的）或在形状上是非圆形的（如结合图14-图23所描述的）。
[0081]“包含”和“包括”（及其所有形式和时态）在本文中被使用来是开放式术语。因此，无论何时权利要求采用“包含”和“包括”的任何形式（例如包括（comprises）、包含（includes）、包括（comprising）、包含（including）、具有（having）等）作为前序或者在任何种类的权利要求陈述内，要理解，在没有超出对应的权利要求或陈述的范围的情况下，可以存在附加的元件、术语等。如本文中所使用的，当短语“至少”被用作例如权利要求的前序中的过渡术语时，以与术语“包括”和“包含”是开放式的相同方式，它是开放式的。术语“和/或”当例如以诸如a、b和/或c的形式被使用时指a、b、c的任何组合或子集，诸如（1）单独的a、（2）单独的b、（3）单独的c、（4）a与b、（5）a与c、（6）b与c、或（7）a与b以及与c。如本文中所使用的，在描述结构、组件、项目、对象和/或事物的上下文中，短语“a和b中的至少一个”是用来指包括（1）至少一个a、（2）至少一个b或（3）至少一个a和至少一个b当中的任何的实现。类似地，如本文中所使用的，在描述结构、组件、项目、对象和/或事物的上下文中，短语“a或b中的至少一个”是用来指包括（1）至少一个a、（2）至少一个b或（3）至少一个a和至少一个b当中的任何的实现。如本文中所使用的，在描述过程、指令、动作、活动和/或步骤的性能或执行的上下文中，短语“a和b中的至少一个”是用来指包括（1）至少一个a、（2）至少一个b或（3）至少一个a和至少一个b当中的任何的实现。类似地，如本文中所使用的，在描述过程、指令、动作、活动和/或步骤的性能或执行的上下文中，短语“a或b中的至少一个”是用来指包括（1）至少一个a、（2）至少一个b或（3）至少一个a和至少一个b当中的任何的实现。
[0082]
如本文中所使用的，单数引用（例如“一（a）”、“一个（an）”、“第一”、“第二”等）不排除复数。如本文中所使用的，术语“一”或“一个”对象指那个对象中的一个或多个。在本文中可互换地使用术语“一”（或“一个”）、“一个或多个”和“至少一个”。此外，尽管被单独列示，但是可以通过例如相同实体或对象来实现多个部件、元件或方法动作。另外，尽管各个特征可被包括在不同的示例或权利要求中，但是这些可能会被组合，并且包括在不同的示例或权利要求中并不意味着特征的组合是不可行的和/或是不利的。
[0083]
从前文内容中，将意识到，已经公开了示例系统、方法、设备、和制品，其减少了在与第一级互连关联的凸块中形成缺陷的可能性，所述缺陷与电镀锡的移位、锡的芯吸、以及由于翘曲和/或其它因素而导致的缺乏跨不同凸块的共面性相关联。以使得凸块能够被制造有较小大小和/或较小间隔的方式减少此类潜在缺陷，以满足对向下缩放电子组件的总体大小的持续需要。通过制造邻近操作桥凸块的虚设凸块、制造具有非圆形形状的凸块、和/或制造具有在空间上跨区域（凸块在其上被分布）而不同的直径的凸块，减少了上面注释的缺陷的可能性，并且实现了对应的优点。
[0084]
示例1包括一种设备，所述设备包括衬底、安装到所述衬底的半导体管芯、用于将所述管芯电连接到所述衬底内的桥的操作桥凸块、以及邻近所述操作桥凸块的虚设凸块。
[0085]
示例2包括示例1的设备，其中所述操作桥凸块被分布在桥凸块域内，所述虚设凸块被定位在所述桥凸块域和开放空间之间，没有凸块位于所述开放空间中。
[0086]
示例3包括示例1或2中任一项的设备，其中所述虚设凸块以围绕所述操作桥凸块的阵列来布置。
[0087]
示例4包括示例1-3中任一项的设备，其中所述虚设凸块的直径与所述操作桥凸块
的直径是相同大小。
[0088]
示例5包括示例1-4中任一项的设备，其中所述虚设凸块不形成在所述管芯和所述衬底之间延伸整个距离的连接。
[0089]
示例6包括示例1-5中任一项的设备，其中所述虚设凸块通过对应金属通孔而被锚定在适当的位置，并且所述虚设凸块不通过所述对应金属通孔而被电耦合到其它互连。
[0090]
示例7包括示例1-6中任一项的设备，其中所述虚设凸块被定位成与所述操作桥凸块的包装几何形状对准并且作为所述操作桥凸块的所述包装几何形状的延续。
[0091]
示例8包括示例1-7中任一项的设备，其中所述虚设凸块包括在远离所述操作桥凸块延伸的线上布置的至少两个虚设凸块。
[0092]
示例9包括示例8的设备，其中所述至少两个虚设凸块是第一数量的虚设凸块，所述线是在第一位置处远离所述操作桥凸块延伸的第一线，所述虚设凸块包括在第二线上布置的第二数量的虚设凸块，所述第二线在不同于所述第一位置的第二位置处远离所述操作桥凸块延伸，所述第二数量不同于所述第一数量。
[0093]
示例10包括示例1-9中任一项的设备，其中所述虚设凸块被定位在所述管芯上。
[0094]
示例11包括示例1-9中任一项的设备，其中所述虚设凸块被定位在所述衬底上。
[0095]
示例12包括示例1-9中任一项的设备，其中所述虚设凸块是所述衬底上的第一虚设凸块，所述设备进一步包括所述管芯上的第二虚设凸块。
[0096]
示例13包括示例1-12中任一项的设备，其中所述衬底对应于集成电路封装的封装衬底。
[0097]
示例14包括示例1-12中任一项的设备，其中所述管芯是第一管芯，并且所述衬底对应于与所述第一管芯相异的第二管芯。
[0098]
示例15包括一种集成电路（ic）封装，所述集成电路（ic）封装包括半导体管芯、封装衬底、用于将所述管芯电耦合到所述封装衬底内的桥的第一凸块、以及定位在所述第一凸块与开放空间之间的第二凸块，所述开放空间在所述封装衬底和所述管芯之间，在所述开放空间中不存在凸块，所述第二凸块不形成在所述管芯和所述封装衬底之间延伸整个距离的连接。
[0099]
示例16包括示例15的ic封装，其中所述第一凸块被分布在桥凸块域内，并且所述第二凸块邻近所述桥凸块域的周边。
[0100]
示例17包括示例16的ic封装，其中所述第二凸块的第一集合被布置在沿所述桥凸块域的第一边缘延伸的第一数量的行中，并且所述第二凸块的第二集合被布置在沿所述桥凸块域的第二边缘的第二数量的行中，所述第一数量的行不同于所述第二数量的行。
[0101]
示例18包括示例15-17中任一项的ic封装，其中所述第二凸块尺寸与所述第一凸块相同。
[0102]
示例19包括示例15-17中任一项的ic封装，其中所述第二凸块不被电耦合到所述封装衬底内的内部互连。
[0103]
示例20包括示例15-17中任一项的ic封装，其中所述第二凸块以与所述第一凸块相同的包装几何形状来布置。
[0104]
示例21包括一种制作集成电路（ic）封装的方法，所述方法包括在半导体管芯或用于支撑所述管芯的衬底中的至少一个上制造操作桥凸块；在所述管芯或所述衬底中的至少
一个上制造虚设桥凸块，所述虚设桥凸块用于将对应于所述操作桥凸块的位置的区域的边缘排成线；以及经由所述操作桥凸块将所述管芯附连到所述衬底。
[0105]
示例22包括示例21的方法，其中在所述管芯到所述衬底的所述附连之后，所述虚设桥凸块将与所述管芯或所述衬底中的相对一个间隔开，所述虚设桥凸块被设置在所述管芯或所述衬底上。
[0106]
示例23包括示例21或22中任一项的方法，其中所述操作桥凸块的所述制造和所述虚设桥凸块的所述制造包括常见金属电镀工艺。
[0107]
示例24包括示例23的方法，其中所述常见电镀工艺是第一电镀工艺，所述方法进一步包括第二电镀工艺，所述第二电镀工艺用于相对于所述虚设桥凸块而将附加高度添加到所述操作桥凸块。
[0108]
示例25包括示例21-24中任一项的方法，进一步包括在所述管芯或所述衬底中的所述至少一个的钝化层内形成金属通孔，所述金属通孔不被电耦合到所述管芯或所述衬底中的所述至少一个内的其它互连，在所述金属通孔上制造所述虚设桥凸块。
[0109]
示例26包括示例21-25中任一项的方法，进一步包括图案化干膜抗蚀剂中用于所述操作桥凸块和所述虚设桥凸块两者的开口。
[0110]
示例27包括示例26的方法，其中干膜抗蚀剂中用于所述操作桥凸块和所述虚设桥凸块两者的开口遵循常见包装几何形状。
[0111]
示例28包括示例21-27中任一项的方法，其中所述衬底对应于集成电路封装的封装衬底。
[0112]
示例29包括示例21-27中任一项的方法，其中所述管芯是第一管芯，并且所述衬底对应于与所述第一管芯相异的第二管芯。
[0113]
示例30包括一种设备，所述设备包括衬底、安装到所述衬底的半导体管芯、以及用于将所述管芯电耦合到所述衬底的凸块，所述凸块中的一些凸块具有对应基部，所述基部具有非圆形的形状。
[0114]
示例31包括示例30的设备，其中所述形状对应于多边形。
[0115]
示例32包括示例30或31中任一项的设备，其中所述形状对应于所述凸块的包装几何形状。
[0116]
示例33包括示例30-32中任一项的设备，其中所述形状是八边形。
[0117]
示例34包括示例30-32中任一项的设备，其中所述形状是六边形。
[0118]
示例35包括示例34的设备，其中所述凸块的包装几何形状是六边形包装几何形状。
[0119]
示例36包括示例35的设备，其中所述凸块中的第一凸块的所述六边形形状的角指向所述凸块中最靠近所述凸块中的所述第一凸块的其它凸块的角。
[0120]
示例37包括示例35的设备，其中所述凸块中的第一凸块的所述六边形形状的角指在所述凸块中最靠近所述凸块中的所述第一凸块的其它凸块之间。
[0121]
示例38包括示例30-37中任一项的设备，其中所述凸块是芯凸块。
[0122]
示例39包括示例30-37中任一项的设备，其中所述凸块是桥凸块。
[0123]
示例40包括示例30-39中任一项的设备，其中所述凸块中的所述一些凸块的所述基部被定位在所述管芯上。
[0124]
示例41包括示例30-39中任一项的设备，其中所述凸块中的所述一些凸块的所述基部被定位在所述衬底上。
[0125]
示例42包括示例30-39中任一项的设备，其中所述凸块中的所述一些凸块的所述基部中的至少一些基部被定位在所述衬底上，并且所述凸块中的所述一些凸块的所述基部中的一些基部被定位在所述管芯上。
[0126]
示例43包括示例30-42中任一项的设备，其中所述衬底对应于集成电路封装的封装衬底。
[0127]
示例44包括示例30-42中任一项的设备，其中所述管芯是第一管芯，并且所述衬底对应于与所述第一管芯相异的第二管芯。
[0128]
示例45包括一种集成电路（ic）封装，所述集成电路（ic）封装包括半导体管芯、封装衬底、以及布置在所述管芯或所述封装衬底中的至少一个的表面上的凸块阵列，所述凸块用于将所述管芯电耦合到所述封装衬底，所述凸块阵列中的第一凸块具有基部，所述基部具有在平行于所述表面的第一方向上测量的第一尺寸，所述基部具有在平行于所述表面的第二方向上测量的第二尺寸，所述第一方向不同于所述第二方向，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。
[0129]
示例46包括示例45的ic封装，其中所述基部具有包括至少一个直边的形状。
[0130]
示例47包括示例46的ic封装，其中形状对应于多边形，所述第一尺寸对应于所述多边形的内径，并且所述第二尺寸对应于所述多边形的外径。
[0131]
示例48包括示例45-47中任一项的ic封装，其中所述第一尺寸比所述第二尺寸小至少5%。
[0132]
示例49包括示例45-48中任一项的ic封装，其中所述基部具有六边形形状。
[0133]
示例50包括示例49的ic封装，其中所述基部是第一基部，并且所述凸块阵列的第二凸块具有第二基部，所述第二基部具有六边形形状，所述第一基部和所述第二基部之间的最短距离对应于所述第一基部和所述第二基部的所述六边形形状的相面对的边之间在垂直于所述边的方向上的间隔。
[0134]
示例51包括示例49的ic封装，其中所述基部是第一基部，并且所述凸块阵列的第二凸块具有第二基部，所述第二基部具有六边形形状，在所述第一基部和所述第二基部的所述六边形形状的接近角之间延伸的第一距离小于在所述第一基部和所述第二基部的所述六边形形状的接近边的中点之间延伸的第二距离。
[0135]
示例52包括一种制作集成电路（ic）封装的方法，所述方法包括：制造凸块的基部，所述凸块用于将管芯电耦合到衬底，所述基部具有非圆形的形状；将锡添加到所述基部上；以及使用所述锡将所述管芯附连到所述衬底。
[0136]
示例53包括示例52的方法，其中所述凸块的所述基部的所述制造包括：将干膜抗蚀剂图案化有开口，所述开口具有非圆形的所述形状；以及经由电镀在所述开口中添加金属。
[0137]
示例54包括示例53的方法，其中所述干膜抗蚀剂的所述图案化包括基于对应于非圆形的所述形状的包装几何形状来分布所述开口。
[0138]
示例55包括示例53或54中任一项的方法，其中所述锡被添加到所述开口中。
[0139]
示例56包括示例52-55中任一项的方法，其中所述基部被定位在所述管芯上。
[0140]
示例57包括示例52-55中任一项的方法，其中所述基部被定位在所述衬底上。
[0141]
示例58包括示例52-57中任一项的方法，其中所述衬底对应于集成电路封装的封装衬底。
[0142]
示例59包括示例52-57中任一项的方法，其中所述管芯是第一管芯，并且所述衬底对应于与所述第一管芯相异的第二管芯。
[0143]
示例60包括一种设备，所述设备包括衬底、安装到所述衬底的半导体管芯、以及用于将所述管芯电耦合到所述衬底的凸块的阵列，所述凸块中的每个凸块具有对应基部，所述基部中的不同基部具有在空间上跨凸块的所述阵列而变化的不同宽度。
[0144]
示例61包括示例60的设备，其中所述凸块包括所述基部上的锡，所述锡和所述基部中的不同基部在其之间限定对应的界面，所述界面中的不同界面距表面有不同的距离，在所述表面上形成所述基部。
[0145]
示例62包括示例61的设备，其中所述界面中的所述不同界面距所述衬底的所述表面的所述距离随着所述对应基部的宽度减小而增加。
[0146]
示例63包括示例60-62中任一项的设备，其中所述不同宽度根据分布在空间上跨凸块的所述阵列而变化。
[0147]
示例64包括示例63的设备，其中所述分布是基本上连续的分布。
[0148]
示例65包括示例63的设备，其中所述分布是由对与所述分布关联的多个不同区域的增量改变所限定的离散分布。
[0149]
示例66包括示例63-65中任一项的设备，其中所述分布对应于大于所述管芯的占用面积的区域。
[0150]
示例67包括示例63-65中任一项的设备，其中所述分布对应于小于所述管芯的占用面积的区域。
[0151]
示例68包括示例63-65中任一项的设备，其中所述分布对应于与所述管芯的占用面积对应的区域。
[0152]
示例69包括示例60-68中任一项的设备，其中具有所述不同宽度的所述凸块中的一些凸块具有恒定间距。
[0153]
示例70包括示例60-69中任一项的设备，其中所述凸块是芯凸块。
[0154]
示例71包括示例60-69中任一项的设备，其中所述凸块是桥凸块。
[0155]
示例72包括示例60-71中任一项的设备，其中所述凸块中的所述一些凸块的所述基部被定位在所述管芯上。
[0156]
示例73包括示例60-71中任一项的设备，其中所述凸块中的所述一些凸块的所述基部被定位在所述衬底上。
[0157]
示例74包括示例60-71中任一项的设备，其中所述凸块中的所述一些凸块的所述基部中的至少一些基部被定位在所述衬底上，并且所述凸块中的所述一些凸块的所述基部中的一些基部被定位在所述管芯上。
[0158]
示例75包括示例60-74中任一项的设备，其中所述衬底对应于集成电路封装的封装衬底。
[0159]
示例76包括示例60-74中任一项的设备，其中所述管芯是第一管芯，并且所述衬底对应于与所述第一管芯相异的第二管芯。
[0160]
示例77包括一种集成电路（ic）封装，所述集成电路（ic）封装包括半导体管芯、封装衬底、以及跨所述管芯或所述封装衬底中的至少一个的表面的区域分布的凸块的阵列，所述凸块用于将所述管芯电耦合到所述封装衬底，所述凸块中的每个凸块具有对应的基部，所述对应的基部具有关联的宽度，所述基部中的不同基部的所述宽度对应于范围从最小宽度到最大宽度的多个不同宽度中的不同宽度。
[0161]
示例78包括示例77的ic封装，其中所述凸块包括所述基部上的锡，所述锡和所述基部中的不同基部在其之间限定对应的界面，所述界面中的不同界面距所述表面有不同的距离。
[0162]
示例79包括示例77或78中任一项的ic封装，其中所述基部的所述宽度对于沿线布置的所述凸块中的不同凸块而逐渐减小。
[0163]
示例80包括示例77-70中任一项的ic封装，其中所述凸块的第一集合在凸块的所述阵列的第一区域中，并且凸块的第二集合在凸块的所述阵列的第二区域中，所述凸块的所述第一集合的所述基部的所述宽度是第一宽度，凸块的所述第二集合的所述基部的所述宽度是大于所述第一宽度的第二宽度。
[0164]
示例81包括示例80的ic封装，其中所述第一区域和所述第二区域对应于同心环状环。
[0165]
示例82包括示例80或81中任一项的ic封装，其中所述第一区域围绕所述第二区域。
[0166]
示例83包括示例77-82中任一项的ic封装，其中所述多个不同宽度由在空间上跨所述表面的所述区域而变化的凸块宽度的分布来限定。
[0167]
示例84包括一种制作集成电路（ic）封装的方法，所述方法包括在表面上制造凸块的阵列，所述凸块用于将管芯电耦合到衬底，所述凸块中的每个凸块具有对应的基部，所述基部中的不同基部具有在空间上跨凸块的所述阵列而变化的不同宽度；以及经由所述凸块将所述管芯附连到所述衬底。
[0168]
示例85包括示例84的方法，其中凸块的所述阵列的所述制造包括将干膜抗蚀剂添加到所述表面；在所述干膜抗蚀剂中图案化开口，所述开口中的不同开口具有对应于所述基部中的所述不同基部的所述不同宽度的不同尺寸；以及将金属添加到所述开口中。
[0169]
示例86包括示例85的方法，其中所述金属到所述开口中的所述添加包括电镀工艺，在所述电镀工艺中，在所述开口中的不同开口中添加基本上恒定量的体积。
[0170]
示例87包括示例85或86中任一项的方法，其中所述开口中的所述不同开口的所述不同尺寸由离散分布所限定，所述离散分布限定与所述开口中的所述不同开口的所述不同尺寸中的增量差异关联的不同区域。
[0171]
示例88包括示例85或86中任一项的方法，其中所述开口中的所述不同开口的所述不同尺寸由基本上连续的分布所限定，其中特定开口的特定尺寸取决于相对于所述分布的所述开口的位置。
[0172]
尽管在本文中已经公开了某些示例系统、方法、设备和制品，但是本专利的覆盖的范围不限于此。相反，本专利覆盖了完全属于本专利的权利要求的范围的所有系统、方法、设备和制品。
[0173]
通过这个引用据此将下面的权利要求结合进本具体实施方式中，其中每个权利要
求独立地作为本公开的单独实施例。