技术特征：
1.一种内绝缘结构的igbt结构，其特征在于，包括集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲层，所述p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，所述n型缓冲层的上方设置有n+型飘移层，所述n+型飘移层的内部设置有p型块，所述n+型飘移层的顶部设置有蚀刻沟槽，所述蚀刻沟槽的内部设置有两性掺杂区域，所述两性掺杂区域的内部下方设置有第一掺杂区，所述n型缓冲层、所述n+型飘移层和所述第一掺杂区上分别设置有第二掺杂区，所述两性掺杂区域的内部上方依次设置有n型块和p型块，所述两性掺杂区域的顶部一侧设置有发射极，所述n+型飘移的顶部和所述两性掺杂区域的顶部另一侧设置有氧化层，所述氧化层的顶部设置有栅极。2.根据权利要求1所述的一种内绝缘结构的igbt结构，其特征在于：所述两性掺杂区域设置于所述n+型飘移的内部两侧。3.根据权利要求1所述的一种内绝缘结构的igbt结构，其特征在于：所述第一掺杂区为n型掺杂区，所述第二掺杂区为p型掺杂区。4.根据权利要求3所述的一种内绝缘结构的igbt结构，其特征在于：所述第一掺杂区环绕所述第二掺杂区设置。5.一种内绝缘结构的igbt结构的工艺，应用如权利要求1-4任一项所述的一种内绝缘结构的igbt结构，其特征在于：包括以下步骤：s1，在半导体衬底表面通过化学气相淀积法生长p型缓冲层；在p型缓冲层的表面通过化学气相淀积法生长n型缓冲层；在n型缓冲层的表面通过化学气相淀积法生长n+型飘移层；s2，通过离子刻蚀工艺在n+型飘移层的顶部蚀刻出第一沟槽；s3，在第一沟槽的内部通过化学气相淀积法生长两性掺杂区后采用离子刻蚀工艺在两性掺杂区蚀刻出第二沟槽，在第二沟槽的内部通过化学气相淀积法生长第一掺杂区；s4，采用离子刻蚀工艺在第一掺杂区、n+型飘移层和n型缓冲层上蚀刻出第三沟槽，在第三沟槽的内部通过化学气相淀积法生长第二掺杂区；s5，通过化学气相淀积法在第一掺杂区和第二掺杂区上方继续生长两性掺杂区使两性掺杂区的表面与n+型飘移层的表面齐平，采用离子刻蚀工艺在两性掺杂区的表面蚀刻出第四沟槽，在第四沟槽的内部通过化学气相淀积法生长p型块，在p型块的表面通过化学气相淀积法生长n型块，采用离子刻蚀工艺在n型块表面一侧进行蚀刻得到第四沟槽，在第四沟槽的内部采用化学气相淀积法生长两性掺杂区至与n型缓冲层表面齐平；s6，采用化学机械抛光工艺，去除半导体衬底并在1100℃温度下，氮气气氛中退火12分钟；s7，去除半导体衬底的背面设置金属材料层形成集电极；在结构完成部分的顶部分别设置金属层和氧化层并在氧化层设置金属层分别形成发射级和栅极。
技术总结
本发明提供了一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲层，p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，n型缓冲层的上方设置有n+型飘移层，n+型飘移层的内部设置有p型块，n+型飘移层的顶部设置有蚀刻沟槽，蚀刻沟槽的内部设置有两性掺杂区域，两性掺杂区域的内部下方设置有第一掺杂区，通过在n+型飘移层设置两性掺杂区减少寄生三极管的数量，同时设置的第一掺杂区和第二掺杂区，在减少寄生三极管数量的同时还降低寄生三极管的基区电阻进一步抑制寄生三极管效应，达到避免IGBT的内部出现漏电流避免对IGBT造成损坏的效果。损坏的效果。损坏的效果。
技术研发人员：王新强 谭文涛 李永
受保护的技术使用者：青岛佳恩半导体有限公司
技术研发日：2022.10.08
技术公布日：2022/12/6