技术特征：
1.一种芯片型熔断器，包括壳体、位于壳体两端的电极部、位于壳体内的熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；其特征在于，所述壳体包括两端壁及两侧壁，两端壁及两侧壁围成收容腔，壳体的顶部和底部设有开口和/或开槽与收容腔连通；熔断体部位于收容腔内，两端的电极部通过弯折覆盖于两端壁外表面；同时电极部与熔断体部连接端自开口和/或开槽进入收容腔内与电极部连接；所述壳体顶部和底部的开口和/或开槽通过密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。2.根据权利要求1所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述壳体还包括底壁，所述底壁上开有供金属带材穿过的开槽；壳体顶部设置开口；开槽的截面面积小于壳体顶部开口的截面面积；所述熔断体部在收容腔中倾斜延伸，两端的电极部分别包围对应的端壁，且电极部弯折成三段并分别包裹端壁的顶面、端面和底面。3.根据权利要求2所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述金属带材自开槽穿过的部分抵靠于开槽上并形成一个钝角的弯折，位于金属带材位于开槽内的部分分别抵靠于开槽的对角线两端。4.根据权利要求2或3所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述金属带材一体弯折成s形状。5.根据权利要求2或3所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述收容腔内填充有包裹熔断体部的灭弧材料，灭弧材料上部覆盖密封胶层将顶部的开口封闭。6.根据权利要求1所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述壳体的顶部和底部均设有截面面积相同的开口，所述熔断体部在收容腔中倾斜延伸，两端的电极部分别包围对应的端壁，且电极部弯折成三段并分别包裹端壁的顶面、端面和底面。7.根据权利要求6所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述开口的截面面积与收容腔的截面面积相同。8.根据权利要求6或7所述的芯片型熔断器，其特征在于：所述收容腔内、顶部开口与底部开口中均完全填充密封胶，熔断体部被密封胶包裹。9.一种如权利要求2至5中任一项所述的芯片型熔断器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)：将金属带材冲压形成熔断体部；步骤(2)：将冲压形成熔断体部的金属带材从绝缘壳体的开槽穿入收容腔内部，并从另一端开口侧穿出；步骤(3)：将穿入收容腔的金属带材先沿端壁的表面折弯，形成电极部，使金属带材完全固定到壳体上；步骤(4)：将壳体顶部的开口向下摆放，用点胶机在壳体底壁的开槽点胶密封，并使密封胶固化；步骤(5)：将壳体的开口面向上，已密封面向下，向收容腔内部填充灭弧材料并振实；步骤(6)：在灭弧材料表面再通过填充密封胶将开口封闭，并固化。10.一种如权利要求6至8中任一项所述的芯片型熔断器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)：将金属带材冲压形成熔断体部；步骤(2)：将冲压形成熔断体部的金属带材从绝缘壳体的开槽穿入收容腔内部，并从另
一端开口侧穿出；步骤(3)：将穿入收容腔的金属带材先沿端壁的表面折弯，形成电极部，使金属带材完全固定到壳体上；步骤(4)：采用点胶机向收容腔内、顶部开口与底部开口中填充密封胶，并进行固化。
技术总结
本发明提供一种芯片型熔断器，包括壳体、电极部、熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；壳体包括两端壁及两侧壁，两端壁及两侧壁围成收容腔，壳体的顶部和底部设有开口和/或开槽与收容腔连通；熔断体部位于收容腔内，两端的电极部通过弯折覆盖于两端壁外表面；同时电极部与熔断体部连接端自开口和/或开槽进入收容腔内与电极部连接；所述收容腔被密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。密封胶不与熔断体部直接接触，大大降低了密封胶的老化风险。本发明同时提供了该芯片型熔断器的制备方法。该芯片型熔断器的制备方法。该芯片型熔断器的制备方法。
技术研发人员：杨漫雪 刘明龙
受保护的技术使用者：南京萨特科技发展有限公司
技术研发日：2022.11.11
技术公布日：2023/1/16