一种快速清除RGB光路层的工艺的制作方法

一种快速清除rgb光路层的工艺
技术领域
1.本发明涉及晶圆表面处理领域，尤其涉及一种快速清除rgb光路层的工艺。


背景技术：

2.图像传感器在光路层加工的过程中经常会发生因像素点、异物点造成产品返工作业。而图像传感器光路层返工需要去除已加工的rgb光路层，rgb光路层具有rgb胶层与填平层胶，rgb胶层与填平层胶、填平层胶与基板之间粘附力大。
3.现有的去除rgb光路层的工艺通常使用单纯的湿法蚀刻或干法蚀刻去胶，无法稳定的完全除去rgb胶层与填平层胶，容易造成pad腐蚀与胶液残留。无法达到返工要求，造成产品的报废。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本发明设计了一种快速清除rgb光路层的工艺。
5.本发明采用如下技术方案：一种快速清除rgb光路层的工艺，其工艺步骤为：s1、选取待返工晶圆；s2、通过去胶机进行冷腔干刻，干刻后再进行脱胶剥离清洗，利用去胶设备离子撞击的功能，进行缓慢剥离胶层并配合高压剥离去胶，将晶圆的表面沉淀物去除；s3、循环步骤s2操作5次，将晶圆的表面沉淀物完全去除；s4、将表面沉淀物完全去除的晶圆烘烤去除水气，经过外观检合格后，回归正常制程，完成整个快速清除rgb光路层的工艺。
6.作为优选，步骤s2中，冷腔干刻的温度为15℃-30℃，时间为30s-120s。
7.作为优选，步骤s2中，脱胶剥离清洗采用二流体清洗，清洗压力＞0.7mpa。
8.作为优选，步骤s4中，烘烤温度为100℃-150℃，烘烤时间为15min-60min。
9.作为优选，步骤s4中，外观检采用aoi外观检和投影灯宏观检。
10.本发明的有益效果是：本发明能稳定处理填平层及rgb层胶材料，不会造成pad腐蚀与胶液残留。其处理方式与步骤与现有常用的胶层处理方式不同，现有常用的胶层处理方式是单纯的湿法蚀刻或干法蚀刻，本发明使用干湿法结合并循环处理的方式进行去胶返工，确保处理后的产品无胶残留且pad无腐蚀现象。
附图说明
11.图1是本发明一次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图2是本发明二次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图3是本发明的三次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清
理效果图；图4是本发明的四次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图5是本发明的五次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图。
具体实施方式
12.下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体描述：实施例：如附图1所示，一种快速清除rgb光路层的工艺，其工艺步骤为：s1、选取待返工晶圆；s2、通过去胶机进行冷腔干刻，干刻后再进行脱胶剥离清洗，利用去胶设备离子撞击的功能，进行缓慢剥离胶层并配合高压剥离去胶，将晶圆的表面沉淀物去除；s3、循环步骤s2操作5次，将晶圆的表面沉淀物完全去除；s4、将表面沉淀物完全去除的晶圆烘烤去除水气，经过外观检合格后，回归正常制程，完成整个快速清除rgb光路层的工艺。
13.步骤s2中，冷腔干刻的温度为15℃-30℃，时间为30s-120s。
14.步骤s2中，脱胶剥离清洗采用二流体清洗，清洗压力＞0.7mpa。
15.步骤s4中，烘烤温度为100℃-150℃，烘烤时间为15min-60min。
16.步骤s4中，外观检采用aoi外观检和投影灯宏观检。
17.本发明能稳定处理填平层及rgb层胶材料，不会造成pad腐蚀与胶液残留。其处理方式与步骤与现有常用的胶层处理方式不同，现有常用的胶层处理方式是单纯的湿法蚀刻或干法蚀刻，本发明使用干湿法结合并循环处理的方式进行去胶返工，确保处理后的产品无胶残留且pad无腐蚀现象。
18.如图1所示，为一次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图中可看出rgb在投影灯下彩虹纹清晰但rgb轮廓开始变模糊。
19.如图2所示，为二次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图中可看出rgb在投影灯下彩虹纹清晰但rgb轮廓模糊。
20.如图3所示，为三次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图中可看出rgb在投影灯下彩虹纹开始变淡，rgb轮廓完全模糊变淡。
21.如图4所示，为四次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图中可看出rgb在投影灯下彩虹纹完全变淡，rgb轮廓完全消失。
22.如图5所示，为五次冷腔干刻和脱胶剥离清洗循环后的晶圆清除rgb光路层的清理效果图；图中可看出rgb在投影灯下彩虹纹完全消失，rgb轮廓完全消失。可证明产品无胶残留且pad无腐蚀现象。
23.以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。


技术特征：
1.一种快速清除rgb光路层的工艺，其特征是，其工艺步骤为：s1、选取待返工晶圆；s2、通过去胶机进行冷腔干刻，干刻后再进行脱胶剥离清洗，利用去胶设备离子撞击的功能，进行缓慢剥离胶层并配合高压剥离去胶，将晶圆的表面沉淀物去除；s3、循环步骤s2操作5次，将晶圆的表面沉淀物完全去除；s4、将表面沉淀物完全去除的晶圆烘烤去除水气，经过外观检合格后，回归正常制程，完成整个快速清除rgb光路层的工艺。2.根据权利要求1所述的一种快速清除rgb光路层的工艺，其特征是，步骤s2中，冷腔干刻的温度为15℃-30℃，时间为30s-120s。3.根据权利要求1所述的一种快速清除rgb光路层的工艺，其特征是，步骤s2中，脱胶剥离清洗采用二流体清洗，清洗压力＞0.7mpa。4.根据权利要求1所述的一种快速清除rgb光路层的工艺，其特征是，步骤s4中，烘烤温度为100℃-150℃，烘烤时间为15min-60min。5.根据权利要求1所述的一种快速清除rgb光路层的工艺，其特征是，步骤s4中，外观检采用aoi外观检和投影灯宏观检。

技术总结
本发明公开了一种快速清除RGB光路层的工艺，其工艺步骤为：S1、选取待返工晶圆；S2、通过去胶机进行冷腔干刻，干刻后再进行脱胶剥离清洗，利用去胶设备离子撞击的功能，进行缓慢剥离胶层并配合高压剥离去胶，将晶圆的表面沉淀物去除；S3、循环步骤S2操作5次，将晶圆的表面沉淀物完全去除；S4、将表面沉淀物完全去除的晶圆烘烤去除水气，经过外观检合格后，回归正常制程，完成整个快速清除RGB光路层的工艺。本发明的处理方式与步骤与现有常用的胶层处理方式不同，现有常用的胶层处理方式是单纯的湿法蚀刻或干法蚀刻，本发明使用干湿法结合并循环处理的方式进行去胶返工，确保处理后的产品无胶残留且PAD无腐蚀现象。无胶残留且PAD无腐蚀现象。无胶残留且PAD无腐蚀现象。


技术研发人员：邵铭 丁宇能 朱毅
受保护的技术使用者：杭州美迪凯光电科技股份有限公司
技术研发日：2022.11.29
技术公布日：2023/1/23