技术特征：
1.一种用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有多个有源区，所述有源区包括对应设置的源极及漏极，且临近的所述有源区由隔离结构分割；金属栅极，所述金属栅极位于所述半导体衬底上，且所述金属栅极与所述有源区一一对应接触设置；检测金属栅极，所述金属栅极位于所述半导体衬底上，所述检测金属栅极与所述金属栅极同步形成，且所述检测金属栅极跨越多个所述有源区并与至少一个所述有源区接触设置；金属接触，所述金属接触包括位于所述有源区上的源区金属接触、位于所述金属栅极上的栅极金属接触以及位于所述检测金属栅极上的检测栅极金属接触，且对应设置的所述检测栅极金属接触与所述源区金属接触之间的距离大于对应设置的所述栅极金属接触与所述源区金属接触之间的距离。2.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述检测金属栅极跨越n个所述有源区，其中2≤n；所述检测金属栅极均与跨越的每个所述有源区接触设置。3.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述有源区包括p型有源区及n型有源区中的一种或组合。4.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述检测金属栅极包括位于所述半导体衬底表面自下而上的栅介质层、底部阻挡层、功函数层、顶部阻挡层及金属层。5.根据权利要求4所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述功函数层包括p型功函数层及n型功函数层的叠层，所述p型功函数层包括tin层及tan层中的至少一种，所述n型功函数层包括tial层、tialc层、tialn层及aln层中的至少一种；所述栅介质层包括自下而上叠置的界面层及高介电常数层，所述界面层包括sio2层及sion层中的至少一种，所述高介电常数层包括hfo2层、hfsio层、hfsion层、hftao层、hftio层、hfzro层、zro2层及al2o3层中的至少一种；所述底部阻挡层包括tin层及tan层中的至少一种；所述顶部阻挡层包括tin层；所述金属层包括al层、cu层、ag层、w层及ni层中的至少一种。6.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构的特征尺寸为28nm以下。7.一种用于检测金属栅扩散的半导体结构的检测方法，其特征在于包括以下步骤：提供如权利要求1～6中任一所述半导体结构；通过所述金属接触获取所述检测金属栅极的导通电流；将所述导通电流与所述金属栅极的目标导通电流进行比对，获取所述金属栅极的扩散情况。
技术总结
本发明提供一种用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法，在制备金属栅极的同时制备检测金属栅极，且使得检测金属栅极跨越多个有源区并与至少一个有源区接触，且使得对应设置的检测栅极金属接触与源区金属接触之间的距离大于对应设置的栅极金属接触与源区金属接触之间的距离，从而在对金属栅极进行金属扩散检测时，拉长的检测金属栅极接出的检测栅极金属接触的位置由于经过数个有源区及隔离结构从而可及时有效的检测出导通电流较小的金属扩散效应，以能适时的改善制作工艺，进而稳定器件效能，确保产品良率及后续可靠性的评估。估。估。
技术研发人员：丁琦 黄俊 李仁雄 彭路露 宁宁
受保护的技术使用者：联合微电子中心有限责任公司
技术研发日：2022.11.30
技术公布日：2023/3/24