技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：支撑件，包括绝缘基板，所述绝缘基板具有：掩埋导电区域，包括彼此间隔开并且由第三部分耦合在一起的第一部分和第二部分；第一裸片，固定到所述支撑件，所述第一裸片具有第一表面，所述第一表面具有电容耦合到所述掩埋导电区域的所述第一部分的第一裸片接触区域；第二裸片，固定至所述支撑件，所述第二裸片具有第一表面，第一表面具有第二裸片接触区域，所述第二裸片接触区域电容耦合至所述掩埋导电区域的所述第二部分；第一外部连接区域和第二外部连接区域，在第一方向上彼此间隔一定距离，所述掩埋导电区域位于所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域之间；绝缘材料，包封所述第一裸片、所述第二裸片、所述第一裸片接触区域、所述第二裸片接触区域，并且至少部分包封所述支撑件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述掩埋导电区域具有具有第一端和第二端的细长形状，其中所述掩埋导电区域的所述第一部分布置在所述第一端处，并且所述掩埋导电区域的所述第二部分布置在所述掩埋导电区域的所述第二端处。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述掩埋导电区域的所述第一端和所述第二端为盘状。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一裸片接触区域和所述第二裸片接触区域分别面向所述掩埋导电区域的所述第一部分和所述第二部分。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述支撑件具有第一面和第二面，所述第一裸片和所述第二裸片被固定到所述支撑件的所述第一面。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域相距第一距离在所述支撑件的所述第二面上延伸。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一裸片和所述第二裸片被布置为相距第二距离，其中所述第一距离大于所述第二距离。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一裸片和所述第二裸片被布置为相距第二距离，其中所述第一距离小于所述第二距离。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括第一接触结构和第二接触结构、第一凸块区域和第二凸块区域，其中：所述第一接触结构包括第一板区域，所述第一板区域电容性耦合到所述掩埋导电区域的所述第一部分，并且布置在所述支撑件的所述第一面上；所述第一凸块区域，与所述第一板区域相邻并且与所述第一裸片接触区域相邻；所述第二接触结构包括第二板区域，所述第二板区域电容性耦合到所述掩埋导电区域的所述第二部分，并且布置在所述支撑件的所述第一面上；以及所述第二凸块区域，与所述第二板区域相邻并且与所述第二裸片接触区域相邻。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述掩埋导电区域与所述支撑件的所述第一面之间的距离等于或小于所述掩埋导电区域与所述第一外部连接区域之间的距离。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一裸片和所述第二裸片各自具有与相应第一表面相对的相应第二表面，所述第一裸片和所述第二裸片在所述第一裸
片和所述第二裸片的相应第一表面处耦合到所述支撑件，以及所述第一裸片和所述第二裸片在所述第一裸片和所述第二裸片的相应第二表面处耦合到所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域。12.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述支撑件是由多个导电层形成的多层结构，所述多个导电层至少包括由相应的绝缘层隔开的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述掩埋导电区域形成在所述多个导电层的所述第一导电层中，第一电容板区域和第二电容板区域形成在所述第二导电层中，并且分别直接面向所述掩埋导电区域的所述第一部分和所述第二部分，以及第一支撑接触区域和第二支撑接触区域形成在所述第三导电层中，并且通过延伸穿过相应绝缘层的通孔分别电连接到所述第一电容板区域和所述第二电容板区域。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述第一支撑接触区域和所述第二支撑接触区域分别是第一接触结构和第二接触结构的部分，所述第一接触结构还包括与所述第一支撑接触区域相邻并且与所述第一裸片接触区域相邻的第一凸块区域，以及所述第二接触结构还包括与所述第二支撑接触区域相邻并且与所述第二裸片接触区域相邻的第二凸块区域。14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，在所述掩埋导电区域和所述第一外部连接区域之间的距离等于在所述掩埋导电区域和所述第一电容板区域之间的距离。15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：所述支撑件上的连接焊盘；连接线，耦合到所述连接焊盘以及所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域中的至少一个外部连接区域，所述连接线将所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一个裸片耦合到所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域中的至少一个外部连接区域；以及其中所述绝缘材料包封所述连接线并且延所述第一外部连接区域与所述第二外部连接区域中的至少一个外部连接区域延伸。16.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一外部连接区域；第二外部连接区域，与第一外部连接区域间隔开；第一裸片，在所述第一外部连接区域上，所述第一裸片耦合到所述第一外部连接区域；第二裸片，在所述第二外部连接区域上，所述第二裸片耦合到所述第二外部连接区域；电连接结构，与所述第一裸片、所述第二裸片、所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域重叠，所述电连接结构耦合到所述第一裸片和所述第二裸片，并且所述电连接结构与所述第一外部连接区域以及所述第二外部连接区域隔开；第一连接结构，从所述第一裸片延伸到所述电连接结构，将所述第一裸片耦合到所述电连接结构；第二连接结构，从所述第二裸片延伸到所述电连接结构，将所述第二裸片耦合到所述电连接结构；以及绝缘材料，至少部分地分别覆盖所述第一外部连接区域和第二外部连接区域、所述第
一裸片和所述第二裸片、所述电连接结构、以及所述第一连接结构和所述第二连接结构。17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，所述电连接结构包括所述电连接结构内的掩埋导电区域，所述掩埋导电区域电容性地耦合到所述第一连接结构和所述第二连接结构。18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于：所述第一裸片被配置为运行第一电压；所述第二裸片被配置为运行不同于所述第一电压的第二电压；所述第一连接结构包括在所述电连接结构上的第一盘形板；所述第二连接结构包括在所述电连接结构上的第二盘形板；所述掩埋导电区域包括：第三盘形板，其与所述第一盘形板对准并且重叠，所述第三盘形板电容性地耦合到所述第一盘形板；第四盘形板，其与所述第二盘形板对准并且重叠，所述第四盘形板电容性地耦合到所述第二盘形板；以及连接线将所述第三盘形板直接耦合到所述第四盘形板。19.一种半导体装置，其特征在于，包括：电连接结构，包括：第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及掩埋导电区域，在所述第一表面和所述第二表面之间位于所述电连接结构内；第一外部连接区域，在所述电连接结构的所述第二表面上；第一通孔，耦合到所述第一外部连接区域并且从所述第二表面延伸到所述第一表面；第一连接结构，位于所述第一表面上并且耦合到所述第一通孔，所述第一连接结构从所述第一表面延伸；第二连接结构，位于所述第一表面上并且与所述第一连接结构间隔开，所述第二连接结构从所述第一表面延伸，并且所述第二连接结构与所述掩埋导电区域电通信；以及第一裸片，在所述第一连接结构和所述第二连接结构上，所述第一裸片耦合到所述第一连接结构和所述第二连接结构，并且所述第一裸片通过所述第一连接结构和所述第二连接结构与所述电连接结构的所述第一表面间隔开。20.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第二外部连接区域，在所述电连接结构的所述第二表面上，并且与所述第一外部连接区域间隔开；第二通孔，耦合到所述第二外部连接区域并且从所述第二表面延伸到所述第一表面；第三连接结构，在所述第一表面上并且耦合到所述第二通孔，所述第三连接结构从所述第一表面延伸；第四连接结构，在所述第一表面上并且与所述第三连接结构隔开，所述第四连接结构从所述第一表面延伸，并且所述第四连接结构与所述掩埋导电区域电通信；以及第二裸片，在所述第三连接结构和所述第四连接结构上，所述第一裸片耦合到所述第三连接结构和所述第四连接结构，并且所述第二裸片通过所述第三连接结构和所述第四连接结构与所述电连接结构的所述第一表面间隔开。
技术总结
本公开的实施例涉及半导体装置。一种半导体装置，包括：支撑件，包括绝缘基板，绝缘基板具有：掩埋导电区域；第一裸片，固定到支撑件，第一裸片具有第一表面，第一表面具有电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域；第二裸片，固定至支撑件，第二裸片具有第一表面，第一表面具有第二裸片接触区域，第二裸片接触区域电容耦合至掩埋导电区域的第二部分；第一外部连接区域和第二外部连接区域，在第一方向上彼此间隔一定距离，掩埋导电区域位于第一外部连接区域和第二外部连接区域之间；绝缘材料。本公开的实施例有利地在分辨率、空间尺寸控制和对准方面具有优势。间尺寸控制和对准方面具有优势。间尺寸控制和对准方面具有优势。
技术研发人员：D
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2022/10/4