介质滤波器及其介质体的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及一种介质滤波器及其介质体。


背景技术：

2.目前，介质滤波器由于体积小，难以产生传输零点。
3.为解决上述问题，相关技术中的介质滤波器，需要通过在介质滤波器的介质体的表面额外增加导体结构(例如金属化薄膜结构等)来产生传输零点，导致介质滤波器的部件多，结构复杂，且对工艺要求高。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种介质滤波器及其介质体，以改善相关技术中需在介质滤波器的介质体的表面额外增加导体结构以产生传输零点而导致结构复杂的技术问题。
5.为实现上述目的，本技术的一方面提供了一种介质滤波器，所述介质滤波器包括：介质体，所述介质体具有顶面、与所述顶面相对设置的底面、位于所述顶面与所述底面之间的周侧面；所述介质体上开设有至少三个通孔，所述通孔的相对两端分别贯穿所述顶面和所述底面；屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述底面和所述周侧面；以及至少三个谐振器，所述谐振器与所述通孔一一对应；所述谐振器包括：内导体部，所述内导体部设置于所述通孔的内表面，且所述内导体部的一端连接于位于所述底面的所述屏蔽层；及外导体部，所述外导体部设置于所述顶面，并连接于所述内导体部的另一端；其中一所述通孔为第一通孔，在沿所述顶面至所述底面方向的投影上，所述第一通孔的中心偏离于其余所述通孔的中心的连线所形成的直线。
6.在一个实施例中，所述介质滤波器包括至少两个导体延伸结构，所述导体延伸结构设置于所述顶面并连接于所述屏蔽层；每一所述导体延伸结构的延伸方向位于相邻两所述谐振器的所述外导体部之间。
7.在一个实施例中，其中一所述导体延伸结构为第一导体延伸结构，所述第一导体延伸结构的延伸方向位于所述第一通孔和与所述第一通孔相邻的另一所述通孔之间。
8.在一个实施例中，所述第一导体延伸结构的长度小于所述介质体的宽度的二分之一，其中所述第一导体延伸结构的长度方向平行于所述介质体的宽度方向。
9.在一个实施例中，与所述第一通孔相邻的一所述通孔为第二通孔；在沿所述顶面至所述底面方向的投影上，所述第一通孔的中心和所述第二通孔的中心之间的距离大于其余任意相邻两所述通孔的中心之间的距离。
10.在一个实施例中，所述第一通孔所在位置的所述谐振器与所述第二通孔所在位置的所述谐振器之间的电耦合大于磁耦合，其余至少一相邻两所述通孔所在位置的两所述谐振器之间的磁耦合大于电耦合。
11.在一个实施例中，在沿所述顶面至所述底面方向的投影上，所述第一通孔较其余所述通孔更靠近于所述介质体的边缘。
12.在一个实施例中，所述介质滤波器包括：第一传输端，所述第一传输端设置于所述顶面；第二传输端，所述第二传输端设置于所述顶面；以及天线传输端，所述天线传输端设置于所述顶面，并位于所述第一传输端和所述第二传输端之间；其中，所述介质体上于所述第一传输端与所述天线传输端之间开设有至少三个所述通孔，所述介质体上于所述第二传输端与所述天线传输端之间开设有至少三个所述通孔。
13.在一个实施例中，所述介质滤波器包括至少两个导体延伸结构，所述导体延伸结构设置于所述顶面并连接于所述屏蔽层；位于所述第一传输端与所述天线传输端之间的各所述通孔中，每相邻两所述通孔所在位置的所述谐振器的所述外导体部之间设有一所述导体延伸结构。
14.在一个实施例中，所述第一通孔位于所述第一传输端与所述天线传输端之间。
15.在一个实施例中，其中与所述第一通孔相邻的一所述通孔为第二通孔，在沿所述顶面至所述底面方向的投影上，所述第一通孔的中心和所述第二通孔的中心之间的距离大于其余任意相邻两所述通孔的中心之间的距离。
16.在一个实施例中，位于所述第一传输端与所述天线传输端之间的各所述通孔中，所述第一通孔所在位置的所述谐振器与所述第二通孔所在位置的所述谐振器之间的电耦合大于磁耦合，其余至少一相邻两所述通孔所在位置的两所述谐振器之间的磁耦合大于电耦合。
17.在一个实施例中，所述介质滤波器包括导体结构，所述导体结构设置于所述顶面并位于所述第二传输端与所述天线传输端之间，且所述导体结构位于相邻两所述通孔所在位置的两所述谐振器的所述外导体部的同一侧。
18.在一个实施例中，所述介质滤波器包括交叉耦合结构，所述交叉耦合结构设置于所述顶面，且所述交叉耦合结构位于相邻的三个所述通孔所在位置的三个所述谐振器的所述外导体部的同一侧。
19.在一个实施例中，所述天线传输端具有延伸耦合部，所述延伸耦合部位于处于所述第二传输端与所述天线传输端之间的相邻两所述通孔所在位置的两所述谐振器的所述外导体部的同一侧。
20.本技术的另一方面提供了一种介质体，可应用于上述任一实施例所述的介质滤波器；所述介质体具有顶面、与所述顶面相对设置的底面、位于所述顶面与所述底面之间的周侧面；所述介质体上开设有至少三个通孔，所述通孔的相对两端分别贯穿所述顶面和所述底面；其中一所述通孔为第一通孔，在沿所述顶面至所述底面方向的投影上，所述第一通孔的中心偏离于其余所述通孔的中心的连线所形成的直线。
21.本技术实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
22.本技术实施例提供的介质滤波器，通过设置介质体、屏蔽层以及至少三个谐振器，介质体具有顶面、与顶面相对设置的底面、位于顶面与底面之间的周侧面，介质体上开设有至少三个通孔，通孔的相对两端分别贯穿顶面和底面，且谐振器与通孔一一对应，谐振器包括内导体部和外导体部，内导体部设置于通孔的内表面且一端连接于位于底面的屏蔽层，外导体部设置于顶面并连接于内导体部的另一端；因此介质体可作为谐振腔，相邻两通孔所在位置的两谐振器之间可进行耦合，以进行能量传递；同时，通过设置沿顶面至底面方向的投影，其中第一通孔的中心偏离于其余通孔的中心的连线所形成的直线，因此可改变第
一通孔和与第一通孔相邻的通孔之间的距离，进而利于改变两通孔所在位置的两谐振器之间的耦合方式，利于使电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器的带外产生传输零点，从而提高介质滤波器的带外抑制性能，而且本技术实施例通过改变其中一通孔的位置而实现产生传输零点，无需在介质体的表面额外增加复杂的导体结构，相比于通过在介质体的表面额外增加导体结构实现传输零点的方式而言，结构更为简单，且工艺要求较低，更适于实际应用。因此，本技术实施例提供的介质滤波器，可在不额外增加复杂的导体结构的情况下实现产生传输零点。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本技术实施例提供的介质滤波器的透视结构示意图；
25.图2为本技术实施例提供的介质滤波器的结构示意图；
26.图3为图2中的介质滤波器的另一视角的结构示意图；
27.图4为图2中的介质滤波器的俯视结构示意图；
28.图5为本技术实施例提供的介质滤波器去除介质体之后的结构示意图；
29.图6为本技术实施例提供的介质体的结构示意图；
30.图7为图6中的介质体的另一视角的结构示意图；
31.图8为图2中的介质滤波器的拓扑示意图；
32.图9为图2中的介质滤波器的幅频特性曲线图；
33.图10为本技术另一实施例提供的介质滤波器的结构示意图。
34.其中，图中各附图标记：
35.100、介质滤波器；10、介质体；111、顶面；112、底面；113、周侧面；101、通孔；20、屏蔽层；30、谐振器；31、内导体部；32、外导体部；40、导体延伸结构；101a、第一通孔；40a、第一导体延伸结构；101b、第二通孔；50、第一传输端；60、第二传输端；70、天线传输端；80、导体结构；90、交叉耦合结构；71、延伸耦合部。
具体实施方式
36.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
37.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
38.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
40.随着无线通信技术的不断发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积、重量、覆盖面积要求越来越高。传统的金属腔滤波器的体积和重量已无法满足需求，介质滤波器由于体积小，重量轻，逐渐取代了传统的金属滤波器。但是，介质滤波器由于体积小，难以实现传输零点。
41.为解决上述问题，相关技术中的介质滤波器，需要通过在介质滤波器的介质体的表面额外增加导体结构(例如金属化薄膜结构等)来产生传输零点，导致介质滤波器的部件多，结构复杂，且对工艺要求高。
42.基于此，为改善相关技术中需在介质滤波器的介质体的表面额外增加导体结构以产生传输零点而导致结构复杂的技术问题，发明人提出了以下方案。
43.请参阅图1至图6，以及图10，本技术实施例提供了一种介质滤波器100，介质滤波器100包括介质体10、屏蔽层20以及至少三个谐振器30，其中：
44.介质体10即为介质材料制成的结构体，可以采用现有的各种可用于制作介质滤波器的介质的材料，在此不作限定。介质体10具有顶面111、与顶面111相对设置的底面112、位于顶面111与底面112之间的周侧面113。其中，周侧面113即介质体10四周的侧面，可以是各种形状；例如在介质体10为长方体结构时，周侧面113即包括四个首尾依次相接的面，例如在介质体10为圆形或类圆形时，周侧面113即为曲面或弧面。介质体10上开设有至少三个通孔101，例如三个、四个、五个、六个或六个以上，通孔101的相对两端分别贯穿顶面111和底面112。各通孔101可以依次排列设置。
45.屏蔽层20设置于底面112和周侧面113。即介质体10的底面112和周侧面113被屏蔽层20所覆盖，而顶面111则不被屏蔽层20所覆盖，利于形成开放面。其中，屏蔽层20即由具有电磁屏蔽作用的材料制成，例如金属材料、金属复合材料、金属和非金属的复合材料等，但不限于此。可选地，屏蔽层20可以由介质体10的外表面金属化形成，但不限于此。
46.谐振器30与通孔101一一对应；即，谐振器30的数量与通孔101的数量相同，且每一通孔101处设置一谐振器30。谐振器30包括内导体部31和外导体部32；内导体部31设置于通孔101的内表面，内导体部31即内部中空且与通孔101的形状相适配的结构，可以大致呈筒状结构；内导体部31的一端连接于位于底面112的屏蔽层20，以与屏蔽层20电性导通，外导体部32设置于顶面111并连接于内导体部31的另一端，以与内导体部31电性导通；内导体部31的相对两端即分别贯穿屏蔽层20和外导体部32。内导体部31和外导体部32即为导体材料制成，例如金属材料，但不限于此。外导体部32可以是各种形状的片状结构，但不限于此。其中，内导体部31与屏蔽层20可以为一体成型的一体式结构，当然也可以分体成型而相连接，外导体部32与内导体部31可以为一体成型的一体式结构，当然也可以分体成型而相连接。
可选地，内导体部31可以由通孔101的内表面金属化形成，但不限于此。
47.其中一通孔101为第一通孔101a，在沿顶面111至底面112方向的投影上，第一通孔101a的中心偏离于其余通孔101的中心的连线所形成的直线；即，第一通孔101a的中心与其余通孔101的中心不在同一直线上，例如图1和图6所示。所指通孔101的中心的连线并非是实际存在的线，而为便于描述而定义的假想线。通孔101可以是圆形通孔，此时沿顶面111至底面112方向的投影，通孔101的中心即为通孔101的圆心。当然，在其他一些实施方式中，通孔101也可以为方孔或多边形，但不限于此，此时沿顶面111至底面112方向的投影，通孔101的中心即为通孔101的重心。
48.本技术实施例提供的介质滤波器100，通过设置介质体10、屏蔽层20以及至少三个谐振器30，介质体10具有顶面111、与顶面111相对设置的底面112、位于顶面111与底面112之间的周侧面113，介质体10上开设有至少三个通孔101，通孔101的相对两端分别贯穿顶面111和底面112，且谐振器30与通孔101一一对应，谐振器30包括内导体部31和外导体部32，内导体部31设置于通孔101的内表面且一端连接于位于底面112的屏蔽层20，外导体部32设置于顶面111并连接于内导体部31的另一端；因此介质体10可作为谐振腔，相邻两通孔101所在位置的两谐振器30之间可进行耦合(包括电耦合和磁耦合)，以进行能量传递；同时，通过设置沿顶面111至底面112方向的投影，其中第一通孔101a的中心偏离于其余通孔101的中心的连线所形成的直线，因此可改变第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的通孔101之间的距离，进而利于改变两通孔101所在位置的两谐振器30之间的耦合方式，利于使两谐振器之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100的带外产生传输零点(例如在介质滤波器100的通带的低端或左侧产生传输零点)，从而提高介质滤波器100的带外抑制性能，而且本技术实施例中通过改变其中一通孔101的位置而实现产生传输零点，无需在介质体的表面额外增加复杂的导体结构，相比于通过在介质体的表面额外增加导体结构实现传输零点的方式而言，结构更为简单，且工艺要求较低，更适于实际应用。因此，本技术实施例提供的介质滤波器100，可在不额外增加复杂的导体结构的情况下实现产生传输零点。
49.在一个实施例中，请参阅图1、图2、图4和图10，介质滤波器100包括至少两个导体延伸结构40，导体延伸结构40设置于顶面111并连接于屏蔽层20，可实现接地。每一导体延伸结构40的延伸方向位于相邻两谐振器30的外导体部32之间，其中导体延伸结构40的延伸方向也可以视为导体延伸结构40的长度方向。导体延伸结构40的一端连接于屏蔽层20，另一端朝顶面111上相邻两谐振器30的外导体部32之间的部分延伸，该朝顶面111上相邻两谐振器30的外导体部32之间的部分延伸的一端可以位于相邻两谐振器30的外导体部32之间，也可以不位于相邻两谐振器30的外导体部32之间，即导体延伸结构40的长度还不足以延伸至相邻两谐振器30的外导体部32之间，但其延伸方向位于相邻两谐振器30的外导体部32之间。其中，导体延伸结构40即为导体材料制成，例如金属材料，但不限于此。
50.如此设置，通过在顶面111上设置连接于屏蔽层20的导体延伸结构40，且导体延伸结构40的延伸方向位于相邻两谐振器30的外导体部32之间，从而便于通过设置导体延伸结构40的长度而改变分别位于其两侧的相邻两个谐振器30之间的耦合方式，例如可使相邻两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，以使介质滤波器100的带外产生传输零点(例如在介质滤波器100的通带的高端或右侧产生传输零点)，从而进一步提高介质滤波器100的带外抑制性能。
51.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2、图4和图10，其中一导体延伸结构40为第一导体延伸结构40a，第一导体延伸结构40a的延伸方向位于第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的另一通孔101(例如图1中所示的第二通孔101b)之间，例如图1所示的第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的第二通孔101b之间。
52.如此设置，由于第一导体延伸结构40a的延伸方向位于第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的另一通孔101之间，通过改变第一导体延伸结构40a的长度，更利于辅助调节第一通孔101a所在位置的谐振器30和与第一通孔101a相邻的另一通孔101所在位置的谐振器30之间耦合模式，更利于使该两个谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100的带外产生传输零点(例如在介质滤波器100的通带的低端或左侧产生一个传输零点)。
53.示例性地，导体延伸结构40的长度越长，可使临近于导体延伸结构40的相邻两谐振器30之间的磁耦合越强；导体延伸结构40的长度越短，可使临近于导体延伸结构40的相邻两谐振器30之间的电耦合越强。
54.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2、图4和图10，第一导体延伸结构40a的长度小于介质体10的宽度的二分之一，其中第一导体延伸结构40a的长度方向平行于介质体10的宽度方向。
55.如此设置，由于第一导体延伸结构40a的延伸方向位于第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的另一通孔101之间，且第一导体延伸结构40a的长度小于介质体10的宽度的二分之一，更利于使临近于第一导体延伸结构40a的两个谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100的带外产生传输零点(例如在介质滤波器100的通带的低端或左侧产生一个传输零点)。
56.需要说明的是，在其他一些实施方式中，第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的另一通孔101之间也可以不设有导体延伸结构40。
57.还需要说明的是，在其他一些实施方式中，介质滤波器100也可以不设有导体延伸结构40。
58.在一个实施例中，请参阅图1、图2、图4和图10，与第一通孔101a相邻的一通孔101为第二通孔101b，在沿顶面111至底面112方向的投影上，第一通孔101a的中心和第二通孔101b的中心之间的距离大于其余任意相邻两通孔101的中心之间的距离，也即第一通孔101a的中心和第二通孔101b的中心之间的距离最大。除了第一通孔101a的中心与第二通孔101b的中心之间的距离之外，其余任意相邻两通孔101的中心之间的距离(包括第一通孔101a的中心与除第二通孔101b之外的另一相邻通孔101的中心之间的距离，第二通孔101b的中心与除第一通孔101a之外的另一相邻通孔101的中心之间的距离)均小于第一通孔101a的中心与第二通孔101b的中心之间的距离。
59.如此设置，由于第一通孔101a的中心和第二通孔101b的中心之间的距离大于其余任意相邻两通孔101的中心之间的距离，因此更利于第一通孔101a所在位置的谐振器30和第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100的带外产生传输零点(例如在介质滤波器100的通带的低端或左侧产生一个传输零点)。
60.当然，在其他一些实施方式中，第一通孔101a的中心和第二通孔101b的中心之间的距离也可以小于或等于其余任意相邻两通孔101的中心之间的距离。
61.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2、图4和图10，第一通孔101a所在位置的
谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，其余至少一相邻两通孔101所在位置的两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，也即，除第一通孔101a所在位置的谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合之外，存在至少一对磁耦合大于电耦合的相邻的两谐振器30(可以是第一通孔101a所在位置的谐振器30与除第二通孔101b之外的另一相邻通孔101所在位置的谐振器30之间的谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，可以是第二通孔101b所在位置的谐振器30与除第一通孔101a之外的另一相邻通孔101所在位置的谐振器30之间的磁耦合大于电耦合)。
62.如此设置，由于第一通孔101a所在位置的谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，且其余至少一相邻两通孔101所在位置的两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，因此可在介质滤波器100的通带的两端分别产生传输零点，可有效提高介质滤波器100的带外抑制性能。
63.在一个实施例中，请参阅图1、图2、图4和图10，在沿顶面111至底面112方向的投影上，第一通孔101a较其余通孔101更靠近于介质体10的边缘。
64.如此设置，由于第一通孔101a较其余通孔101更靠近于介质体10的边缘，可使得对第一通孔101a的位置的改变，对第一通孔101a所在位置的谐振器30和与第一通孔101a相邻的另一通孔101所在位置的谐振器30之间的耦合方式的影响更大，因此更利于第一通孔101a所在位置的谐振器30和与第一通孔101a相邻的另一通孔101(例如第二通孔101b)所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100的带外产生传输零点(例如在介质滤波器100的通带的低端或左侧产生一个传输零点)。
65.在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，介质滤波器100包括第一传输端50、第二传输端60、天线传输端70。第一传输端50设置于顶面111，第一传输端50与屏蔽层20及谐振器30之间可以相绝缘设置，即第一传输端50与屏蔽层20及谐振器30可以不相连接，例如通过介质体10的顶面111的部分相绝缘。第二传输端60设置于顶面111，第二传输端60与屏蔽层20及谐振器30之间可以相绝缘设置，即第二传输端60与屏蔽层20及谐振器30可以不相连接，例如通过介质体10的顶面111的部分相绝缘。天线传输端70设置于顶面111，并位于第一传输端50和第二传输端60之间。天线传输端70与屏蔽层20及谐振器30之间可以相绝缘设置，即天线传输端70与屏蔽层20及谐振器30可以不相连接，例如通过介质体10的顶面111的部分相绝缘。其中，介质体10上于第一传输端50与天线传输端70之间开设有至少两个通孔101，例如两个、三个、四个、五个、六个或六个以上，介质体10上于第二传输端60与天线传输端70之间开设有至少两个通孔101，例如两个、三个、四个、五个、六个、七个或七个以上。图1和图2中示例性地示出了介质体10上于第一传输端50与天线传输端70之间开设有六个通孔101、于第二传输端60与天线传输端70之间开设有七个通孔101的情况。其中，第一传输端50和第二传输端60中的一者可以为输入端，另一者可以为输出端。其中，第一传输端50、第二传输端60以及天线传输端70可以采用可供信号传输的导体材料制成，例如金属材料，但不限于此，且第一传输端50、第二传输端60以及天线传输端70的形状可以是各种形状，可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
66.如此设置，第一传输端50与天线传输端70之间的各谐振器30可以形成接收滤波器，第二传输端60与天线传输端70之间的各谐振器30可以形成发射滤波器；或者，第一传输端50与天线传输端70之间的各谐振器30可以形成发射滤波器，第二传输端60与天线传输端
70之间的各谐振器30可以形成接收滤波器。如此介质滤波器100便可形成介质双工器。
67.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，介质体10上于第一传输端50与天线传输端70之间开设有至少三个通孔101，例如三个、四个、五个、六个或六个以上。介质滤波器100包括至少两个导体延伸结构40，导体延伸结构40设置于顶面111并连接于屏蔽层20。位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，每相邻两通孔101所在位置的谐振器30的外导体部32之间设有一导体延伸结构40。
68.如此设置，通过改变导体延伸结构40的长度而改变分别位于其两侧的相邻两个谐振器30之间的耦合方式，例如可使相邻两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，以使介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器的带外产生传输零点(例如在接收滤波器的通带的高端或右侧产生传输零点)。
69.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，其中一通孔101为第一通孔101a。
70.如此设置，利于改变第一通孔101a所在位置的谐振器30和与第一通孔101a所在位置的谐振器30之间的耦合方式，可使两谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器的带外产生传输零点(例如在接收滤波器的通带的低端或左侧产生传输零点)。
71.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，与第一通孔101a相邻的一通孔101为第二通孔101b。在沿顶面111至底面112方向的投影上，第一通孔101a的中心和第二通孔101b的中心之间的距离大于其余任意相邻两通孔101的中心之间的距离。
72.如此设置，由于第一通孔101a的中心和第二通孔101b的中心之间的距离大于其余任意相邻两通孔101的中心之间的距离，因此更利于第一通孔101a所在位置的谐振器30和第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，以使介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器的带外产生传输零点(例如在接收滤波器的通带的低端或左侧产生传输零点)。
73.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，第一通孔101a所在位置的谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，其余至少一相邻两通孔101所在位置的两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合；也即，位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，除第一通孔101a所在位置的谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合之外，存在至少一对磁耦合大于电耦合的相邻的两谐振器30。
74.如此设置，由于位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，第一通孔101a所在位置的谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，且其余至少一相邻两通孔101所在位置的两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，因此可在介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器的通带的两端或两侧分别产生传输零点，可有效提高介质滤波器100的带外抑制性能。
75.示例性地，请参阅图1、图2和图4中示例性地示出了介质体10上于第一传输端50与天线传输端70之间开设有六个通孔101的情况。位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，相邻两谐振器30的外导体部32之间均设有一导体延伸结构40，第一通孔101a
所在位置的谐振器30与第二通孔101b所在位置的谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，可使介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器的通带的低端或左侧产生一个传输零点，其余位于第一传输端50与天线传输端70之间的各通孔101中，任意相邻两通孔101所在位置的两谐振器30之间的磁耦合大于电耦合，可使介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器的通带的高端或右侧产生四个传输零点。示例性地，通过对图2所示的介质滤波器100进行仿真，获得介质滤波器100的幅频特性曲线图(也即s参数特性仿真图)，从图9中可以看出，介质滤波器100于第一传输端50与天线传输端70之间形成的接收滤波器(图9中的实线曲线)的通带的左侧或低端产生了一个零点，在通带的右侧或高端产生了多个传输零点。
76.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，介质滤波器100包括导体结构80，导体结构80设置于顶面111并位于第二传输端60与天线传输端70之间，且导体结构80位于相邻两通孔101所在位置的两谐振器30的外导体部32的同一侧。其中，导体结构80即由导体材料制成，例如可以是金属材料、金属与非金属的复合材料。导体结构80可以是条状结构，但不限于此，还可以是其他各种形状的结构。
77.如此设置，由于导体结构80位于相邻两通孔101所在位置的两谐振器30的外导体部32的同一侧，可使该相邻的两通孔101所在位置的两谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，可使介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器的通带的低端或左侧产生一个传输零点。
78.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，介质体10上于第二传输端60与天线传输端70之间开设有至少三个通孔101，例如可以是三个、四个、五个、六个、七个或七个以上。介质滤波器100包括交叉耦合结构90，交叉耦合结构90设置于顶面111，且交叉耦合结构90位于相邻的三个通孔101所在位置的三个谐振器30的外导体部32的同一侧。其中，交叉耦合结构90即由导体材料制成，例如可以是金属材料、金属复合材料、金属与非金属的复合材料。交叉耦合结构90可以是条状结构，但不限于此，还可以是其他各种形状的结构。
79.如此设置，由于交叉耦合结构90位于相邻的三个通孔101所在位置的三个谐振器30的外导体部32的同一侧，可与该相邻的三个通孔101所在位置的三个谐振器30之间形成ct结构，使该三个谐振器30之间可交叉耦合，可使介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器的通带的低端或左侧产生一个传输零点。
80.可选地，在一个实施例中，请参阅图1、图2和图4，天线传输端70具有延伸耦合部71，延伸耦合部71位于处于第二传输端60与天线传输端70之间的相邻两通孔101所在位置的两谐振器30的外导体部32的同一侧。其中，延伸耦合部71即为天线传输端70的一部分，由导体材料制成，例如可以是金属材料、金属与非金属的复合材料。延伸耦合部71可以是条状结构，但不限于此，还可以是其他各种形状的结构。
81.如此设置，由于延伸耦合部71位于处于第二传输端60与天线传输端70之间的相邻两通孔101所在位置的两谐振器30的外导体部32的同一侧，可使天线传输端70与该两个谐振器30相耦合，以使介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器的通带的高端或右侧产生一个传输零点。
82.示例性地，请参阅图1、图2和图4示例性地示出了介质体10上于第二传输端60与天线传输端70之间开设有七个通孔101的情况。为便于描述，沿天线传输端70至第二传输端60
的方向定义该七个通孔101依次为第三通孔101c、第四通孔101d、第五通孔101e、第六通孔101f、第七通孔101g、第八通孔101h、第九通孔101i。其中，第二传输端60位于第九通孔101i的一侧；延伸耦合部71位于第三通孔101c和第四通孔101d所在位置的两谐振器30的外导体部32的同一侧，以使天线传输端70与第三通孔101c和第四通孔101d所在位置的两谐振器30相耦合，使介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器的通带的高端或右侧产生一个传输零点。导体结构80位于第四通孔101d和第五通孔101e所在位置的两谐振器30的外导体部32的同一侧，可使第四通孔101d和第五通孔101e所在位置的两谐振器30之间的电耦合大于磁耦合，可使介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器的通带的低端或左侧产生一个传输零点。交叉耦合结构90位于第六通孔101f、第七通孔101g、第八通孔101h所在位置的三个谐振器30的外导体部32的同一侧，可与第六通孔101f、第七通孔101g、第八通孔101h所在位置的三个谐振器30形成ct结构，使该三个谐振器30之间交叉耦合，可使介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器的通带的低端或左侧产生一个传输零点。示例性地，通过对图2所示的介质滤波器100进行仿真，获得介质滤波器100的幅频特性曲线图(也即s参数特性仿真图)，从图9中可以看出，介质滤波器100于第二传输端60与天线传输端70之间形成的发射滤波器(图9中的双点划线曲线)的通带的右侧或高端产生了一个零点，在通带的左侧或低端产生了多个传输零点。
83.需要说明的是，介质滤波器100不限于为双工器。可选地，在其他一些实施方式中，介质滤波器100也可以仅为接收滤波器或发射滤波器，例如图10所示。
84.请参阅图6和图7，本技术实施例还提供一种介质体10，可应用于上述任一实施例的介质滤波器100。介质体10具有顶面111、与顶面111相对设置的底面112、位于顶面111与底面112之间的周侧面113；介质体10上开设有至少三个通孔101，通孔101的相对两端分别贯穿顶面111和底面112。其中一通孔101为第一通孔101a，在沿顶面111至底面112方向的投影上，第一通孔101a的中心偏离于其余通孔101的中心的连线所形成的直线。
85.本技术实施例提供的介质体10，通过设置沿顶面111至底面112方向的投影，第一通孔101a的中心偏离于其余通孔101的中心的连线所形成的直线，因此可改变第一通孔101a和与第一通孔101a相邻的通孔101之间的距离，进而利于改变设置于该两通孔101处的两谐振器之间的耦合方式，利于使两谐振器之间的电耦合大于磁耦合，以使采用本技术实施例提供的介质滤波器的带外产生传输零点(例如在介质滤波器的通带的低端或左侧产生传输零点)，从而提高介质滤波器的带外抑制性能，而且本技术实施例中通过改变其中一通孔101的位置而实现产生传输零点，无需在介质体的表面额外增加复杂的导体结构，相比于通过在介质体的表面额外增加导体结构实现产生传输零点的方式而言，结构更为简单，且工艺要求较低，更适于实际应用。
86.可以理解，上述描述中主要在于说明本技术实施例提供的介质滤波器100的创新之处，本技术实施例提供的介质滤波器100除了包括上述元件之外，还可以具有其他元件，其他元件可以采用现有介质滤波器的元件，在此不赘述。
87.另外，附图中所示介质体10、屏蔽层20、谐振器30、导体延伸结构40、第一传输端50、第二传输端60、天线传输端70、导体结构80、交叉耦合结构90等元件的形状，仅在于示例性地说明，并非限定为附图中的形状。
88.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。