技术特征：
1.一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，包括：金属背板、与所述金属背板连接的介质层、设置在所述介质层上的若干第一电阻膜层和若干第二电阻膜层，所述的若干第一电阻膜层与所述的若干第二电阻膜层交替设置于所述介质层上；所述第一电阻膜层内设置有至少一个第一电阻环，所述第一电阻环的环宽为w1，且1mm≤w1<8mm；所述第一电阻环的方阻为rs1，且20ω/sq≤rs1≤2000ω/sq；所述第二电阻膜层内设置有至少一个第二电阻环，所述第二电阻环的环宽为w2，且1mm≤w2<8mm，且所述w1不等于w2；所述第一电阻环的方阻为rs2，且20ω/sq≤rs2≤2000ω/sq，且所述rs1不等于rs2。2.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述第一电阻环的环宽为w1，且3mm≤w1≤5mm；所述第一电阻环为方环、圆环中的至少一种。3.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述第二电阻环的环宽为w2，且3mm≤w2≤5mm；所述第二电阻环均为正多边形环、圆环中的至少一种。4.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述第一电阻环的外环边长或直径为l1，且2mm≤l1≤16mm；所述第二电阻环的外环边长或直径为l2，且2mm≤l1≤16mm。5.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述第一电阻膜层的边长或直径为r1，且20mm≤r1≤40mm；所述第二电阻膜层的边长或直径为r2，且20mm≤r2≤40mm。6.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述第一电阻膜层、第二电阻膜层的材料均为石墨烯或氧化铟锡或导电聚合物或石墨或乙炔炭黑。7.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述介质层的厚度为d，且1mm≤d≤10mm。8.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述介质层的相对介电常数为ε，且1≤ε≤5。9.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述介质层的材料为发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯或发泡聚氯乙烯或瓦楞纸板或蜂窝材料。10.根据权利要求1所述的一种单层耦合雷达波吸波结构，其特征在于，所述金属背板的材料为金或银或铜或铁或铝或合金。
技术总结
本实用新型公开一种单层耦合雷达波吸波结构，包括：介质层、若干第一电阻膜层、若干第二电阻膜层，所述的若干第一电阻膜层与所述的若干第二电阻膜层交替设置于所述介质层上；所述第一电阻膜层内设置有至少一个第一电阻环，所述第一电阻环的环宽为W1，且1mm≤W1<8mm；所述第一电阻环的方阻为Rs1，且20Ω/sq≤Rs1≤2000Ω/sq；所述第二电阻膜层内设置有至少一个第二电阻环，所述第二电阻环的环宽为W2，且1mm≤W2<8mm，且W1不等于W2；所述第一电阻环的方阻为Rs2，且20Ω/sq≤Rs2≤2000Ω/sq，且Rs1不等于Rs2。本实用新型通过将第一电阻膜层、第二电阻膜层交替设置于介质层上，实现不同频段、峰值的电磁波的耦合吸收，有效提升吸波结构的吸波性能。构的吸波性能。构的吸波性能。
技术研发人员：周福兰 曾民君 伍连保 聂晶 李虎权
受保护的技术使用者：深圳市佳晨科技有限公司
技术研发日：2022.04.27
技术公布日：2023/3/28