一种半导体复合耐热涂层的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体复合耐热涂层。


背景技术：

2.半导体在使用过程中，通常会散发热量，导致半导体长时间在高温下工作，容易降低性能甚至发生损坏。
3.在现有技术中，通过在半导体外部设置由聚对二甲苯涂层构成的耐热层，进而增加了半导体的耐热性，防止其温度过高而损坏。
4.但在前述的现有技术中，通过聚对二甲苯涂层产生的耐热性不足，使得半导体的耐热性较差，无法长时间使半导体保持高强度的使用。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种半导体复合耐热涂层，解决了现有技术中通过聚对二甲苯涂层产生的耐热性不足，使得半导体的耐热性较差，无法长时间使半导体保持高强度的使用的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体复合耐热涂层，包括半导体和耐热层组；
7.所述耐热层组包括氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层，所述氮化铬铝涂层涂覆在所述半导体的外表壁，并呈条纹状依次分布，所述氮化钛铝涂层涂覆在所述氮化铬铝涂层的外表壁，并呈条纹状依次分布，所述氮化铬铝涂层和所述氮化钛铝涂层依次交错分布在所述半导体的外表壁。
8.其中，所述耐热层组还包括聚芳醚酮涂层，所述聚芳醚酮涂层涂覆在所述氮化铬铝涂层和所述氮化钛铝涂层的外表壁。
9.其中，所述耐热层组还包括隔热层，所述隔热层设置于所述聚芳醚酮涂层的外部。
10.其中，所述隔热层包括稀土涂层和石墨烯涂层，所述稀土涂层涂覆在所述聚芳醚酮涂层的外表壁，所述石墨烯涂层涂覆在所述稀土涂层的外表壁。
11.其中，所述半导体复合耐热涂层还包括防护层组，所述防护层组设置于所述石墨烯涂层的外部。
12.其中，所述防护层组包括聚硅氧烷涂层和类金刚石绝缘涂层，所述聚硅氧烷涂层涂覆在所述石墨烯涂层的外表壁，所述类金刚石绝缘涂层涂覆在所述聚硅氧烷涂层的外表壁。
13.其中，所述防护层组还包括纳米涂层，所述纳米涂层涂覆在所述类金刚石绝缘涂层的外表壁。
14.本实用新型的一种半导体复合耐热涂层，将所述氮化铬铝涂层和所述氮化钛铝涂层依次交错涂覆在所述半导体的外表壁，进而使得所述半导体具备优秀的耐高温性，通过上述结构设置，通过交错涂覆的涂层，进而大大增强了所述半导体的耐热性，提高了使用寿
命，使其能够长时间处于高温下运作。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
16.图1是本实用新型的第一实施例的整体的结构示意图。
17.图2是本实用新型的图1的a-a线剖视图。
18.图3是本实用新型的图2的b处局部结构放大图。
19.图4是本实用新型的第二实施例的整体的结构示意图。
20.图5是本实用新型的图4的c-c线剖视图。
21.图6是本实用新型的图5的d处局部结构放大图。
22.101-半导体、102-氮化铬铝涂层、103-氮化钛铝涂层、104-聚芳醚酮涂层、105-稀土涂层、106-石墨烯涂层、201-聚硅氧烷涂层、202-类金刚石绝缘涂层、203-纳米涂层。
具体实施方式
23.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
24.第一实施例：
25.请参阅图1至图3，其中图1是本实用新型的第一实施例的整体的结构示意图，图2是本实用新型的图1的a-a线剖视图，图3是本实用新型的图2的b处局部结构放大图，本实用新型提供一种半导体101复合耐热涂层，包括半导体101和耐热层组，所述耐热层组包括氮化铬铝涂层102和氮化钛铝涂层103、聚芳醚酮涂层104和隔热层，所述隔热层包括稀土涂层105和石墨烯涂层106。
26.针对本具体实施方式，首先依次将所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103交错涂覆在所述半导体101的外表壁，然后再将所述聚芳醚酮涂层104涂覆在所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103上，最后将所述稀土涂层105和所述石墨烯涂层106依次进行涂覆即可。
27.其中，所述氮化铬铝涂层102涂覆在所述半导体101的外表壁，并呈条纹状依次分布，所述氮化钛铝涂层103涂覆在所述氮化铬铝涂层102的外表壁，并呈条纹状依次分布，所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103依次交错分布在所述半导体101的外表壁。所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103均具备良好的耐高温属性，同时抗氧化性能很好，进而大幅提高了所述半导体101的使用寿命。
28.其次，所述聚芳醚酮涂层104涂覆在所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103的外表壁。所述聚芳醚酮涂层104具有较高的熔点，使其也具备良好的耐高温性，进一步增强了所述半导体101的耐高温属性。
29.同时，所述隔热层设置于所述聚芳醚酮涂层104的外部。所述隔热层可以对所述半导体101散发的热量进行断热，防止用户误触时被高温烫伤。
30.另外，所述稀土涂层105涂覆在所述聚芳醚酮涂层104的外表壁，所述石墨烯涂层
106涂覆在所述稀土涂层105的外表壁。所述稀土涂层105和所述石墨烯涂层106均具有优秀的隔热效果，进而可以将所述半导体101散发的高温进行隔断。
31.使用本实施例的一种半导体101复合耐热涂层时，首先依次将所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103交错涂覆在所述半导体101的外表壁，进而使得所述半导体101具备耐高温性，然后再将所述聚芳醚酮涂层104涂覆在所述氮化铬铝涂层102和所述氮化钛铝涂层103上，进一步增强了所述半导体101的耐高温性，最后将所述稀土涂层105涂覆在所述聚芳醚酮涂层104的外表壁，然后在所述稀土涂层105的外表壁涂覆所述石墨烯涂层106即可，进而通过所述稀土涂层105和所述石墨烯涂层106进行隔热，防止用户误触时被烫伤，通过上述结构设置，通过涂覆的多个涂层，进而大大增强了所述半导体101的耐热性，提高了使用寿命，同时还能对其进行隔热，防止用户误触被高温烫伤。
32.第二实施例：
33.在第一实施例的基础上，请参阅图4至图6，其中图4是本实用新型的第二实施例的整体的结构示意图，图5是本实用新型的图4的c-c线剖视图，图6是本实用新型的图5的d处局部结构放大图，本实用新型提供一种半导体101复合耐热涂层，还包括防护层组，所述防护层组包括聚硅氧烷涂层201、类金刚石绝缘涂层202和纳米涂层203。
34.针对本具体实施方式，首先将所述聚硅氧烷涂层201涂覆在所述石墨烯涂层106的外表壁，然后再涂覆所述类金刚石绝缘涂层202，最后将所述纳米涂层203涂覆在所述类金刚石绝缘涂层202的外表壁。
35.其中，所述防护层组设置于所述石墨烯涂层106的外部。通过所述防护层组，可以对所述半导体101进行防护。
36.其次，所述聚硅氧烷涂层201涂覆在所述石墨烯涂层106的外表壁，所述类金刚石绝缘涂层202涂覆在所述聚硅氧烷涂层201的外表壁。所述聚硅氧烷涂层201具备良好的耐腐蚀性，所述类金刚石绝缘涂层202含有金刚石结构(sp3键)和石墨结构(sp2键)的亚稳非晶态物质，进而使其具备硬度高，耐磨性好和摩擦系数低的优点，从而对所述半导体101进行防护。
37.同时，所述纳米涂层203涂覆在所述类金刚石绝缘涂层202的外表壁。所述纳米涂层203表面具有极强的疏水和防水效果，同时不易沾染灰尘和污垢，达到了自洁净的功效，进而增加了所述半导体101的实用性和使用寿命。
38.使用本实施例的一种半导体101复合耐热涂层时，在涂覆所述防护层组时，首先将所述聚硅氧烷涂层201涂覆在所述石墨烯涂层106的外表壁，进而使得所述半导体101具有耐腐蚀性，然后再涂覆所述类金刚石绝缘涂层202，通过其具有的高硬度和耐磨性，对所述半导体101进行保护，最后将所述纳米涂层203涂覆在所述类金刚石绝缘涂层202的外表壁，起到了防水和防尘的作用，通过上述结构设置，使所述半导体101具有耐腐蚀性，并且增强了外表的硬度，使其更加耐磨耐用，同时还能进行防尘防水，进而大幅度提升了所述半导体101的实用性和使用寿命。
39.以上所揭露的仅为本技术一种或多种较佳实施例而已，不能以此来限定本技术之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本技术权利要求所作的等同变化，仍属于本技术所涵盖的范围。