一种微型发光二极管的制作方法

1.本实用新型涉及半导体器件领域，特别涉及一种微型发光二极管。


背景技术：

2.随着终端设备的快速发展，对终端设备的显示提出了更高的要求。当前的显示技术领域，主要分为液晶显示(lcd)、有机发光显示(oled)和微型发光二极管(micro-led)显示。微型发光二极管显示是新一代的显示技术，将二极管结构进行微小化、薄膜化和阵列化，能够实现单点驱动发光，具有高亮度、高发光效率和功耗低等优点。micro-led的尺寸为微米级别，每个micro-led的间隔也在微米级别，因此基于micro-led的显示面板中包括巨量的micro-led。
3.但是当前由于每个micro-led的间隔较小，导致不同的micro-led在进行发光时，会产生混色影响，导致显示效果变差。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术的目的在于提供一种微型发光二极管，降低混色影响，提高显示效果，降低工艺成本。
5.为实现上述目的，本技术有如下技术方案：
6.本技术实施例提供一种微型发光二极管，包括：
7.依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构；
8.所述透明衬底为圆台结构或棱台结构，所述透明衬底具有和所述第一发光结构接触的第一表面、和所述第二发光结构接触的第二表面以及倾斜侧壁，所述第一表面的面积大于所述第二表面的面积，所述第一发光结构利用所述倾斜侧壁出光；
9.第一电极，位于所述第一反射层远离所述第一发光结构的一侧表面；
10.第二电极，贯穿所述第一反射层和至少部分所述第一发光结构；
11.第三电极，贯穿所述第三发光结构至所述第三反射层；
12.第四电极，位于所述第三发光结构远离所述第三反射层的一侧表面。
13.可选地，所述第一发光结构的出光效率根据所述透明衬底的厚度以及所述第一表面和所述第二表面的比值确定。
14.可选地，所述透明衬底的厚度范围为50-120微米，所述第一表面和所述第二表面的比值范围为[1，2]。
[0015]
可选地，所述第二发光结构和所述第三发光结构通过所述第三反射层实现电连接。
[0016]
可选地，所述第三反射层对所述第二发光结构的反射率小于第一阈值，所述第三反射层对所述第三发光结构的反射率大于第二阈值。
[0017]
可选地，所述透明衬底的材料为蓝宝石或氮化镓。
[0018]
可选地，若所述透明衬底的材料为蓝宝石，所述透明衬底具有导电接触，所述导电接触电连接所述第二反射层和所述第一发光结构。
[0019]
可选地，所述第一发光结构为蓝光发光结构，所述第二发光结构为红光发光结构，所述第三发光结构为绿光发光结构。
[0020]
可选地，所述蓝光发光结构包括依次层叠的第二类型蓝光导电层、蓝光发光层和第一类型蓝光导电层，所述红光发光结构包括依次层叠的第一类型红光导电层、红光发光层和第二类型红光导电层，所述绿光发光结构包括依次层叠的第二类型绿光导电层、绿光发光层和第一类型绿光导电层。
[0021]
可选地，还包括绝缘层，所述绝缘层用于隔离所述第三电极和所述第三发光结构以及隔离所述第一电极和所述第一反射层。
[0022]
本技术实施例提供一种微型发光二极管的制造方法，包括：
[0023]
在透明衬底上形成第一发光结构，在第一衬底上形成第二发光结构，在第二衬底上形成第三发光结构；
[0024]
在所述第三发光结构的表面上形成第三反射层，在所述第一发光结构的表面上形成第一反射层；
[0025]
以所述第三反射层朝向所述第二发光结构的方向，键合所述第二发光结构和所述第三发光结构；
[0026]
剥离所述第二发光结构和所述第一衬底，在暴露的第二发光结构表面上形成第二反射层；
[0027]
切割所述透明衬底，形成棱台结构或圆台结构，所述透明衬底具有和所述第一发光结构接触的第一表面、远离所述第一发光结构的第二表面以及倾斜侧壁，所述第一表面的面积大于所述第二表面的面积；
[0028]
以所述第二反射层朝向所述第二表面的方向，键合所述第二发光结构和所述第一发光结构；
[0029]
剥离所述第三发光结构和所述第二衬底；
[0030]
形成第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一电极位于所述第一反射层远离所述第一发光结构的一侧表面，所述第二电极贯穿所述第一反射层和至少部分所述第一发光结构，所述第三电极贯穿所述第三发光结构至所述第三反射层，所述第四电极位于所述第三发光结构远离所述第三反射层的一侧表面。
[0031]
本技术实施例提供了一种微型发光二极管，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底具有和第一发光结构接触的第一表面、和第二发光结构接触的第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积大于第二表面的面积，第一发光结构利用倾斜侧壁出光，第一电极，位于第一反射层远离第一发光结构的一侧表面，第二电极，贯穿第一反射层和至少部分第一发光结构，第三电极，贯穿第三发光结构至第三反射层，第四电极，位于第三发光结构远离第三反射层的一侧表面。也就是说，通过将第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构依次层叠，形成纵向结构，第一发光结构发射的光线利用第一反射层的反射通过透明衬底的倾斜侧壁出射，第二发光结构发射的光线利用第二反射层通过第三发光结构出射，第三发光结构发射的光线利用第三反射层进行反射出射，即第一发光结构、
第二发光结构和第三发光结构的发光方向朝向同一侧，避免处于同一平面的发光结构的侧面混色影响，并且通过4个电极，分别控制三个发光结构的发光，能够提高显示效果，降低工艺成本。
附图说明
[0032]
为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0033]
图1示出了本技术实施例提供的一种微型发光二极管的结构示意图；
[0034]
图2示出了本技术实施例提供的另一种微型发光二极管的结构示意图；
[0035]
图3示出了本技术实施例提供的一种微型发光二极管的制造方法的流程示意图；
[0036]
图4-图10示出了根据本技术实施例提供的制造方法制造微型发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
[0037]
为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
[0038]
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0039]
其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0040]
当前的显示技术领域，主要分为液晶显示(lcd)、有机发光显示(oled)和微型发光二极管(micro-led)显示。微型发光二极管显示是新一代的显示技术，将二极管结构进行微小化、薄膜化和阵列化，能够实现单点驱动发光，具有高亮度、高发光效率和功耗低等优点。micro-led的尺寸为微米级别，每个micro-led的间隔也在微米级别，因此基于micro-led的显示面板中包括巨量的micro-led。
[0041]
但是当前由于每个micro-led的间隔较小，导致不同的micro-led在进行发光时，会产生混色影响，导致显示效果变差。并且当前制作基于微型发光二极管的显示面板时，由于要将巨量的具有微小尺度的micro-led转移到大尺寸的显示面板中，使得显示面板的制作工艺流程非常复杂，导致显示面板的良率降低，成本增加。
[0042]
基于以上技术问题，本技术实施例提供了一种微型发光二极管，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底具有和第一发光结构接触的第一表面、和第二发光结构接触的第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积大于第二表面的面积，第一发光结构利用倾斜侧壁出光，第一电极，位于第一反射层远离第一发光结构的一侧表面，第二电极，贯穿第一反射层和至少部分第一发光结构，第三电极，贯穿第三发光结构至第三反
射层，第四电极，位于第三发光结构远离第三反射层的一侧表面。也就是说，通过将第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构依次层叠，形成纵向结构，第一发光结构发射的光线利用第一反射层的反射通过透明衬底的倾斜侧壁出射，第二发光结构发射的光线利用第二反射层通过第三发光结构出射，第三发光结构发射的光线利用第三反射层进行反射出射，即第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的发光方向朝向同一侧，避免处于同一平面的发光结构的侧面混色影响，并且通过4个电极，分别控制三个发光结构的发光，能够提高显示效果，降低工艺成本。
[0043]
为了更好地理解本技术的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。
[0044]
为了更好地理解本技术的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。
[0045]
参考图1所示，为本技术实施例提供的一种微型发光二极管的结构示意图，本技术实施例提供的微型发光二极管包括依次层叠设置的第一反射层110、第一发光结构120、透明衬底130、第二反射层140、第二发光结构150、第三反射层160和第三发光结构170。
[0046]
在本技术的实施例中，第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170用于发光，第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170发射的光线的中心波长不同，以便进行发光的颜色混合，进行发光显示。
[0047]
第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170的发光颜色可以根据实际情况进行自行设定。
[0048]
作为一种示例，第一发光结构120为蓝光发光结构，第二发光结构150为红光发光结构，第三发光结构170为绿光发光结构。
[0049]
在本技术的实施例中，第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170中分别具有多个膜层以便进行发光。当第一发光结构120为蓝光发光结构，第二发光结构150为红光发光结构，第三发光结构170为绿光发光结构时，蓝光发光结构包括依次层叠的第二类型蓝光导电层121、蓝光发光层122和第一类型蓝光导电层123，红光发光结构包括依次层叠的第一类型红光导电层151、红光发光层152和第二类型红光导电层153，绿光发光结构包括依次层叠的第二类型绿光导电层171、绿光发光层172和第一类型绿光导电层173，参考图2所示，为本技术实施例提供的另一种微型发光二极管的结构示意图。
[0050]
具体的，蓝光发光层122用于进行蓝色发光，红光发光层152用于进行红色发光，绿光发光层172用于进行绿色发光。蓝光发光层122、红光发光层152、绿光发光层172也可以称为有源层，有源层可以是量子阱层。
[0051]
第二类型蓝光导电层121和第一类型蓝光导电层123用于将电信号传导至蓝光发光层122，以便蓝光发光层122进行蓝色发光。第一类型红光导电层151和第二类型红光导电层153用于将电信号传导至红光发光层152，以便红光发光层152进行红色发光。第二类型绿光导电层171和第一类型绿光导电层173用于将电信号传导至绿光发光层172，以便绿光发光层172进行绿色发光。
[0052]
具体的，第二类型蓝光导电层121和第一类型蓝光导电层123可以分别为n型导电层和p型导电层，或，可以分别为p型导电层和n型导电层，相应地，第一类型红光导电层151和第二类型红光导电层153可以分别为p型导电层和n型导电层，或，可以分别为n型导电层
和p型导电层，第二类型绿光导电层171和第一类型绿光导电层173可以分别为n型导电层和p型导电层，或，可以分别为p型导电层和n型导电层。本技术实施例在此不作具体限定，具体可由本领域技术人员根据实际情况进行设定。
[0053]
具体的，n型导电层的材料可以是n型掺杂的氮化镓，p型导电层的材料可以是p型掺杂的氮化镓。
[0054]
在本技术的实施例中，第一反射层110用于对第一发光结构120发射的光线进行反射，即第一发光结构120的光线从同一个方向进行出射，提高第一发光结构120的出光效率，相应地，第二反射层140用于对第二发光结构150发射的光线进行反射，即第二发光结构150的光线从同一个方向进行出射，第三反射层160用于对第三发光结构170发射的光线进行反射，即第三发光结构170的光线从同一个方向进行出射。第二发光结构150和第三发光结构170的光线出射方向和第一发光结构120的出射方向相同，通过将第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170依次层叠，形成纵向结构，避免处于同一平面的发光结构的侧面混色影响，最终提高显示效果。
[0055]
在实际应用中，第一发光结构120的光在进行出射时，会经过第二反射层140、第二发光结构150、第三反射层160和第三发光结构170等多个膜层，有可能光线会有所损失甚至无法进行出射，因此可以将透明衬底130设置为圆台结构或棱台结构，透明衬底130具有和第一发光结构120接触的第一表面131、和第二发光结构150接触的第二表面132以及倾斜侧壁133，第一表面131的面积大于第二表面132的面积，以便形成第一发光结构120的面积大于第二发光结构150的面积的结构，后续第一发光结构120可以利用倾斜侧壁133出光，这样就可以避免第一发光结构120的出光损失。
[0056]
在实际应用中，第一发光结构120为蓝光发光结构，第二发光结构150为红光发光结构，第三发光结构170为绿光发光结构时，第一发光结构120发射的蓝光会被第二发光结构150吸收，因此第一发光结构利用透明衬底130的倾斜侧壁133进行蓝光出射，能够避免蓝光被第二发光结构150吸收。
[0057]
在本技术的实施例中，第一发光结构120的出光效率和倾斜侧壁133的面积有关，即倾斜侧壁133的面积可以根据透明衬底130的厚度以及第一表面131和第二表面132的比值确定。
[0058]
作为一种示例，透明衬底130的厚度范围为50-120微米，第一表面131和第二表面132的比值范围为[1，2]。
[0059]
在本技术的实施例中，为了实现第二发光结构150和第三发光结构170从同一侧发光，第三反射层160可以反射第三发光结构170的发光，透过第二发光结构150的发光，即第三反射层160对第二发光结构150的反射率小于第一阈值，第三反射层160对第三发光结构170的反射率大于第二阈值。
[0060]
具体的，第一阈值可以为10％，第二阈值可以为80％。当第一发光结构120为蓝光发光结构，第二发光结构150为红光发光结构，第三发光结构170为绿光发光结构时，第三反射层160对第二发光结构150发射的红光的反射率小于10％，对第三发光结构170发射的绿光的反射率大于80％。
[0061]
在本技术的实施例中，微型发光二极管包括第一电极181、第二电极182、第三电极183和第四电极184。第一电极181位于第一反射层110远离第一发光结构120的一侧表面，第
二电极182贯穿第一反射层110和至少部分第一发光结构120，第三电极183贯穿第三发光结构170至第三反射层160，第四电极184位于所述第三发光结构170远离第三反射层160的一侧表面。
[0062]
也就是说，第一电极181和第二电极182位于微型发光二极管的一侧，第三电极183和第四电极184位于微型发光二极管的另一侧，第一电极181、第二电极182、第三电极183和第四电极184，用于分别控制第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170进行发光，以便实现多种发光颜色的控制和混合。
[0063]
在本技术的实施例中，第一反射层110、第二反射层140和第三反射层160可以都具有导电性，第二发光结构150和第三发光结构170可以通过第三反射层160实现电连接。若第三反射层160不具有导电性，可以在第三反射层160中设置金属接触，以便第二发光结构150和第三发光结构170通过金属接触实现电连接。
[0064]
具体的，第三反射层160可以是具有导电功能的分布式布拉格反射镜(dbr，distributed bragg reflection)。
[0065]
在本技术的实施例中，透明衬底130的材料为蓝宝石或氮化镓，若透明衬底130的材料为氮化镓，则第一发光结构120和第二发光结构150可以通过具有导电性的透明衬底130和第二反射层140实现电连接。
[0066]
若透明衬底130的材料为蓝宝石，透明衬底130可以具有导电接触134，参考图2所示，导电接触134电连接第二反射层140和第一发光结构120，实现第一发光结构120和第二发光结构150的电连接。
[0067]
在实际应用中，透明衬底130的厚度不能过厚，过厚会导致导电接触134距离过长，不利于第一发光结构120和第二发光结构150之间的电连接，透明衬底130的厚度也不能过薄，过薄会导致第一发光结构120的蓝光发光层122和第二反射层140之间的距离过近，影响第一发光结构120的发光。
[0068]
在本技术的实施例中，当第一发光结构120为蓝光发光结构，第二发光结构150为红光发光结构，第三发光结构170为绿光发光结构时，第一电解181贯穿第一反射层110、第二类型蓝光导电层121、蓝光发光层122至第一类型蓝光导电层123，参考图2所示。
[0069]
具体的，第一电极181和第二电极182用于控制第一发光结构120进行发光，第一电极181和第三电极183用于控制第二发光结构150进行发光，第三电极183和第四电极184用于控制第三发光结构170进行发光。
[0070]
在本技术的实施例中，微型发光二极管还可以包括绝缘层190，参考图2所示，绝缘层190位于第一发光结构120的侧壁和第一电极181的侧壁之间以及第三发光结构170的侧壁和第三电极183的侧壁之间，绝缘层190用于隔离第三电极183和第三发光结构170，还用于隔离第一电极181和第一反射层110，以及隔离第一电极181和部分第一发光结构120。
[0071]
由此可见，本技术实施例提供的微型发光二极管，通过将第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构依次层叠，形成纵向结构，第一发光结构发射的光线利用第一反射层的反射通过透明衬底的倾斜侧壁出射，第二发光结构发射的光线利用第二反射层通过第三发光结构出射，第三发光结构发射的光线利用第三反射层进行反射出射，即第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的发光方向朝向同一侧，能够避免光线的吸收，实现有效出光，并且避免处于同一平面的发光结构的侧面混色影响，并且通过4个电极，分别控制三个
发光结构的发光，实现多个发光的控制和颜色混合，能够提高显示效果，此外通过立体纵向发光结构的设计，可以降低单个像素单元的尺寸，提高显示分辨率，并且无需将多个颜色的微型发光二极管分别进行多次转移，只需要将本技术实施例提供的微型发光二极管进行一次转移，提高了巨量转移工艺的可靠性，降低工艺成本。
[0072]
本技术实施例提供了一种微型发光二极管，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底具有和第一发光结构接触的第一表面、和第二发光结构接触的第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积大于第二表面的面积，第一发光结构利用倾斜侧壁出光，第一电极，位于第一反射层远离第一发光结构的一侧表面，第二电极，贯穿第一反射层和至少部分第一发光结构，第三电极，贯穿第三发光结构至第三反射层，第四电极，位于第三发光结构远离第三反射层的一侧表面。也就是说，通过将第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构依次层叠，形成纵向结构，第一发光结构发射的光线利用第一反射层的反射通过透明衬底的倾斜侧壁出射，第二发光结构发射的光线利用第二反射层通过第三发光结构出射，第三发光结构发射的光线利用第三反射层进行反射出射，即第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的发光方向朝向同一侧，避免处于同一平面的发光结构的侧面混色影响，并且通过4个电极，分别控制三个发光结构的发光，能够提高显示效果，降低工艺成本。
[0073]
基于以上实施例提供的微型发光二极管，本技术实施例还提供了一种微型发光二极管的制造方法，参考图3所示，为本技术实施例提供的一种微型发光二极管的制造方法的流程图，该方法包括以下步骤：
[0074]
s101，在透明衬底130上形成第一发光结构120，在第一衬底101上形成第二发光结构150，在第二衬底102上形成第三发光结构170，参考图4所示。
[0075]
在本技术的实施例中，可以在透明衬底130上形成第一发光结构120，在临时衬底，例如第一衬底101上形成第二发光结构150，在临时衬底，例如第二衬底102上形成第三发光结构170。
[0076]
具体第一发光结构120、第二发光结构150和第三发光结构170可以是利用外延工艺形成的。
[0077]
具体可以在透明衬底130上依次外延形成第一类型蓝光导电层123、蓝光发光层122和第二类型蓝光导电层121，参考图4a所示，在第一衬底101上依次外延形成第一类型红光导电层151、红光发光层152和第二类型红光导电层153，参考图4b所示，在第二衬底102上依次外延形成第一类型绿光导电层173、绿光发光层172和第二类型绿光导电层171，参考图4c所示。
[0078]
s102，在所述第三发光结构170的表面上形成第三反射层160，在所述第一发光结构120的表面上形成第一反射层110，参考图5所示。
[0079]
在本技术的实施例中，在分别外延形成第一发光结构120和第三发光结构170之后，可以在第三发光结构170的表面上形成第三反射层160，在第一发光结构120的表面上形成第一反射层110。
[0080]
具体的，可以在第二类型蓝光导电层121上形成第一反射层110，参考图5a所示，在第二类型绿光导电层171上形成第三反射层160，参考图5b所示。
[0081]
s103，以所述第三反射层160朝向所述第二发光结构150的方向，键合所述第二发光结构150和所述第三发光结构170，参考图6所示。
[0082]
在本技术的实施例中，在第二类型绿光导电层171上形成第三反射层160之后，可以以第三反射层160朝向第二发光结构150的方向，键合第二发光结构150和第三发光结构170。
[0083]
具体的，可以键合第三反射层160和第二类型红光导电层153，以便实现第二发光结构150和第三发光结构170的键合。
[0084]
s104，剥离所述第二发光结构150和所述第一衬底101，在暴露的第二发光结构150表面上形成第二反射层140，参考图7所示。
[0085]
在本技术的实施例中，键合第二发光结构150和第三发光结构170之后，可以剥离第二发光结构150和第一衬底101，在暴露的第二发光结构150表面上形成第二反射层140。
[0086]
具体的，可以剥离第一衬底101和第二发光结构150，暴露第一类型红光导电层151，在第一类型红光导电层151上形成第二反射层140。
[0087]
s105，切割所述透明衬底130，形成棱台结构或圆台结构，参考图8所示。
[0088]
在本技术的实施例中，可以切割所述透明衬底130，形成棱台结构或圆台结构，透明衬底130具有和第一发光结构120接触的第一表面131、远离第一发光结构120的第二表面132以及倾斜侧壁133，第一表面131的面积大于第二表面132的面积。
[0089]
具体的，可以利用切割刀对透明衬底130进行切割，切割深度为透明衬底130的厚度，即切割至第一类型蓝光导电层123和透明衬底130之间的接触面。
[0090]
若透明衬底130的材料为蓝宝石，可以对透明衬底130进行刻蚀形成贯穿透明衬底130的导电通孔，在导电通孔内填充导电材料，形成导电接触134，导电接触134电连接第一发光结构120。
[0091]
s106，以所述第二反射层140朝向所述第二表面132的方向，键合所述第二发光结构150和所述第一发光结构120，参考图9所示。
[0092]
在本技术的实施例中，在本技术的实施例中，以第二反射层140朝向透明衬底130的第二表面132的方向，键合第二发光结构150和第一发光结构120，实现立体结构。
[0093]
s107，剥离所述第三发光结构170和所述第二衬底102，参考图10所示。
[0094]
在本技术实施例中，在键合透明衬底130和第二发光结构150之后，可以剥离第三发光结构170和第二衬底102。
[0095]
s108，形成第一电极181、第二电极182、第三电极183和第四电极184，参考图2所示。
[0096]
在本技术的实施例中，可以在剥离第三发光结构170和第二衬底102之后，分别形成第一电极181、第二电极182、第三电极183和第四电极184，其中，第一电极181位于第一反射层110远离第一发光结构120的一侧表面，第二电极182贯穿第一反射层110和至少部分第一发光结构120，第三电极183贯穿第三发光结构170至第三反射层160，第四电极184位于所述第三发光结构170远离第三反射层160的一侧表面。
[0097]
在实际应用中，由于同时在第一衬底101上形成多个第二发光结构150，在第二衬底102上形成多个第三发光结构170，因此在进行键合第二发光结构150和第三发光结构170之前，可以对多个第二发光结构150之间的切割区域进行刻蚀，对多个第三发光结构170之
前的切割区域进行刻蚀，以便形成多个独立的第二发光结构150和第三发光结构170，在切割区域可以设置粘合剂，以便粘合多个第二发光结构150以及粘合多个第三发光结构170，提高工艺的可靠性。
[0098]
相应地，可以对多个第一发光结构120之间的切割区域进行刻蚀，以便形成多个独立的第一发光结构120，而后在切割区域设置粘合剂，以便粘合多个第一发光结构120，提高工艺的可靠性。
[0099]
在实际应用中，为了提高第一发光结构120和第二发光结构150的键合对准性，可以在第二发光结构150和第三发光结构170键合之后，进行扩膜处理，使得第二发光结构150之间的切割区域变大，在扩大的切割区域内设置粘合剂，使得扩大切割区域之后第二发光结构150之间的距离符合后续第二发光结构150和透明衬底130进行键合时，第二发光结构150和第一发光结构120的中心位置重叠。
[0100]
在形成本技术实施例提供的纵向结构的微型发光二极管之后，可以腐蚀去除粘合剂，分离形成独立的多个微型发光二极管。
[0101]
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于结构实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见结构实施例的部分说明即可。
[0102]
以上所述仅是本技术的优选实施方式，虽然本技术已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案保护的范围内。