成像装置和电子设备的制作方法

本公开涉及一种成像装置和电子设备。

背景技术：

1、ccd(电荷耦合器件)图像传感器或cmos(互补金属氧化物半导体)图像传感器作为包括在数码相机或摄像机中的成像装置是已知的。

2、对于这些类型的图像传感器，已经研究了在针对每个像素设置的各个滤色器之间形成空隙，以减少像素之间的串扰。例如，下面的专利文献1公开了一种图像传感器，其具有通过用低覆盖膜闭塞设置在各个滤色器之间的沟槽上方的开口而形成的空隙。

3、引用文献列表

4、[专利文献]

5、[专利文献1]美国专利申请公开第2019/0157329号

技术实现思路

1、[技术问题]

2、然而，在上述专利文献1公开的图像传感器中，在空隙具有较大宽度以实现像素之间串扰的更多减少的情况下，沟槽具有较大宽度，因此需要由具有较大厚度的膜闭塞。在这种情况下，片上透镜和光电转换元件之间的距离增加，因此图像传感器的集光特性劣化。

3、因此，本公开提出了一种新颖和改进的成像装置和电子设备，其能够通过在不劣化集光特性的情况下减少像素之间的串扰来实现感度的更多改进。

4、[问题的解决方案]

5、根据本公开提供了一种成像装置，所述成像装置包括多个像素，每个所述像素包括光电转换单元并且以矩阵状平面地配置；滤色器，其针对每个所述像素设置在所述光电转换单元上；和壁状结构部，其形成在相邻的所述滤色器之间且具有由第一壁部限定的外形，并且被构造成将所述滤色器彼此间隔开。

6、此外，根据本公开提供了一种包括成像装置的电子设备。所述成像装置包括多个像素，每个所述像素包括光电转换单元并且以矩阵状平面地配置；滤色器，其针对每个所述像素设置在所述光电转换单元上；和壁状结构部，其形成在相邻的所述滤色器之间且具有由第一壁部限定的外形，并且被构造成将所述滤色器彼此间隔开。

技术特征：

1.一种成像装置，包括：

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，第一壁部通过围绕所述滤色器之间的空间的侧面和上面来限定所述壁状结构部的外形。

3.根据权利要求2所述的成像装置，其中，所述上面上的第一壁部具有比所述侧面上的第一壁部更大的厚度。

4.根据权利要求2所述的成像装置，其中，由第一壁部包围的空间是空隙。

5.根据权利要求4所述的成像装置，其中，至少一个开口形成在所述上面上的第一壁部中。

6.根据权利要求5所述的成像装置，其中，

7.根据权利要求6所述的成像装置，其中，所述开口由设置在所述壁状结构部上的闭塞膜来闭塞。

8.根据权利要求7所述的成像装置，其中，所述壁状结构部还包括设置在第一壁部的内侧的第二壁部。

9.根据权利要求8所述的成像装置，其中，第二壁部包含与所述闭塞膜的绝缘材料相同的绝缘材料。

10.根据权利要求7所述的成像装置，其中，在所述闭塞膜上针对每个所述像素还设置有片上透镜。

11.根据权利要求10所述的成像装置，其中，所述闭塞膜的折射率大致等于或小于所述片上透镜的折射率。

12.根据权利要求4所述的成像装置，其中，在所述空隙的下部中还设置有遮光部。

13.根据权利要求12所述的成像装置，其中，所述遮光部的宽度小于所述空隙的下部的宽度。

14.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述滤色器被设置为使得每组相邻的2×2的像素、3×3的像素或4×4的像素被指定相同的颜色。

15.根据权利要求4所述的成像装置，其中，第一壁部包含si、sio2、sin、sic、sico、sion、sicn、sih、sioh、sinh、sich、sicoh、sionh或sicnh。

16.根据权利要求15所述的成像装置，其中，在第一壁部中未形成开口。

17.根据权利要求15所述的成像装置，其中，包含绝缘材料的保护膜进一步设置在第一壁部上。

18.根据权利要求17所述的成像装置，其中，所述保护膜沿着第一壁部的形状形成。

19.根据权利要求1所述的成像装置，其中，第一壁部向所述滤色器之间的空间的上面打开，并且通过围绕所述滤色器之间的空间的侧面来限定所述壁状结构部的外形。

20.根据权利要求19所述的成像装置，其中，打开的所述上面由设置在所述壁状结构部上的闭塞膜来闭塞。

21.根据权利要求20所述的成像装置，其中，所述壁状结构部还包括第二壁部，第二壁部包含与所述闭塞膜的绝缘材料相同的绝缘材料，并且设置在第一壁部的内侧。

22.根据权利要求19所述的成像装置，其中，第一壁部具有比所述滤色器更大的高度。

23.根据权利要求19所述的成像装置，其中，第一壁部具有比所述滤色器更小的高度。

24.根据权利要求19所述的成像装置，其中，第一壁部包含与设置在所述滤色器下方的平坦化膜的绝缘材料相同的绝缘材料。

25.根据权利要求19所述的成像装置，其中，第一壁部包含与设置在所述滤色器下方的平坦化膜的绝缘材料不同的绝缘材料。

26.根据权利要求1所述的成像装置，其中，第一壁部是闭塞所述滤色器之间的空间的闭塞膜。

27.根据权利要求26所述的成像装置，其中，在所述滤色器之间的空间中设置有由第一壁部包围的空隙。

28.根据权利要求26所述的成像装置，其中，在所述滤色器下方设置停止层，所述停止层包含蚀刻速率不同于所述滤色器的蚀刻速率的绝缘材料。

29.根据权利要求4所述的成像装置，其中，所述滤色器的下端位于所述空隙的下端的下方。

30.根据权利要求4所述的成像装置，其中，所述空隙的上下方向的中央部的宽度大于所述空隙的上部和下部的宽度。

31.根据权利要求4所述的成像装置，其中，在所述空隙的内部设置有支柱或隔壁。

32.一种电子设备，包括：

技术总结
本发明要解决的问题是通过在不劣化集光特性的情况下抑制像素之间的串扰来提高感度。本发明提供了一种成像装置，其包括多个像素，每个所述像素包括光电转换单元并且以矩阵状平面地配置；滤色器，其针对每个所述像素设置在所述光电转换单元上；和壁状结构部，其形成在相邻的所述滤色器之间且具有由第一壁部限定的外形，并且被构造成将所述滤色器彼此间隔开。

技术研发人员：齐藤广志,池原成拓,石井义之,北村勇也,和田晃司,小林勇气,深沢正永,川岛淳志,福岛航平,根来阳一
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12