包括喷嘴单元的基板处理装置及基板处理方法与流程

本发明涉及包括具有单个驱动的两个以上的喷嘴的喷嘴单元的基板处理装置及包括其的基板处理方法。

背景技术：

1、通常，根据半导体元件的高密度、高集成化、高性能化电路图案的微细化急速地进行，从而在基板表面残留的颗粒(particle)、有机污染物、金属污染物等污染物质会对元件特性和生产率产生很多影响。因此，除去在基板表面附着的各种污染物质的清洗工艺在半导体制造工艺中起非常重要的带头，并且在制造半导体的各单位工艺的前后步骤中实施将基板清洗处理的工艺。

2、在当前半导体制造工艺中使用的清洗方法大体分为干式清洗(dry cleaning)和湿式清洗(wet cleaning)，湿式清洗分为在药液中使基板沉积通过化学溶解除去污染物质的清洗(bath)类型的方式，在旋转尺上放置基板且使基板旋转的期间在基板的表面供应药液除去污染物质的旋转(spin)类型的方式。

3、旋转类型的装置在旋转尺一侧设置喷嘴单元。喷嘴单元包括针对基板用于供应药液的药液供应喷嘴和用于供应氮气等之类的惰性气体的气体供应喷嘴。若完成针对基板的药液供应过程，则执行用于使基板干燥的干燥工艺，这时为了提高干燥工艺的效率而将惰性气体等之类的干燥气体为了在基板表面喷射设置气体供应喷嘴。

4、通常，在基板用于供应药液的药液供应喷嘴和用于供应惰性气体的干燥气体喷嘴以一体形设置而在旋转尺一侧设置，因此药液工艺之后在进行干燥工艺的期间药液供应喷嘴不可避免的在基板上方待机。因此，在使用异丙醇(ipa)之类的表面张力低的药液的情况下根据时间经过液滴向喷嘴尖端外部露出，并且在干燥过程中针对基板诱发滴药液以及电辐射，从而在基板上使产生聚集性、环形等之类的特异缺陷的问题。

5、另外，根据与其相同的一体形喷嘴而结构上限制了惰性气体的排放范围，因此产生惰性气体无法到达存在于起始点的反对面的基板的边缘区域的问题。若将一体形喷嘴使移动到反对面的边缘区域，则药液供应喷嘴与杯体单元冲突。因此在基板边缘区域诱发干燥不良以及产生特异映像。

6、另外，由于限制药液供应高度，与药液供应喷嘴以一体形提供的气体供应喷嘴同样不可以在其限制高度以上移动，在惰性侧面中能够使用的流量使限定地且不利于在针对基板上面的惰性气体氛围增大。另外，从药液供应喷嘴到气体供应喷嘴存在药液飞散风险的问题。另外，同样存在气体供应喷嘴的喷出口形成为比药液喷出口的喷出口小的限制。

技术实现思路

1、本发明为用于解决上述的问题，将提供除去通过针对基板表面的滴药液、不均匀干燥等的缺陷风险的基板液处理技术。

2、另外，本发明实现干燥范围扩大以及药液飞散防止而将提供提高干燥性能且改善工艺使用度的基板液处理技术。

3、本发明将解决的课题不限于此，没有提及的其它课题若是通常的技术人员，则可以从以下的记载明确地理解。

4、根据本发明的一实施例，可以是，提供一种喷嘴单元包括：第一喷嘴，向基板上喷出液；第一驱动模组，移动所述第一喷嘴；第二喷嘴，向基板上喷出气体；以及第二驱动模组，被相对于所述第一驱动模组独立地控制，并使所述第二喷嘴移动，所述第二喷嘴比所述第一喷嘴靠近所述基板的中心设置。

5、在一实施例中，可以是，所述第一驱动模组包括：第一臂，支承所述第一喷嘴；第一支承轴，结合于所述第一臂的下端而支承所述第一臂；以及第一旋转驱动部，使所述第一臂以所述第一支承轴为中心旋转，所述第二驱动模组包括：第二臂，支承所述第二喷嘴；第二支承轴，结合于所述第二臂的下端而支承所述第二臂；第二旋转驱动部，使所述第二臂以所述第二支承轴为中心旋转；以及第二升降驱动部，用于使所述第二喷嘴在上下方向上升降。

6、在一实施例中，可以是，所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴分别通过所述第一旋转驱动部以及所述第二旋转驱动部摇摆移动而移动到工艺位置以及待机位置，所述第一喷嘴完成液喷出工艺后立即移动到所述第一喷嘴的待机位置。

7、在一实施例中，可以是，所述第一驱动模组以及所述第二驱动模组基于所述第一喷嘴或所述第二喷嘴的水平位置而控制为调节所述第一喷嘴和所述第二喷嘴之间的距离。

8、在一实施例中，可以是，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴之间的距离控制为随着所述第一喷嘴从基板的中央区域上方向基板的边缘区域上方移动而变窄。

9、在一实施例中，可以是，所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴分别通过所述第一旋转驱动部以及所述第二旋转驱动部摇摆移动而移动到工艺位置以及待机位置，所述第一喷嘴完成液喷出工艺后立即移动到所述第一喷嘴的待机位置。

10、在一实施例中，可以是，所述第一驱动模组以及所述第二驱动模组基于所述第一喷嘴或所述第二喷嘴的水平位置而控制为调节所述第一喷嘴和所述第二喷嘴之间的距离。

11、在一实施例中，可以是，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴之间的距离控制为随着所述第一喷嘴从基板的中央区域上方向所述基板的边缘区域上方移动而变窄。

12、在一实施例中，可以是，所述第二喷嘴的高度，所述第二喷嘴的高度控制为随着所述第二喷嘴从所述基板的中央区域上方向所述基板的边缘区域上方移动而上升。

13、在一实施例中，可以是，所述第二喷嘴的喷出口面积设置为大于所述第一喷嘴的喷出口面积。

14、根据本发明的一实施例，可以是，提供一种基板处理装置包括：基板支承单元，支承基板；流体供应单元，包括用于向被所述基板支承单元支承的基板上供应处理流体的喷嘴单元，所述喷嘴单元包括：第一喷嘴，向基板上喷出清洗液；第一驱动模组，使所述第一喷嘴移动；第二喷嘴，为了将基板干燥向基板上喷出惰性气体；第二驱动模组，使所述第二喷嘴移动；以及驱动控制部，为了确定所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴的位置而独立地控制所述第一驱动模组和所述第二驱动模组，所述第二喷嘴比所述第一喷嘴靠近所述基板的中心设置。

15、根据本发明的一实施例，可以是，提供利用液处理装置将基板处理的方法。可以是，所述基板处理方法包括：第一喷嘴移动步骤，使得向基板上供应清洗液的第一喷嘴以摇摆移动方式移动到工艺位置以及待机位置；清洗液供应步骤，所述第一喷嘴向在所述第一喷嘴的工艺位置中旋转的基板上供应清洗液；第二喷嘴移动步骤，使得向基板上供应惰性气体的第二喷嘴以摇摆移动方式移动到工艺位置以及待机位置；干燥气体供应步骤，所述第二喷嘴向在所述第二喷嘴的工艺位置中旋转的基板上供应干燥气体；以及喷嘴间距控制步骤，基于所述第一喷嘴或所述第二喷嘴的水平位置而控制所述第一喷嘴和所述第二喷嘴之间的距离。

16、在一实施例中，可以是，所述第一喷嘴移动步骤包括：所述第一喷嘴从待机位置移动到工艺位置的步骤；以及所述第一喷嘴从工艺位置移动到待机位置的步骤，所述第一喷嘴从工艺位置移动到待机位置的步骤在所述清洗液供应步骤完成后立即执行。

17、在一实施例中，可以是，所述喷嘴间距控制步骤控制为随着所述第一喷嘴从与基板中央区域对应的位置向与基板边缘区域对应的位置移动而所述第一喷嘴和所述第二喷嘴之间的距离变窄。

18、在一实施例中，可以是，所述第二喷嘴移动步骤包括：所述第二喷嘴从待机位置移动到工艺位置的步骤；以及所述第二喷嘴从工艺位置移动到待机位置的步骤，所述第二喷嘴从工艺位置移动到待机位置的步骤在执行所述清洗液供应步骤的途中执行。

19、在一实施例中，可以是，所述第二喷嘴移动步骤还包括：所述第二喷嘴移动步骤还包括：随着所述第二喷嘴从与基板中央区域对应的位置向与基板边缘区域对应的位置移动而使所述第二喷嘴上升的步骤。

20、在一实施例中，可以是，所述第一喷嘴移动步骤恒定保持所述第一喷嘴的水平移动速度，所述第二喷嘴移动步骤根据所述第二喷嘴的水平位置而减速或加速所述第二喷嘴的水平移动速度。因此，可以是，控制所述第一喷嘴和所述第二喷嘴间的距离。

21、可以是，根据本发明有效地执行针对基板的液处理。

22、另外，可以是，根据本发明防止基板处理装置的颗粒源，从而防止针对基板以及基板处理空间的污染。

23、另外，可以是，根据本发明针对基板单个的设置供应药液的药液供应单元和供应惰性气体的气体供应单元，从而扩大针对基板的干燥范围且有效地防止药液的飞散，因此提高基板的干燥性能而提高整体液处理工艺的品质。

24、本发明的效果不限于此，没有提及的其它效果若是通常的技术人员，则从本说明书以及所附的附图可以明确地理解。