1.一种器件结构(10)，包括：
2.根据权利要求1所述的器件结构(10)，其中所述存储器器件设置在封装衬底(20)上并且电连接到所述封装衬底(20)。
3.根据权利要求1或2所述的器件结构(10)，还包括多个引线键合(60)，所述多个引线键合(60)在所述第一裸片(30)的所述表面中的多个导电元件与所述封装衬底之间延伸，以将所述第一裸片(30)电连接到所述封装衬底(20)。
4.权利要求3的器件结构(10)，其中
5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件结构(10)，其中所述字线驱动器裸片(50)在所述第二方向上伸长。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件结构(10)，其中所述字线驱动器裸片(50)居中设置在所述相对的第二边缘之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件结构(10)，其中所述多个第二裸片直接键合到所述第一裸片(30)，而不使用介入式粘合剂。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的器件结构(10)，其中所述多个第二裸片通过混合键合电连接到所述第一裸片(30)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的器件结构(10)，其中所述存储器器件是易失性存储器器件。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的器件结构(10)，其中所述存储器器件是dram器件。
11.一种器件结构，包括存储器器件的堆叠，每个存储器器件根据权利要求1至8中任一项所述的第一裸片(30)。
12.根据权利要求11所述的器件结构，其中存储器器件的所述堆叠是垂直对准的。
13.根据权利要求11所述的器件结构，其中每个存储器器件在水平方向上相对于设置在其下方的邻近的存储器器件偏移。
14.根据权利要求11所述的器件结构，其中引线键合(60)在至少两个垂直邻近的存储器器件的导电元件之间延伸。
15.根据权利要求11所述的器件结构，其中每个存储器器件在相对于设置在其上方或其下方的邻近的存储器器件的正交定向上被设置。
16.一种器件结构，包括：
17.根据权利要求16所述的器件结构，其中所述存储器器件设置在封装衬底(20)上并且电连接到所述封装衬底(20)。
18.根据权利要求16或17所述的器件结构，还包括多个引线键合(60)，所述多个引线键合(60)在所述裸片叠层的所述表面中的多个导电元件之间延伸到所述封装衬底，以将所述多个第一裸片(30)电连接到所述封装衬底(20)。
19.权利要求18的器件结构，
20.根据权利要求16至19中任一项所述的器件结构，其中所述字线驱动器裸片(50)在所述第二方向上伸长。
21.根据权利要求16至20中任一项所述的器件结构，其中所述字线驱动器裸片(50)居中设置在所述相对的第二边缘之间。
22.根据权利要求16到21中任一权利要求所述的器件结构，其中所述多个第二裸片被直接键合到所述裸片堆叠的所述表面，而不使用介入性粘合剂。
23.根据权利要求16到22中任一权利要求所述的器件结构，其中所述多个第二裸片通过混合键合电连接到所述裸片堆叠。
24.根据权利要求16至23中任一项所述的器件结构(10)，其中所述存储器器件是易失性存储器器件。
25.根据权利要求16至24中任一项所述的器件结构(10)，其中所述存储器器件是dram器件。
26.一种器件结构(10)，包括：
27.根据权利要求26所述的器件结构(10)，其中混合键合将所述多个第二小芯片电连接到所述第一小芯片。