本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示装置和偏光片。
背景技术:
1、薄膜晶体管(thin film transistor,tft)作为一种半导体开关器件,包括栅极、源极、漏极、栅极绝缘层及有源层,可通过向栅极输入不同的电信号来控制有源层的导通和关断,是显示装置中的重要元件之一。
2、然而,薄膜晶体管的有源层容易在光照下产生光生电子,使薄膜晶体管的阈值电压产生负向漂移,从而使显示装置出现控制电路失效、像素显示异常等问题,严重影响了显示装置的使用寿命。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种显示装置和偏光片,可以提升显示装置中薄膜晶体管的光照稳定性。
2、本申请实施例提供一种显示装置,包括:
3、显示面板,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层;和
4、偏光片,设置在所述显示面板的一侧,所述偏光片包括半导体纳米粒子,所述半导体纳米粒子的禁带宽度小于或等于所述有源层的禁带宽度。
5、可选的,在本申请的一些实施例中,所述偏光片包括粘合层,所述粘合层包括所述半导体纳米粒子。
6、可选的,在本申请的一些实施例中,所述偏光片包括:
7、偏光膜,设置在所述显示面板的一侧;
8、光学功能层,设置在所述偏光膜靠近所述显示面板的一侧;以及
9、第一粘合层,设置在所述偏光膜与所述光学功能层之间,所述第一粘合层包括所述半导体纳米粒子。
10、可选的,在本申请的一些实施例中,所述偏光片包括:
11、偏光膜,设置在所述显示面板的一侧;
12、光学功能层,设置在所述偏光膜靠近所述显示面板的一侧;
13、第一粘合层,设置在所述偏光膜与所述光学功能层之间;以及
14、第二粘合层,设置在所述光学功能层靠近所述显示面板的一侧,所述第二粘合层包括所述半导体纳米粒子。
15、可选的,在本申请的一些实施例中,所述半导体纳米粒子的粒径为5~100纳米。
16、可选的,在本申请的一些实施例中,所述粘合层中的所述半导体纳米粒子的含量为0.5~2微克/立方厘米。
17、可选的,在本申请的一些实施例中,所述有源层为氧化物半导体,所述半导体纳米粒子包括in2s3,in2o3,zno,zns2,sno2,sns2,cr2o3,pbo,coo,mns和cds中的一种或多种。
18、相应的,本申请实施例还提供一种偏光片,设置于液晶显示面板的一侧,所述液晶显示面板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层为氧化物半导体,所述偏光片包括半导体纳米粒子,所述半导体纳米粒子的禁带宽度小于或等于3.5ev。
19、可选的,在本申请的一些实施例中,所述偏光片包括粘合层,所述粘合层包括所述半导体纳米粒子。
20、可选的,在本申请的一些实施例中,所述半导体纳米粒子包括in2s3,in2o3,zno,zns2,sno2,sns2,cr2o3,pbo,coo,mns和cds中的一种或多种。
21、本申请实施例提供的显示装置和偏光片,通过在显示装置的偏光片中加入半导体纳米粒子,所述半导体纳米粒子的禁带宽度小于或等于薄膜晶体管有源层的禁带宽度,由于偏光片中半导体纳米粒子的吸收,减少了能够激发薄膜晶体管有源层产生光生电子的光线到达薄膜晶体管区域,从而提升了显示装置中薄膜晶体管的光照稳定性,由此提升显示装置的使用寿命。
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述偏光片包括粘合层,所述粘合层包括所述半导体纳米粒子。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述偏光片包括:
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述偏光片包括:
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示装置,其特征在于,所述半导体纳米粒子的粒径为5~100纳米。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述粘合层中的所述半导体纳米粒子的含量为0.5~2微克/立方厘米。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述有源层为氧化物半导体,所述半导体纳米粒子包括in2s3,in2o3,zno,zns2,sno2,sns2,cr2o3,pbo,coo,mns和cds中的一种或多种。
8.一种偏光片,其特征在于,设置于液晶显示面板的一侧,所述液晶显示面板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层为氧化物半导体,所述偏光片包括半导体纳米粒子,所述半导体纳米粒子的禁带宽度小于或等于3.5ev。
9.根据权利要求8所述的偏光片,其特征在于,所述偏光片包括粘合层,所述粘合层包括所述半导体纳米粒子。
10.根据权利要求8或9所述的偏光片,其特征在于,所述半导体纳米粒子包括in2s3,in2o3,zno,zns2,sno2,sns2,cr2o3,pbo,coo,mns和cds中的一种或多种。