一种扁桥芯片塑封方法与流程

本发明涉及芯片塑封，尤其涉及一种扁桥芯片塑封方法。

背景技术：

1、扁桥是一种整流元件，其将多个整流管封装至一个本体内，使其构成一个完整的整流电路。

2、在现有的扁桥封装过程中，往往采用胶道流向的方式进行环氧塑封，同时会根据环氧胶道流向的方式定义相关压力等参数，整个塑封的过程中会有应力产生。现有的塑封方式存在以下问题：（1）现行塑封是双料筋流向，相对塑封压力参数会大，因此产生的应力会大，同时双料筋环氧料耗用多；（2）进胶口方式直接对准芯片边缘冲击，会至芯片开裂；容易影响产品的质量。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种扁桥芯片塑封方法，解决了现有技术中扁桥的塑封工艺容易造成芯片开裂，从而影响产品质量的技术问题。

2、本申请实施例公开了一种扁桥芯片塑封方法，包括以下步骤：

3、s1：将芯片放置于框架上，放置时，所述芯片的中心线与所述框架的侧边呈夹角α，30°≤α≤60°，然后放置跳线，进行焊接，得到框架组件；

4、s2：将所述框架组件放置于预热台上预热，同时对环氧树脂进行预热；

5、s3：将预热后的框架组件放置于塑封装置的下模上，启动塑封装置，调整合模压力后，使得塑封装置的下模下移，完成合模；

6、s4：在合模过程中，将预热后的环氧树脂加入所述塑封装置的料筒中，调整转进压力后，完成进胶和固化，形成半成品；

7、s5：切出半成品中多余的筋料，制得扁桥芯片的成品。

8、本申请对芯片的放置角度进行改进，避免芯片受到冲击，影响产品质量。

9、在上述技术方案的基础上，本申请实施例还可以做如下改进：

10、进一步地，所述步骤s2中，所述框架组件预热的温度为160℃-180℃，预热时间为5-10s；所述环氧树脂预热的温度为30-40℃，预热时间为20-40s，采用本步的有益效果是通过预热能够减少应力，从而保证产品质量。

11、进一步地，所述步骤s3中合模时，合模压力的重量为130kg-150kg，所述步骤s4中转进压力为57kg-77kg，通过控制压力，能够避免产品开裂。

12、进一步地，所述步骤s4中的半成品为单料筋框架，采用本步的有益效果是通过单料筋走向，能够减少应力的产生。

13、进一步地，所述步骤s3中，所述框架组件放置于所述塑封装置的下模上时，所述下模的进胶口偏离所述框架组件的芯片，采用本步的有益效果是避免芯片开裂。

14、进一步地，所述步骤s4中的固化温度为160℃-180℃，时间为60-70s。

15、本申请实施例中提供的一个或者多个技术方案，至少具有如下技术效果或者优点：

16、1.本申请通过调整框架中芯片方向，避让胶水直冲芯片边缘，从而减少芯片开裂的情况。

17、2.本申请对下模的进胶口进行设计，使其避开芯片的位置，能够有效避免芯片开裂情况的发生。

18、3.本申请能够优化塑封参数，降低塑封应力。

19、4.本申请采用单料筋走向，能够降低耗用，节省成本。

技术特征：

1.一种扁桥芯片塑封方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的扁桥芯片塑封方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述框架组件预热的温度为160℃-180℃，预热时间为5-10s；所述环氧树脂预热的温度为30-40℃，预热时间为20-40s。

3.根据权利要求1所述的扁桥芯片塑封方法，其特征在于，所述步骤s3中合模时，合模压力的重量为130kg-150kg，所述步骤s4中转进压力为57kg-77kg。

4.根据权利要求1所述的扁桥芯片塑封方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述框架组件放置于所述塑封装置的下模上时，所述下模的进胶口偏离所述框架组件的芯片。

5.根据权利要求1所述的扁桥芯片塑封方法，其特征在于，所述步骤s4中的半成品为单料筋框架。

6.根据权利要求1所述的扁桥芯片塑封方法，其特征在于，所述步骤s4中的固化温度为160℃-180℃，时间为60-70s。

技术总结
本发明公开一种扁桥芯片塑封方法，涉及芯片塑封技术领域，包括以下步骤：S1：将芯片放置于框架上，放置时，芯片的中心线与框架的侧边呈夹角α，30°≤α≤60°，然后放置跳线，进行焊接，得到框架组件；S2：将框架组件放置于预热台上预热，同时对环氧树脂进行预热；S3：将预热后的框架组件放置于塑封装置的下模上，启动塑封装置，调整合模压力后，使得塑封装置的下模下移，完成合模；S4：在合模过程中，将预热后的环氧树脂加入塑封装置的料筒中，调整转进压力后，完成进胶和固化，形成半成品；S5：切出半成品中多余的筋料，制得扁桥芯片的成品。本发明解决了现有扁桥的塑封工艺容易造成芯片开裂，从而影响产品质量的技术问题。

技术研发人员：潘久华
受保护的技术使用者：扬州虹扬科技发展有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15