带状低通滤波器的制作方法

本发明属于通信，涉及一种低损耗高抑制的带状低通滤波器。

背景技术：

1、带状低通滤波器是容许低于截止频率的信号通过，但高于截止频率的信号不能通过的电子滤波装置。目前传统pcb结构的带状滤波器的损耗量在0.3db，无法进一步降低带状滤波器的损耗。

2、因此，有必要对现有技术予以改良以克服现有技术中的缺陷。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种带状低通滤波器，通过在材料组合和结构上改进，降低滤波器的损耗。

2、本发明的目的是通过以下技术方案实现：

3、一种带状低通滤波器，包括电介质基板，所述电介质基板上设有输入端子、输出端子以及连接输入端子、输出端子的高阻抗线路，所述高阻抗线路与谐振器连接；所述电介质基板从上至下依次为顶部覆铜层、第一材料层、中上覆铜层、第二材料层、中下覆铜层、第三材料层和底部覆铜层；所述第一材料层和第三材料层采用同材质的覆铜板，所述覆铜板的介电常数为2.98±0.05、介质损耗为0.0025、(无源互换)pim＜-158dbc；所述第二材料层采用pp填充物，所述pp填充物的耗散常数介于3.41～3.52之间、介电损耗介于0.0013～0.0026之间。

4、进一步来说，所述高阻抗线路、谐振器、输入端子、输出端子上具有微带线，所述微带线的两端外侧设有用于电容耦合的孔洞。

5、进一步来说，所述孔洞包括上孔洞和下孔洞；所述上孔洞从上往下依次贯穿顶部覆铜层、第一材料层和中上覆铜层，所述上孔洞与第二材料层的上表面接触；所述下孔洞从下往上依次贯穿底部覆铜层、第三材料层、中下覆铜层、第二材料层和中上覆铜层，所述下孔洞与第一材料层的下端面接触。

6、进一步来说，所述孔洞的截面形状为：圆形、椭圆形、多边形或者异形中的一种。

7、进一步来说，所述顶部覆铜层、中上覆铜层、中下覆铜层和底部覆铜层采用厚度为1oz的铜箔。

8、进一步来说，所述谐振器为四个，设置在第一材料层上。

9、进一步来说，所述输入端子、输出端子设置在第三材料层上。

10、本发明通过选用特定性能的覆铜板和特定性能的pp填充物，当其与铜箔按照一定的层叠结构分布后，能够有效降低滤波器的功耗，适用于三阶及以上的滤波器。

11、采用上述技术方案，具有以下有益效果：具有体积紧凑，损耗小(在0.15db)，功率容量大，带外抑制高(5.9-10ghz在35db)，谐波性能好的特点，从而可以有效提高5g通信系统的抗干扰能力和频谱利用率，降低5g通信系统的功耗，提高5g通信系统的覆盖范围。

技术特征：

1.一种带状低通滤波器，包括电介质基板，所述电介质基板上设有输入端子、输出端子以及连接输入端子、输出端子的高阻抗线路，所述高阻抗线路与谐振器连接；其特征在于：所述电介质基板从上至下依次为顶部覆铜层、第一材料层、中上覆铜层、第二材料层、中下覆铜层、第三材料层和底部覆铜层；所述第一材料层和第三材料层采用同材质的覆铜板，所述覆铜板的介电常数为2.98±0.05、介质损耗为0.0025、pim＜-158dbc；所述第二材料层采用pp填充物，所述pp填充物的耗散常数介于3.41～3.52之间、介电损耗介于0.0013～0.0026之间。

2.根据权利要求1所述的带状低通滤波器，其特征在于：所述高阻抗线路、谐振器、输入端子、输出端子上具有微带线，所述微带线的两端外侧设有用于电容耦合的孔洞。

3.根据权利要求2所述的带状低通滤波器，其特征在于：所述孔洞包括上孔洞和下孔洞；所述上孔洞从上往下依次贯穿顶部覆铜层、第一材料层和中上覆铜层，所述上孔洞与第二材料层的上表面接触；所述下孔洞从下往上依次贯穿底部覆铜层、第三材料层、中下覆铜层、第二材料层和中上覆铜层，所述下孔洞与第一材料层的下端面接触。

4.根据权利要求2所述的带状低通滤波器，其特征在于：所述孔洞的截面形状为：圆形、椭圆形、多边形或者异形中的一种。

5.根据权利要求1所述的带状低通滤波器，其特征在于：所述顶部覆铜层、中上覆铜层、中下覆铜层和底部覆铜层采用厚度为1oz的铜箔。

6.根据权利要求1所述的带状低通滤波器，其特征在于：所述谐振器为四个，设置在第一材料层上。

7.根据权利要求1所述的带状低通滤波器，其特征在于：所述输入端子、输出端子设置在第三材料层上。

技术总结
本发明公开了一种带状低通滤波器，包括电介质基板，所述电介质基板上设有输入端子、输出端子以及连接输入端子、输出端子的高阻抗线路，所述高阻抗线路与谐振器连接；所述电介质基板从上至下依次为顶部覆铜层、第一材料层、中上覆铜层、第二材料层、中下覆铜层、第三材料层和底部覆铜层；所述第一材料层和第三材料层采用同材质的覆铜板，所述覆铜板的介电常数为2.98±0.05、介质损耗为0.0025、PIM＜‑158dBc；所述第二材料层采用PP填充物，所述PP填充物的耗散常数介于3.41～3.52之间、介电损耗介于0.0013～0.0026之间。具有体积紧凑，损耗小，功率容量大，带外抑制高，谐波性能好的特点。

技术研发人员：吴奎,庾波
受保护的技术使用者：苏州艾福电子通讯股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15