半导体器件及其制造方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造ic的复杂性，并且为了实现这些进步，需要ic处理和制造中类似的开发。

2、例如，在多栅极器件制造工艺中，通常在半导体鳍上方外延生长一些半导体材料作为源极/漏极部件。许多技术努力致力于这些源极/漏极部件的尺寸、形状和材料的工程设计。但是，问题依然存在。一个问题涉及源极/漏极接触件的形成。在集成电路中，源极/漏极接触件用于将源极/漏极部件连接至电路的其它部分。源极/漏极接触件的形成通常包括：通过蚀刻覆盖源极/漏极部件的介电层以暴露相应接触开口中的源极/漏极部件来形成接触开口；以及将金属材料沉积至接触开口中以形成源极/漏极接触件。随着器件部件之间的间隔不断减小，已经变得难以通过蚀刻工艺来防止相邻源极/漏极部件之上的两个接触开口合并成一个更大的接触开口。因此，形成在合并的接触开口中的源极/漏极接触件在多个源极/漏极部件上方延伸，并且使这些相邻的源极/漏极部件短路，这可能造成电路故障。因此，虽然制造多栅极器件的现有方法在许多方面已经令人满意，但是关于所得器件的完整性和性能的挑战可能不是在所有方面都令人满意。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成设置在衬底上的第一鳍和第二鳍；在所述第一鳍和所述第二鳍上方形成栅极结构；在所述第一鳍上外延生长第一源极/漏极(s/d)部件，并且在所述第二鳍上外延生长第二源极/漏极部件，其中，所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件位于所述栅极结构的相同侧上；沉积覆盖所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件的介电层；蚀刻所述介电层以形成暴露所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件的沟槽；在所述沟槽中形成从所述第一源极/漏极部件延伸至所述第二源极/漏极部件的金属结构；实施切割金属工艺以形成开口，所述开口将所述金属结构分成位于所述第一源极/漏极部件上方的第一段和位于所述第二源极/漏极部件上方的第二段；以及在所述开口中沉积隔离部件，其中，所述隔离部件将所述第一段与所述第二段分隔开。

2、本申请的另一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一栅极结构和第二栅极结构；在所述衬底上方生长第一外延部件和第二外延部件，其中，所述第一外延部件和所述第二外延部件位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；沉积覆盖所述第一外延部件和所述第二外延部件的介电层；蚀刻所述介电层以在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成开口，其中，所述开口暴露所述第一外延部件和所述第二外延部件；在所述开口中形成金属部件，其中，所述金属部件与所述第一外延部件和所述第二外延部件电连接；蚀刻所述金属部件以将所述金属部件分成与所述第一外延部件电连接的第一段和与所述第二外延部件电连接的第二段；以及在所述第一段和所述第二段之间形成介电部件。

3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离结构，位于所述半导体衬底上方；第一外延部件和第二外延部件，位于所述隔离结构上方；第一接触结构，位于所述第一外延部件上方，并且与所述隔离结构的顶面接触；第二接触结构，位于所述第二外延部件上方，并且与所述隔离结构的所述顶面接触；以及介电层，介于所述第一接触结构和所述第二接触结构之间。

技术特征：

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽暴露所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件的每个的顶面和侧壁。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属结构覆盖所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件的每个的顶面和侧壁。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属结构与所述隔离结构的所述顶面接触。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，实施所述切割金属工艺使所述隔离结构的所述顶面凹进。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一段和所述第二段的顶面与所述隔离部件的顶面共面。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

10.一种半导体器件，包括：

技术总结
方法包括：形成设置在衬底上的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍上方形成栅极结构；在第一鳍上外延生长第一源极/漏极(S/D)部件，并且在第二鳍上外延生长第二S/D部件；沉积覆盖第一S/D部件和第二S/D部件的介电层；蚀刻介电层以形成暴露第一S/D部件和第二S/D部件的沟槽；在沟槽中形成从第一S/D部件延伸至第二S/D部件的金属结构；实施切割金属工艺以形成开口，开口将金属结构分成第一S/D部件上方的第一段和第二S/D部件上方的第二段；以及在开口中沉积隔离部件。隔离部件将第一段与第二段分隔开。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

技术研发人员：蔡忠浩,姚佳贤,黄谚钧,杨复凯,王美匀
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16