一种半导体结构的制造方法与流程

本发明属于半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

背景技术：

1、在半导体器件的制造过程中，会通过多次刻蚀以达到图形化的目的，是半导体器件的制造工艺中的重要工艺之一。其中，刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀，且湿法刻蚀是用化学方法有选择地从晶圆表面去除不需要材料的制备方法，广泛应用在半导体制造行业中。单片式湿法刻蚀因可以满足更小线宽的要求，逐渐成为主流的制造工艺。在现有的单片式湿法刻蚀工艺中，一般使用喷嘴将温度高于室温的湿法刻蚀液喷洒至晶圆的表面以对晶圆进行刻蚀，通常产生晶圆表面不同区域的刻蚀速率均匀性差的问题。且湿法刻蚀时间过短，造成刻蚀不完全，无法达到刻蚀效果，而湿法刻蚀时间过长，易造成过刻蚀，损伤晶圆表面。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，通过本发明提供的半导体结构的制造方法，可以提高半导体结构的刻蚀良率。

2、为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

3、本发明提供一种半导体结构的制造方法，至少包括：

4、提供一衬底；

5、在所述衬底上形成栅极、源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极暴露的硅表面沉积有金属层；

6、对所述金属层进行退火处理，以生成金属硅化合物；

7、采用第一化学药剂处理所述衬底，以去除未反应的所述金属层，所述第一化学药剂至少包含第一药剂和第二药剂中的一种，且所述第一药剂至少包含氰化物溶液；

8、清洗所述衬底；

9、采用第二化学药剂处理所述衬底；

10、清洗并干燥所述衬底；以及

11、对所述金属硅化合物进行第二退火处理，以生成自对准硅化物层。

12、在本发明一实施例中，所述第一药剂包括氰化铵溶液、氰化钠溶液或氰化钾溶液中的一种或几种混合。

13、在本发明一实施例中，所述第一药剂中氰化物的浓度为0.1g/l~100g/l。

14、在本发明一实施例中，所述第一化学药剂处理所述衬底的温度为100℃~140℃。

15、在本发明一实施例中，所述第二药剂包括双氧水或臭氧水溶液中的一种或两种混合。

16、在本发明一实施例中，所述金属层包括镍、铂或钴中的一种或几种混合。

17、在本发明一实施例中，所述第二化学药剂包括低温盐酸双氧水溶液或低温硫酸双氧水溶液中的一种或两种混合。

18、在本发明一实施例中，所述第二化学药剂的温度小于90℃。

19、在本发明一实施例中，所述第一退火处理的温度为200℃~300℃。

20、在本发明一实施例中，所述制造方法还包括在形成所述金属层前，在所述栅极两侧形成侧墙结构。

21、综上所述，本发明提供的一种半导体结构的制造方法，意想不到的效果是在半导体结构的源极、漏极和/或栅极表面的自对准硅化物的生产过程中，能够完全刻蚀去除未反应的金属层，不会对衬底表面造成损伤，提高半导体结构的生产良率。且反应温度低，降低了对设备硬件的要求，避免刻蚀温度过高影响第一退火处理后金属硅化合物的性能。同时，刻蚀液的温度与环境温度温差较小，使得衬底表面温度均匀，有利于提高刻蚀的均匀性，提高了刻蚀速率，且提高了形成的自对准硅化物层的性能，提高了后续制备的半导体器件的性能。

22、当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

技术特征：

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一药剂包括氰化铵溶液、氰化钠溶液或氰化钾溶液中的一种或几种混合。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一药剂中氰化物的浓度为0.1g/l~100g/l。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一化学药剂处理所述衬底的温度为100℃~140℃。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二药剂包括双氧水或臭氧水溶液中的一种或两种混合。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述金属层包括镍、铂或钴中的一种或几种混合。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二化学药剂包括低温盐酸双氧水溶液或低温硫酸双氧水溶液中的一种或两种混合。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二化学药剂的温度小于90℃。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为200℃~300℃。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括在形成所述金属层前，在所述栅极两侧形成侧墙结构。

技术总结
本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极、源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极暴露的硅表面沉积有金属层；对所述金属层进行退火处理，以生成金属硅化合物；采用第一化学药剂处理所述衬底，以去除未反应的所述金属层，所述第一化学药剂至少包含第一药剂和第二药剂中的一种，且所述第一药剂至少包含氰化物溶液；清洗所述衬底；采用第二化学药剂处理所述衬底；清洗并干燥所述衬底；以及对所述金属硅化合物进行第二退火处理，以生成自对准硅化物层。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的性能。

技术研发人员：刘苏涛,林士闵,渠兴宇
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15