一种复合集流体的制备方法、复合集流体和离子电池与流程

文档序号:37466290发布日期:2024-03-28 18:49阅读:9来源:国知局
一种复合集流体的制备方法、复合集流体和离子电池与流程

本发明涉及离子电池,具体涉及一种复合集流体的制备方法、复合集流体和离子电池。


背景技术:

1、复合集流体是一种新型的动力电池集流体材料,具有类似三明治的夹层结构,中间层是以高分子绝缘树脂pet/pp等材料的导电塑料薄膜,导电薄膜的一侧或两侧采用磁控溅射/真空蒸镀的方式,分别制作具有一定厚度的金属铝/铜的导电区域,制成复合集流体。

2、然而,在现有技术中,复合集流体在镀膜完成后,需要对边缘进行切割后收卷,但是,由于在镀膜过程中整个中间层的表面全是导电区域,当切割边缘的时候就会破环集流体上面导电层的应力,使得集流体边缘位置出现翘边的情况。


技术实现思路

1、有鉴于此,本发明实施例的目的在于提供一种复合集流体的制备方法、复合集流体和离子电池,以解决现有技术中的在镀膜过程中整个中间层的表面全是导电区域,当切割边缘的时候会破环集流体上面导电层的应力,使得集流体边缘位置出现翘边的情况技术问题。

2、为达上述目的,第一方面,本发明实施例提供了一种复合集流体的制备方法,所述制备方法包括:

3、获取支撑层;

4、采用掩膜挡板分别遮挡所述支撑层的第一空白区域和第二空白区域;

5、采用真空镀膜的方式在所述支撑层上形成导电区域;

6、分别沿着所述第一空白区域和所述第二空白区域进行切割,获得复合集流体。

7、在一些可能的实施方式中,所述第一空白区域和所述第二空白区域分别位于沿着所述支撑层的长度方向两侧的边缘,所述导电区域位于所述第一空白区域和所述第二空白区域之间。

8、在一些可能的实施方式中,所述第一空白区域和所述第二空白区域分别位于沿着所述支撑层的长度方向两侧,将所述导电区域分隔为第一导电区、第二导电区和第三导电区;

9、所述第一空白区域位于所述第一导电区和所述第二导电区之间;

10、所述第二空白区域位于所述第二导电区和所述第三导电区之间。

11、在一些可能的实施方式中,所述的采用真空镀膜的方式在所述支撑层上形成导电区域,具体包括:

12、采用磁控溅射镀膜或者真空蒸镀的方式在所述支撑层上形成导电区域。

13、第二方面,本发明实施例提供了一种复合集流体,所述复合集流体包括:支撑层,以及设置在所述支撑层上的导电区域、第一空白区域和第二空白区域;

14、所述导电区域位于所述第一空白区域和所述第二空白区域之间。

15、在一些可能的实施方式中,所述第一空白区域和所述第二空白区域分别位于沿着所述支撑层的长度方向两侧的边缘,所述导电区域位于所述第一空白区域和所述第二空白区域之间。

16、在一些可能的实施方式中,所述第一空白区域和所述第二空白区域分别位于沿着所述支撑层的长度方向的两侧,将所述导电区域分隔为第一导电区、第二导电区和第三导电区;

17、所述第一空白区域位于所述第一导电区和所述第二导电区之间;

18、所述第二空白区域位于所述第二导电区和所述第三导电区之间。

19、在一些可能的实施方式中,所述第一空白区域和所述第二空白区域的宽度为大于0小于5cm。

20、在一些可能的实施方式中,所述导电区域包括打底层和导电层,所述打底层位于所述支撑层与所述导电层之间;

21、所述打底层的材质为铜合金、镍合金、钛合金、铝合金、氧化铝或氮化硅;

22、所述导电层的材质为金属或者所述金属的氧化物;所述金属的材质为金属铜或者金属铝;

23、所述支撑层的材质为聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、及聚对苯二甲酰对苯二胺,丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酰对苯二胺、聚丙乙烯、聚甲醛、环氧树脂、酚醛树脂、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、硅橡胶和聚碳酸酯中的任意一种;

24、所述支撑层的厚度为3um至8um。

25、第三方面,本发明实施例还提供了一种离子电池,所述离子电池包括任意一种所述的复合集流体。

26、上述技术方案的有益技术效果在于:

27、本发明实施例提供的一种复合集流体的制备方法、复合集流体和离子电池,该制备方法包括:获取支撑层;采用掩膜挡板分别遮挡支撑层的第一空白区域和第二空白区域;采用真空镀膜的方式在支撑层上形成导电区域;分别沿着第一空白区域和所述第二空白区域进行切割,获得复合集流体。在本实施例的复合集流体的制备过程中,因为在镀膜过程中使用掩膜挡板遮挡后,在后续镀膜时,被掩膜挡板分别遮挡的支撑层的第一空白区域和第二空白区域为非导电区域,这样当切割边缘的时候,沿着第一空白区域和第二空白区域就不会破坏导电区域的应力,因而制备的复合集流体也不会出现翘边的现象。



技术特征:

1.一种复合集流体的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的一种复合集流体的制备方法,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的一种复合集流体的制备方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的一种复合集流体的制备方法,其特征在于,所述的采用真空镀膜的方式在所述支撑层(1)上形成导电区域(11),具体包括:

5.一种复合集流体,其特征在于,所述复合集流体包括:支撑层(1),以及设置在所述支撑层(1)上的导电区域(11)、第一空白区域(12)和第二空白区域(13);

6.根据权利要求5所述的一种复合集流体,其特征在于,所述第一空白区域(12)和所述第二空白区域(13)分别位于沿着所述支撑层(1)的长度方向两侧的边缘;

7.根据权利要求5所述的一种复合集流体,其特征在于,

8.根据权利要求5所述的一种复合集流体,其特征在于,所述第一空白区域(12)和所述第二空白区域(13)的宽度为大于0小于5cm。

9.根据权利要求5所述的一种复合集流体,其特征在于,所述导电区域(11)包括打底层(101)和导电层(102),所述打底层(101)位于所述支撑层(1)与所述导电层(102)之间;

10.一种离子电池,其特征在于,所述离子电池包括权利要求5-9任意一项所述的复合集流体。


技术总结
本发明提供一种复合集流体的制备方法、复合集流体和离子电池,该制备方法包括:获取支撑层;采用掩膜挡板分别遮挡支撑层的第一空白区域和第二空白区域;采用真空镀膜的方式在支撑层上形成导电区域;分别沿着第一空白区域和所述第二空白区域进行切割,获得复合集流体。在本实施例的复合集流体的制备过程中,因为在镀膜过程中使用掩膜挡板遮挡后,在后续镀膜时,被掩膜挡板分别遮挡的支撑层的第一空白区域和第二空白区域为非导电区域,这样当切割边缘的时候,沿着第一空白区域和第二空白区域就不会破坏导电区域的应力,因而制备的复合集流体也不会出现翘边的现象。

技术研发人员:臧世伟
受保护的技术使用者:深圳金美新材料科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/27
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