1.一种将所期望物种的离子植入到工件中的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子束包括惰性物种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中来自所述等离子的所述离子及所述自由基是朝所述工件的所述离子束冲击所述工件的位置处被引导。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述离子及所述自由基在所述工件的表面上所述离子束冲击所述工件的所述位置处形成膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述所期望物种包括含有族iii元素、族iv元素或族v元素的分子。
6.一种刻蚀工件的方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述刻蚀物种包括卤素。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述刻蚀物种包括cf4及氧。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述刻蚀物种包括氢，且原生氧化物层被刻蚀。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述离子束包括惰性气体。
11.根据权利要求6所述的方法，其中所述离子束是在所述膜正产生的同时被引导到所述工件的所述一部分。
12.根据权利要求6所述的方法，其中所述离子束是在所述膜已产生之后被引导到所述工件的所述一部分。
13.一种在工件上沉积材料的方法，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述加工气体包括ch4，且所述离子束包括族iv元素。
15.一种处理工件的方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述离子束用于将离子植入到所述工件中。
17.根据权利要求15所述的方法，其中对所述工件进行扫描，使得所述工件的一部分暴露于所述等离子，所述工件的所述部分在暴露于所述等离子之后暴露于热量。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述工件被加热到介于100℃与500℃之间的温度。
19.根据权利要求15所述的方法，其中所述加工气体包括氢/氮混合物。