1.一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：其元胞结构包括发射极金属(1)、发射极金属(1)下方的沟槽栅结构、发射极金属(1)下方的n+发射区(4)、n+发射区(4)下方的p基区(5)、p基区(5)下方的n-漂移区(6)；n-漂移区(6)下方依次为n型缓冲层(7)、集电极p+区(8)、集电极金属(9)；
2.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：集电结浮空p柱(10)的背面被集电极隔离槽隔离处于浮空状态；n型缓冲层(7)与集电极p+区(8)的两侧被集电极隔离槽所保护；所述的集电结浮空p柱(10)自上至下的深度大于n型缓冲层(7)的自上至下的深度，且集电结浮空p柱(10)和n型缓冲层(7)在左右方向上没有接触。
4.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：在器件由开通转为关闭状态时，n-漂移区(6)中的耗尽区扩展到集电结浮空p柱(10)。
5.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：在器件正向阻断时，n型缓冲层(7)与n-漂移区(6)交界处出现由浮空p柱掺杂浓度和深度决定的电场峰。
6.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：集电极隔离槽的外围介质层(11)是二氧化硅、氮化硅、或者氧化铪介质材料；
7.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：集电结浮空p柱(10)的掺杂方式为均匀掺杂或者非均匀掺杂，掺杂离子为p型杂质，掺杂浓度的范围为2e14到2e16，掺杂深度大于漂移区厚度的10％。
8.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：背面与正面结构没有存在对齐的关系，集电结浮空p柱的位置正上方是p基区(5)，或者是沟槽栅电极(2)。
9.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：所述沟槽栅电极(2)使用的多晶硅电极材料，重掺杂n型杂质，浓度为1e19；并且/或者沟槽栅介质层(3)使用二氧化硅、氮化硅、或二氧化铪。
10.根据权利要求1所述的一种集电结浮空p柱结构的igbt器件，其特征在于：器件半导体材料采用si、sic、gaas或者gan，且各部分采用相同的材料或采用不同材料组合。