1.一种应用高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器，其特征在于，从上而下依次设置透明导电玻璃层、n型非晶硅锗层、p型硫硒化锑层、p+型层和金属电极层；
2.根据权利要求1所述的应用高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器，其特征在于，所述透明导电玻璃层采用fto透明导电玻璃、ito透明导电玻璃或azo透明导电玻璃中的一种。
3.根据权利要求1所述的应用高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器，其特征在于，所述n型非晶硅锗层化学式为a-si1-xgex:h，x在0-1区间取值，当x为0是非晶硅，x为1是非晶硅锗。
4.根据权利要求1所述的应用高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器，其特征在于，所述p型硫硒化锑层化学式为sb2(s1-xsex)3，x在0-1区间取值，当x为0是硫化锑，x为1是硒化锑。
5.根据权利要求1所述的应用高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器，其特征在于，所述p+型层采用p3ht、nio或cui薄膜中的一种。
6.根据权利要求1所述的应用高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器，其特征在于，所述金属电极层采用au、ag或al薄膜电极中的一种。
7.一种高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤s4中，当所述p+型层采用p3ht时，选用旋转涂抹法，将所述步骤s3中得到的a-si1-xgex:h/sb2(s1-xsex)3硫硒化锑异质结结构放在匀胶机中，均匀地涂覆p3ht。
9.根据权利要求7所述的高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤s4中，当所述p+型层采用nio时，选用磁控溅射法，将nio溅射至所述步骤s3中得到的a-si1-xgex:h/sb2(s1-xsex)3硫硒化锑异质结结构的表面。
10.根据权利要求7所述的高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤s4中，当所述p+型层采用cui时，选用高真空热蒸发技术，将cui蒸发沉积至所述步骤s3中得到的a-si1-xgex:h/sb2(s1-xsex)3硫硒化锑异质结结构的表面。