1.一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第四步中，所述的正向偏压为1～5v的恒定正向偏压。
3.如权利要求2所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第四步中，所述的电解液质量百分比配比为5wt％～30wt％醇类催化剂、10wt％～35wt％氢氟酸，其余成分为去离子水。
4.如权利要求3所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第四步中，醇类催化剂为甲醇、乙醇、或两者的混合溶液。
5.如权利要求4所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第四步中，电化学腐蚀的时间为10～24h。
6.如权利要求1所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第一步中，通过干氧氛围下的热氧化法，在电阻率大于10000ω的p型单晶硅衬底上，制备厚度为500nm±50nm的氧化层，在氧化层表面涂覆光刻胶，通过光刻定义注入窗口，采用氢氟酸/氟化铵混合水溶液去除未被光刻胶覆盖的氧化层，随后使用离子注入设备对上述硅晶圆正面注入剂量1×1013～1×1014cm-2、能量40～200kev硼离子，并采用光刻胶清洗液、以及氢氟酸/氟化铵混合水溶液分别去除晶圆表面的光刻胶与表面氧化层，再通过干氧氛围下的高温推结：温度1050～1150℃，时间15～30h，形成隔离环与活性区。
7.如权利要求6所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第二步中，在晶圆正面重新涂覆光刻胶，通过光刻定义注入窗口，随后采用化学湿法腐蚀去除未被光刻胶覆盖的氧化层，再使用离子注入设备对晶圆正面注入剂量1×1015～1×1016cm-2，能量40～200kev的磷离子，经光刻胶与表面氧化层去除后，高温退火：温度1050～1150℃，时间3～9h。形成主结区。
8.如权利要求7所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第三步中，采用介质膜沉积工艺，在晶圆正面淀积100nm±10nm的sinx层作为探测器的正面钝化层，随后在钝化层上涂覆光刻胶，通过光刻定义刻蚀窗口，使用电感耦合等离子体刻蚀去除未被光刻胶覆盖的sinx层，随后采用光刻胶清洗液去除晶圆表面剩余的光刻胶，完成正面钝化层的制备，再通过金属膜沉积工艺在晶圆正面淀积1μm±0.5μm的al膜，在晶圆正面重新涂覆光刻胶后，光刻定义腐蚀窗口，然后采用磷酸水溶液进行al膜腐蚀，再去除光刻胶，完成正面电极的制备。
9.如权利要求8所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第四步中，对硅衬底进行背面减薄后，在晶圆正面涂覆光刻胶作为保护层，采用该晶圆作为电化学工作站的工作电极、铂电极作为对电极，采用10wt％醇类催化剂、20wt％氢氟酸、余量去离子水的混合溶液作为电解液，在室温条件下，对工作电极施加5v的正向偏压，经湿法电化学腐蚀15h后，在衬底背面制备出具有倒金字塔阵列形状的微构造硅层，随后采用光刻胶清洗液去除晶圆正面剩余的光刻胶。
10.如权利要求9所述的近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，第五步中，在晶圆背面涂覆光刻胶，通过光刻定义注入窗口，采用化学湿法腐蚀去除未被光刻胶覆盖的氧化层，再使用离子注入设备对晶圆背面注入剂量1×1015～1×1016cm-2，能量40～60kev的硼离子，经光刻胶与表面氧化层去除后，高温退火：温度900～1000℃，时间0.5～1h，形成接触层9；随后采用介质膜沉积工艺，在硅衬底背面淀积100nm±10nm的sinx钝化层后，在该钝化层上涂覆光刻胶，经光刻定义刻蚀窗口后，采用电感耦合等离子体刻蚀去除未被光刻胶覆盖的sinx层，去除衬底背面残留的光刻胶，完成背面钝化层的制备；然后采用金属膜沉积工艺在该衬底背面淀积1μm±0.5μm的al膜，在al膜上涂覆光刻胶，经光刻定义腐蚀窗口后，使用磷酸水溶液进行al膜腐蚀，去除光刻胶，完成背面金属电极区的制备，并在420℃的温度下进行晶圆正、背面电极的合金化。