引线框架及功率模块的封装结构的制作方法

本技术涉及半导体，更具体地，涉及一种引线框架及功率模块的封装结构。

背景技术：

1、在消费工规类电子产品中，充电器、液晶电视、医疗电子等设备都需要用到功率模块，比如大电流逆变器。功率模块的封装结构具备两个主要特点，一个是可以提供较大电流，具备较小的导通电阻；另一个是封装结构安装的适配性。因此，功率模块的封装结构如何降低导通电阻是非常重要的，封装结构的形式设计决定了功率模块的安装适配性。

2、常规的功率模块的封装方案中，往往采用铜片(clip)的封装方案来代替传统的打线，铜片的大接触面积可以使得封装结构具备较大的电流和较小的导通电阻。但对于铜片，往往需要针对芯片的焊盘布局设计与之对应的结构。此外，考虑到功率模块的安装适配度，不同的条件会需要单独设计对应的引线框架，从而导致最终产品及引线框架的类型繁多。

3、因此，功率模块需要设计一种引线框架以及对应的封装结构，既能满足大功率芯片的封装，又能使布局更加合理灵活，可满足多种不同需求。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种引线框架及功率模块的封装结构，既能满足大功率芯片的封装，又能使布局更加合理灵活，可满足多种不同需求。

2、根据本发明的一方面，提供一种功率模块的封装结构，包括：基板；快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管，位于所述基板上；引线框架，所述引线框架包括第一连接片和第二连接片，所述引线框架与所述快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管电连接；塑封体，包覆所述基板、所述快恢复二极管、所述绝缘栅双极型晶体管和至少部分所述引线框架；其中，所述引线框架的第一连接片的至少部分和第二连接片的至少部分分别从所述塑封体中伸出形成第一类引脚和第二类引脚，所述第一连接片的焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过所述第一焊接区与所述第一连接片相连以及所述快恢复二极管的阳极通过所述第二焊接区与所述第一连接片相连并通过所述第一类引脚引出，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述快恢复二极管的阴极与所述基板电连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述第二连接片通过键合线相连并通过所述第二类引脚引出。

3、可选地，所述基板的背面设置有焊盘，所述基板背面的焊盘从所述塑封体中露出以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极。

4、可选地，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从所述塑封体中伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与所述基板电连接以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极。

5、可选地，所述基板的至少一面设置有导电层，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述快恢复二极管的阴极与所述导电层电连接。

6、可选地，所述塑封体的宽度为15mm～20mm，所述塑封体的长度为22mm～28mm。

7、可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述塑封体的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚。

8、可选地，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为2mm～3mm。

9、可选地，所述第一连接片和所述第二连接片为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种。

10、可选地，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形、椭圆形和多边形中的至少一种。

11、可选地，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起。

12、可选地，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度。

13、可选地，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚。

14、可选地，所述第二类引脚为信号引脚。

15、可选地，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为2.0mm～2.6mm；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为1.0mm～1.4mm；所述第二类引脚的宽度为1.0mm～1.4mm。

16、可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体15mm～25mm。

17、可选地，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为7mm～9mm。

18、根据本发明的另一方面，提供一种引线框架，包括：第一连接片，所述第一连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第一类引脚；第二连接片，所述第二连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第二类引脚；其中，所述第一连接片还包括焊接区，所述焊接区位于所述待封装区域内，所述第一连接片通过所述焊接区与芯片的焊盘相连，所述第二连接片在所述待封装区域内通过键合线与芯片的焊盘相连。

19、可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述待封装区域的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚。

20、可选地，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从待封装区域伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与基板相连。

21、可选地，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为2mm～3mm。

22、可选地，所述第一连接片和所述第二连接片为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种。

23、可选地，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形、椭圆形和多边形中的至少一种。

24、可选地，所述焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起，所述第一连接片在所述第一焊接区和所述第二焊接区分别与不同的芯片电连接。

25、可选地，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度。

26、可选地，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚。

27、可选地，所述第二类引脚为信号引脚。

28、可选地，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为2.0mm～2.6mm；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为1.0mm～1.4mm；所述第二类引脚的宽度为1.0mm～1.4mm。

29、可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出待封装区域的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出待封装区域15mm～25mm。

30、可选地，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为7mm～9mm。

31、本实用新型的有益效果：

32、本实用新型提供的引线框架及功率模块的封装结构，其中，引线框架包括与芯片的焊盘通过焊接直接连接的第一连接片和与键合线连接的第二连接片，第一连接片和第二连接片均直接引出分别形成第一类引脚和第二类引脚。其第一连接片设置有镂空设计，增强了散热能力。第一连接片还包括多个焊接区，有效增大了与芯片的接触面积，增加了电流的流通通道，使得第一类引脚具有较小的导通电阻，不仅可以适用于大功率芯片的封装，还可满足一定的布局灵活性需求。

33、进一步地，第一连接片中的第一类引脚分为功率引脚和信号引脚，分别用于传输功率电流和传输信号，采用此设计可以有效避免功率引脚中较大的功率电流的感抗对信号的干扰，有效提高功率模块的稳定性和可靠性。相应地，该功率模块的封装结构，不仅具有较高的效率，还具有极高的稳定性和可靠性。

34、进一步地，该引线框架中的引脚的长宽，间距，站高等均可根据客户需求进行调整，使得该引线框架及功率模块的封装结构还具有极大的安装适配性，其制造的工艺简单、成本低廉且易于实现。